【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，特别是涉及一种通过流体转移制程所形成的电子装置。
技术介绍
1、电子单元可通过巨量转移技术转移到目标基板，例如流体转移(fluid transfer)技术，进而达到量产化的效果。然而，在经由流体转移制程转移电子单元时，电子单元可能无法有序地设置。如此，可能导致后续走线的制程难度增加，或导致电子单元的电连接异常以影响电子装置的良率。因此，如何改善流体转移制程的制程或增加通过流体转移制程所形成的电子装置的良率是本领域重要的议题之一。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是在于提供一种电子装置。
2、在一些实施例中，本专利技术提供了一种电子装置，其包括一基板以及至少一电子单元。基板包括至少一凹槽，电子单元设置在凹槽中。电子单元具有n1个信号连接点，其中n1大于或等于1。在电子装置的一俯视方向上，凹槽具有一最大尺寸d1，电子单元具有一最大尺寸c1，而最大尺寸d1和最大尺寸c1满足以下关系式：0<d1-c1<c1/n1。
【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述至少一凹槽为圆形且具有一半径R1，所述至少一电子单元为正方形，所述至少一电子单元具有至少一电极，所述至少一电极具有一宽度W1，其中所述宽度W1满足以下关系式：
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述宽度W1满足以下关系式：
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一导电层，所述导电层透过一第一穿孔和邻近于所述第一穿孔的一第二穿孔电连接到所述至少一电子单元，所述第一穿孔与所述第二穿孔之间具有一最小距离W2，所述最小距离W2满足以下关系式：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括发光二极管。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括：
9.根据权利要求8所述
10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元具有一上表面，所述上表面具有一边缘，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述第二电极的外缘重叠于所述边缘。
11.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极还设置在所述第二半导体层相反于所述主动层的一侧。
12.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述第二电极具有圆角结构或倒角结构。
13.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元还包括一钝化层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并电绝缘所述第一电极与所述第二电极。
14.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一导电层，所述导电层透过一第一穿孔电连接到所述第一电极，并透过一第二穿孔电连接到所述第二电极，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述第二穿孔的面积大于所述第一穿孔的面积。
15.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括金属氧化物半导体场效晶体管。
16.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括一第一电极、一第二电极和一第三电极，所述第二电极围绕所述第一电极，而所述第三电极围绕所述第一电极和所述第二电极。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板包括：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述至少一凹槽为圆形且具有一半径r1，所述至少一电子单元为正方形，所述至少一电子单元具有至少一电极，所述至少一电极具有一宽度w1，其中所述宽度w1满足以下关系式：
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述宽度w1满足以下关系式：
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一导电层，所述导电层透过一第一穿孔和邻近于所述第一穿孔的一第二穿孔电连接到所述至少一电子单元，所述第一穿孔与所述第二穿孔之间具有一最小距离w2，所述最小距离w2满足以下关系式：
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括发光二极管。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元包括：
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述至少一电子单元具有一上表面，所述上表面具有一边缘，在所述电子装置的所述俯视方向上，所述第二电极突出于所述边缘。
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉源，蔡宗翰，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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