【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置，更具体地，涉及一种利用工艺气体在工艺腔室内执行基板处理工艺的过程中通过使工艺腔室内的气体维持均匀流动，从而能够在基板的整个表面上均匀地进行处理工艺的基板处理装置。
技术介绍
1、通常，利用等离子体的基板处理装置可在沉积、干式清洗、灰化等各种应用中使用。例如，等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；pecvd)装置用于在显示器制造工序或者半导体制造工序中真空状态下利用气体的化学反应将绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等沉积到基板上。
2、图1是基板处理装置的一例的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9包括：多个工艺腔室10、10′，其具有与外部隔绝的内部空间s1、s2以维持沉积工艺中的真空状态；基板支撑台40、40′，其可升降地设置于工艺腔室10、10′的内部且可用于安置基板w；喷淋头20、20′，其用于向工艺腔室10、10′的内部提供工艺气体，该工艺气体包括作为沉积的材料的源气；气体供给部30、30′，其用于向喷淋头20、20′提供31工艺气体；排出通道66，其用于将提供至工艺腔室10、10′的气体排出到内部空间s1、s2的外侧。
3、通过位于工艺腔室10、10′下侧的通道部件60形成排出通道66，以使从各工艺腔室10、10′的底部面的排出口10x排出气体后在工艺腔室10、10′的下侧汇合。
4、为了使基板支撑台40、40′可上下移动的同时维持工艺腔室10、10′内部空间的真空状态，设置有用于隔绝外部空气的
5、在作为基板处理工艺之一的成膜工艺中，喷淋头20向基板w提供工艺气体的同时，rf电源供给部向等离子体电极施加rf电源，从而在喷淋头20与基板支撑台40、40′之间的空间生成等离子体。而且，基板处理工艺中随着喷淋头20持续地提供工艺气体，如图3所示，提供到工艺腔室10内部空间的工艺气体沿着附图标记71、72、73标出的方向流动的同时通过排出口10x向工艺腔室10的外侧排出。
6、此时，为了在基板的整个表面均匀地进行处理工艺，基板w周围的气体维持均匀流动，工艺腔室10、10′内部空间s1、s2的气体维持对称流动的同时抑制涡流的发生，十分重要。
7、其中，为了将水平引入的基板w搁置到基板支撑台40、40′上，工艺腔室10、10′的内部形成有升降销50、50′，为此，工艺腔室10、10′的底部面需要具备用于支撑升降销50、50′的支撑台55。这是由于，相较于工艺腔室10、10′，支撑台55的寿命更短，因此升降销50、50′的下端不宜支撑在工艺腔室10、10′的底部面。
8、但是，由于工艺腔室10、10′底部面上凸出的升降销支撑台55，内部空间s1、s2中的气体沿侧壁向下方移动71的过程中因底部面上凸出的支撑台55产生向上方的回流72，在支撑台与侧壁之间，未通过排出口排出73的气体存在形成涡流状二次流动76的可能性。
9、如上所述，基板w的处理工艺中由于工艺腔室10、10′的底部面上凸出的升降销支撑台55导致气体无法形成基于基板w中心的对称流动，基于涡流局部出现气体流动的变动性变大，从而导致无法在基板的整个表面上均匀地进行处理工艺，进而引起处理工艺可靠性下降的问题发生。
10、进一步地，升降销的位置中相隔地设置有多个升降销支撑台，从而升降销支撑台的位置上发生涡流的可能性增大，沿着基板的周围方向气体不均匀地流动，引起基板处理工艺不均匀的可能性增加的问题发生。
11、所述结构和作用并非本申请的申请日之前公知的结构，而是用于对比说明本专利技术的技术。
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于，利用气体在工艺腔室内执行基板处理工艺过程中使工艺腔室内的气体以基板为中心形成对称流动，以在基板的整个表面均匀地进行处理工艺。
3、具体地，本专利技术即使用于支撑升降销的升降销支撑台凸出于工艺腔室的底部面形成，也能够使工艺腔室内部空间的气体以基板的中心为基准形成对称流动，同时抑制涡流的发生，使流入内部空间的气体顺利地从位于腔室底部面的排出口排出。
4、技术方案
5、本专利技术为了实现如上所述的目的，提供一种基板处理装置，包括：工艺腔室，其内部具有呈圆形状横截面的内部空间，所述内部空间的中央部的底部面形成有排出口；基板支撑台，设置成可上下移动，用于在所述内部空间内执行基板处理工艺的期间搁置所述基板；升降销，其在所述基板被引入所述工艺腔室时利用上端支撑所述基板；升降销支撑台，其呈环状设置于所述内部空间的底部面，以支撑所述升降销的下端。
6、本说明书和权利要求书中记载的‘气体’和‘工艺气体’是对源气、反应气、载气、清洁游离基、调制气或者吹扫气体的统称，是指为了统称处理室中所提供的各种气体而定义的。源气，是在基板上表面成膜时的主要成膜材料，反应气，用于与源气进行反应，所述源气为成膜于基板上表面的主材料；载气，用于向处理室提供特定气体；清洗游离基，用于清洗工艺腔室内部；调制气或者吹扫气体，用于在处理室内进行调制或者吹扫步骤期间使用。
7、本说明书和权利要求书中记载的‘中心’及其类似的术语是指基板支撑台的中心，还可以指为了使基板支撑台的中心与基板的中心对齐而使基板支撑于基板支撑台的状态下的基板的中心。
8、本说明书和权利要求书中记载的‘内侧’、‘半径内侧’及其类似的术语是指朝向基板支撑台的中心侧的方向，本说明书和权利要求书中记载的‘外侧’、‘半径外侧’及其类似的术语是指从基板支撑台的中心侧朝向升降销支撑台外侧的方向。
9、有益效果
10、如上所述，本专利技术通过将用于支撑升降销的升降销支撑台以与基板支撑台的中心一致的同心圆状的环状形成于工艺腔室的底部面上，使工艺腔室的气体沿着圆周方向均匀地流动。
11、此外，本专利技术通过在工艺腔室的底部面中央形成排气口，工艺腔室的底部面的边缘区域形成朝排出口逐渐倾斜的倾斜部，使沿着工艺腔室的侧壁向下方流动的气体沿着平缓的倾斜部向下方倾斜地流动，从而能够最小化在侧壁与底部面之间的顶点附近的涡流发生。
12、此外，本专利技术通过使升降销支撑台的截面朝第一倾斜面形成形的外翘凸起部，能够使从工艺腔室底部面倾斜的边缘区域向升降销支撑台的上表面产生的涡流最小化的同时诱导流动，从而即使升降销支撑台具有凸出的高度，也能够诱导气体以最小化涡流发生及转弯流动路径的形态进行流动。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
10.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
11.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
12.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
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18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
10.如权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东昊，河南，车东壹，金洙千，金官希，黄领务，李俊范，宋秀静，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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