一种新型的半导体模组制造技术

本技术公开了一种新型的半导体模组，属于半导体技术领域；包括，散热基板；多个分立器件，设于散热基板的上方，单个分立器件包括，分立基板，分立基板上设有第一芯片和第二芯片；功率引脚，连接分立基板，功率引脚与第一芯片、第二芯片之间通过焊接或引线键合连接；信号引脚，连接分立基板，信号引脚与第一芯片、第二芯片之间通过焊接或引线键合连接。上述技术方案的有益效果是：简化了客户端的安装工艺，提高了封装的额定电流上限与瞬态过电流能力，散热效率高，且在保证散热效率的情况下大幅度提升器件使用的安全性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，尤其涉及一种新型的半导体模组。

技术介绍

1、目前场效应晶体管模块在变频器，风力发电与电动汽车领域的应用越来越广泛，以上领域对于分立器件模块的封装体积，功率密度，可靠性等各方面的要求也越来越严苛。

2、在现有技术中，为了平衡散热条件与功率密度，塑封体均将一侧带电金属面外露，通过绝缘垫片与导热脂的形式和散热鳍片进行连接，导致安装过程中客户端的工艺难度增加，提升了封装的接触热阻，降低了封装的散热效率与芯片的抗冲击能力，空间利用率的压缩导致功率密度无法提升；引脚间的间距短，长期使用过程中受环境影响更易产生爬电现象，降低了器件使用的安全性与可靠性。

技术实现思路

1、本技术的目的在于，提供一种新型的半导体模组，解决以上技术问题；

2、一种新型的半导体模组，包括，

3、散热基板；

4、多个分立器件，设于所述散热基板的上方，单个所述分立器件包括，

5、分立基板，所述分立基板上设有第一芯片和第二芯片；

6、功率引脚，连接所述分立基板，所述功率引脚与所述第一芯片、所述第二芯片之间通过焊接或引线键合连接；

7、信号引脚，连接所述分立基板，所述信号引脚与所述第一芯片、所述第二芯片之间通过焊接或引线键合连接。

8、优选地，所述散热基板与所述分立基板之间设有多个凸台，所述凸台的形状为矩形，所述凸台的高度为0.5mm～2mm。

9、优选地，所述凸台与所述散热基板的连接面上设有焊料，所述凸台与所述分立基板的连接面上也设有所述焊料。

10、优选地，所述散热基板上还设有用于安装温度传感器的凹槽，所述凹槽的形状为圆形，所述凹槽的深度为1mm～3mm。

11、优选地，所述散热基板的背面设有散热针，所述散热针的形状为圆形或椭圆形。

12、优选地，所述散热基板的表面覆有镀镍层，所述镀镍层的厚度为1μm～10μm。

13、优选地，所述散热基板的长度为160mm～180mm，所述散热基板的宽度为70mm～90mm，所述散热基板的厚度为9mm～15mm。

14、优选地，所述分立器件还包括绝缘塑封壳体，所述绝缘塑封壳体内设有所述分立基板、所述第一芯片、所述第二芯片、所述功率引脚以及所述信号引脚，所述功率引脚与所述信号引脚至少一部分伸出所述绝缘塑封壳体。

15、优选地，所述第一芯片为二极管芯片，所述第二芯片为场效应晶体管芯片。

16、优选地，所述功率引脚包括用于输入电压的第一引脚和用于输出电压的第二引脚；

17、所述信号引脚包括用于控制信号输入的第三引脚和用于控制信号输出的第四引脚。

18、本技术的有益效果是：简化了客户端的安装工艺，提高了封装的额定电流上限与瞬态过电流能力，散热效率高，且在保证散热效率的情况下大幅度提升器件使用的安全性和可靠性。

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【技术保护点】

1.一种新型的半导体模组，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)与所述分立基板(6)之间设有多个凸台，所述凸台的形状为矩形，所述凸台的高度为0.5mm～2mm。

3.根据权利要求2所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述凸台与所述散热基板(2)的连接面上设有焊料，所述凸台与所述分立基板(6)的连接面上也设有所述焊料。

4.根据权利要求1所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)上还设有用于安装温度传感器的凹槽(22)，所述凹槽(22)的形状为圆形，所述凹槽(22)的深度为1mm～3mm。

5.根据权利要求4所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)的背面设有散热针(21)，所述散热针(21)的形状为圆形或椭圆形。

6.根据权利要求5所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)的表面覆有镀镍层，所述镀镍层的厚度为1μm～10μm。

7.根据权利要求6所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)的长度为160mm～180mm，所述散热基板(2)的宽度为70mm～90mm，所述散热基板(2)的厚度为9mm～15mm。

8.根据权利要求1所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述分立器件(1)还包括绝缘塑封壳体(5)，所述绝缘塑封壳体(5)内设有所述分立基板(6)、所述第一芯片(7)、所述第二芯片(8)、所述功率引脚(3)以及所述信号引脚(4)，所述功率引脚(3)与所述信号引脚(4)至少一部分伸出所述绝缘塑封壳体(5)。

9.根据权利要求8所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述第一芯片(7)为二极管芯片，所述第二芯片(8)为场效应晶体管芯片。

10.根据权利要求8所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述功率引脚(3)包括用于输入电压的第一引脚(31)和用于输出电压的第二引脚(32)；

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【技术特征摘要】

1.一种新型的半导体模组，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)与所述分立基板(6)之间设有多个凸台，所述凸台的形状为矩形，所述凸台的高度为0.5mm～2mm。

3.根据权利要求2所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述凸台与所述散热基板(2)的连接面上设有焊料，所述凸台与所述分立基板(6)的连接面上也设有所述焊料。

4.根据权利要求1所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)上还设有用于安装温度传感器的凹槽(22)，所述凹槽(22)的形状为圆形，所述凹槽(22)的深度为1mm～3mm。

5.根据权利要求4所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)的背面设有散热针(21)，所述散热针(21)的形状为圆形或椭圆形。

6.根据权利要求5所述的新型的半导体模组，其特征在于，所述散热基板(2)的表面覆有镀镍层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：房军军，姚礼军，陈烨，
申请(专利权)人：斯达半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：