【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装制程，尤指一种具屏蔽机制的电子封装件及其制法。
技术介绍
1、随着半导体技术的演进，为了提升电性品质，多数半导体产品具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(electromagnetic interference，简称emi)。
2、如图1所示，现有半导体封装件1的制法先将一半导体芯片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即通过导电凸块110与底胶111)设于一封装基板10上，再将粘着层14形成于该封装基板10上。接着，将一铜盖件13以其顶片130遮盖于该半导体芯片11的非作用面11b上，且将该铜盖件13的支撑脚131通过该粘着层14架设于该封装基板10上。
3、于运作时，通过该铜盖件13提供屏蔽的功能，以防止电磁干扰该半导体芯片11的信号收发。
4、随着产品应用改变，许多芯片里都需要能快速读写、低耗电、断电后不会遗失数据的存储器元件，如磁阻式随机存取存储器(magneto-resistive random access memory，简称mram)的磁阻芯片，其兼具快闪存储器的非挥发性、容量密度与使用寿命不输dram、平均能耗远低于dram等优点，故该半导体芯片11采用磁阻芯片的需求已视为下个世代通用型存储器的主流。
5、但是，现有半导体封装件1中，若仅靠该铜盖件13提供屏蔽的功能，mram规格的半导体芯片11仍易受到磁场的干扰，导致其功能失效。例如，传统高导电性(highconductivity)金属屏蔽件(即该铜盖件13)对于磁场(magnetic fie
6、再者，业界虽开发出于该金属盖内侧形成一层导磁性材料，如第twi786082号专利，以强化金属屏蔽件的屏蔽效果，但在低频状况下，仍无法达到屏蔽效能至少为-15db(即至少屏蔽97％磁场)的实际需求。
7、因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，可至少部分地解决现有技术的问题。
2、本专利技术的电子封装件，包括：承载结构；电子元件，其设于该承载结构上；遮盖件，其设于该承载结构上以遮盖该电子元件；以及导磁件，其设于该遮盖件与该电子元件之间，且该导磁件与该遮盖件之间形成有气体间隙。
3、本专利技术亦提供一种电子封装件的制法，包括：将电子元件设于一承载结构上；将导磁件设于该电子元件上，以令该导磁件遮盖该电子元件；以及将遮盖件设于该承载结构上，以令该遮盖件遮盖该导磁件，且该导磁件与该遮盖件之间形成有气体间隙。
4、前述的制法中，该导磁件通过结合材结合至该电子元件上。
5、本专利技术另提供一种电子封装件的制法，包括：将电子元件设于一承载结构上；将导磁件通过结合材结合至遮盖件上，并于该结合材中形成有气体间隙；以及将遮盖件设于该承载结构上，以令该遮盖件遮盖该电子元件，且该导磁件位于该遮盖件与该电子元件之间。
6、前述的电子封装件及其两种制法中，该遮盖件为铁盖。
7、前述的电子封装件及其两种制法中，该遮盖件包含有一片体与立设于该片体上的支撑脚，以令该气体间隙形成于该片体与该导磁件之间，且该支撑脚结合至该承载结构上。
8、前述的电子封装件及其两种制法中，该导磁件为铁素体。
9、前述的电子封装件及其两种制法中，还包括形成表面处理层于该遮盖件上。
10、由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，主要通过该导磁件与该遮盖件之间形成有气体间隙，以强化屏蔽效果，故相比于现有技术，当该电子封装件在低频状况下运作时，该屏蔽结构的屏蔽效能可大于-15db(即至少屏蔽97％磁场)，以符合实际需求。
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1.一种电子封装件，包括：
2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该遮盖件为铁盖。
3.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该遮盖件包含有一片体与立设于该片体上的支撑脚，以令该气体间隙形成于该片体与该导磁件之间，且该支撑脚结合至该承载结构上。
4.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件为铁素体。
5.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件通过结合材结合至该电子元件上。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件通过结合材结合至该遮盖件上，且该结合材中形成有该气体间隙。
7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该遮盖件上的表面处理层。
8.一种电子封装件的制法，包括：
9.如权利要求8所述的电子封装件的制法，其中，该导磁件通过结合材结合至该电子元件上。
10.一种电子封装件的制法，包括：
11.如权利要求8或10所述的电子封装件的制法，其中，该遮盖件为铁盖。
12.如权利要求8或10所述的电子封装件的制法，其
13.如权利要求8或10所述的电子封装件的制法，其中，该导磁件为铁素体。
14.如权利要求8或10所述的电子封装件的制法，其中，该制法还包括形成表面处理层于该遮盖件上。
...【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，包括：
2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该遮盖件为铁盖。
3.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该遮盖件包含有一片体与立设于该片体上的支撑脚，以令该气体间隙形成于该片体与该导磁件之间，且该支撑脚结合至该承载结构上。
4.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件为铁素体。
5.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件通过结合材结合至该电子元件上。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导磁件通过结合材结合至该遮盖件上，且该结合材中形成有该气体间隙。
7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该遮盖件上的表面处理层。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文荣，邱志贤，林建成，蔡明汎，郑丞佑，张惠菁，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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