【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种底层金属互连线结构。
技术介绍
1、铜互连技术在集成电路领域中的广泛应用，有效地解决了互连线尺寸微缩带来的时间延迟以及电迁移等可靠性问题。然而，随着工艺技术的迭代，互连线尺寸不断微缩，底层金属线的发热情况愈发显著，限制了金属互连线能够容忍的最大均方根电流。尤其是当底层金属绕行布线时，金属线自发热情况加剧，绕行金属互连线能容忍的最大均方根电流显著降低，且金属互连线极易被烧毁。
2、因此，设计一种不影响连线通路功能、且能快速散热的底层金属互连线结构，是十分必要的。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种底层金属互连线结构，用于解决现有技术中金属线自发热加剧，绕行金属互连线能容忍的最大均方根电流显著降低，导致金属互连线极易被烧毁的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种底层金属互连线结构，至少包括：
3、测试键以及与所述测试键连接的引线；所述测试键由多个首尾相连的金属线组成；所述多个金属线在同一平面内绕行排布，其中每个绕点分布至少一个悬空的通孔结构；
4、所述引线为两条，各自连接于所述测试键中位于首端和尾端的所述金属线的端部。
5、优选地，所述多个金属线的长度相同；所述多个金属线的宽度相同。
6、优选地，所述引线与所述金属线在同一平面内相互垂直摆放。
7、优选地，所述每个绕点分布至少一个向下悬空的通孔结构。
...【技术保护点】
1.一种底层金属互连线结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述多个金属线的长度相同；
3.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述引线与所述金属线在同一平面内相互垂直摆放。
4.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述每个绕点分布至少一个向下悬空的通孔结构。
5.根据权利要求4所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述向下悬空的通孔结构之间填充满层间介电质。
6.根据权利要求4所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述向下悬空的通孔结构之间填充满层间介电质。
7.根据权利要求5所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述测试键及所述引线上覆盖有金属间介电质。
8.根据权利要求4所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述向下悬空的通孔结构的另一端连接有器件的栅极，所述向下悬空的通孔结构的纵向深度不超过所述器件的栅极深度的一半。
9.根据权利要求11所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述金属间介电质上覆盖有
...【技术特征摘要】
1.一种底层金属互连线结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述多个金属线的长度相同；
3.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述引线与所述金属线在同一平面内相互垂直摆放。
4.根据权利要求1所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述每个绕点分布至少一个向下悬空的通孔结构。
5.根据权利要求4所述的底层金属互连线结构，其特征在于：所述向下悬空的通孔结构之间填充满层间介电质。
6.根据权利要求4所述的底层金...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱业凯，盛鑫，曹巍，朱月芹，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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