【技术实现步骤摘要】
本申请属于石英内屏制备，具体涉及一种石英内屏及其制备方法和成型装置、热屏、热场及单晶炉。
技术介绍
1、在直拉法生产硅单晶的工艺中，通常需要在生长炉的四周形成热场，热屏是组成单晶炉热场的重要部件，利用热屏包覆在换热装置外侧，以起到隔热保温作用。
2、相关技术中单晶硅生长炉中应用的热屏通常采用石墨材料制成，但石墨热屏的成本较高，并且在单晶硅生长过程中会造成单晶硅碳含量增加，且石墨耐高温但是保温性能不足。因此，亟需一种新的热屏产品。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种石英内屏及其制备方法和成型装置、热屏、热场及单晶炉，能够解决相关技术中采用石墨热屏形成热场，不仅会造成单晶硅碳含量增加，且保温性能不足的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提出了一种石英内屏，包括：石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有相对的第一开口和第二开口，所述中空型腔的侧壁设有浑浊层，所述浑浊层包含絮状物，所述絮状物的占比大于0，且小于或等于70％。
4、在本申请中的石英内屏设有中空型腔，通过在中空型腔的侧壁设置浑浊层，以便在满足石英内屏的隔热保护性能的同时，利用浑浊层可以增加石英内屏的强度，从而提升石英内屏的使用寿命。
5、第二方面，本申请实施例提出了一种石英内屏的制备方法，包括：
6、向成型模具的容纳腔内投入石英砂原料，以在所述容纳腔的内壁形成胚料层；
7、将电极棒伸入所述容纳腔以对
8、调节所述电极棒的位置及加热功率，对所述胚料层分步熔制成型，并对所述胚料层进行抽真空。
9、在本申请通过对胚料层分步熔制成型，以确保胚料层不同位置能够均匀熔融成型，从而提高熔融成型质量。并且，在胚料层熔融过程中，对胚料层进行抽真空，以加速排除原料中的微气泡，从而能够在制备得到的石英内屏产品中形成浑浊层，增加石英内屏产品的强度。
10、第三方面，本申请实施例提出了一种热屏，包括：外屏、保温层以及上述任一项所述的石英内屏；所述外屏设于所述石英内屏的外侧，所述外屏与所述石英内屏之间设有保温腔，所述保温层填充于所述保温腔内。
11、第四方面，本申请实施例提出了一种单晶炉热场，包括换热装置，以及上述任一项所述的热屏，所述换热装置至少部分位于所述中空型腔内。
12、第五方面，本申请实施例提出了一种单晶炉，包括上述任一项所述的单晶炉热场。
13、第六方面，本申请实施例提出了一种成型装置，包括：成型模具，所述成型模具包括管体和管底，所述管底连接于所述管体的一端，并与所述管体围合形成一端开口的容纳腔；所述管体在所述开口一端的内径大于所述管体与所述管底相连的一端的内径；所述容纳腔的侧壁设有若干间隔排布的真空孔，所述真空孔用于与抽真空系统连通，以对所述容纳腔抽真空。
14、在本申请中通过设置成型装置中的成型模具包括管体和管底，由管底和管体围合形成一端开口的容纳腔，设置管体在开口一端的内径大于管体与管底相连的一端的内径，以便通过管体的结构限定所成型的石英内屏产品的结构，同时也便于成型产品的脱膜。并且，在容纳腔的侧壁设置若干间隔排布的真空孔，以便利用成型模具加工成型石英内屏过程中，可以通过真空孔对容纳腔抽真空，以排除石英原料中的微气泡，从而能够加工得到具有侧壁具有浑浊层的石英内屏。
15、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种石英内屏，其特征在于，石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有相对的第一开口和第二开口，所述中空型腔的侧壁设有浑浊层，所述浑浊层包含絮状物，所述絮状物的占比大于0，且小于或等于70％；
2.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述絮状物包括气泡集合体，所述气泡集合体中的气泡数量大于等于10；且相邻气泡的中心间距小于500μm；优选地，所述气泡的尺寸为50-500μm。
3.根据权利要求1-2任一项所述的石英内屏，其特征在于，所述中空型腔的侧壁还设有气泡层，所述气泡层设于所述浑浊层背离所述中空型腔的一侧。
4.根据权利要求3所述的石英内屏，其特征在于，所述浑浊层的厚度值为所述石英内屏的总壁厚度值的0.08％～71％；
5.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述中空型腔具有相对的第一开口和第二开口，所述第一开口的内径大于所述第二开口的内径，所述浑浊层在靠近所述第一开口处形成第一段，所述浑浊层在靠近所述第一开口处形成第二段，所述第一段的厚度大于所述第二段的厚度；
6.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于
7.一种石英内屏的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，所述调节所述电极棒的位置及加热功率，以对所述胚料层分步熔制成型包括：
9.根据权利要求8所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，沿所述容纳腔的腔口至腔底方向，所述成型模具包括依次连接的第一管体、第二管体和第三管体，所述第一管体的侧壁设有若干第一真空孔，所述第二管体和所述第三管体的侧壁设有若干第二真空孔，所述第一真空孔的孔径大于或等于所述第二真空孔的孔径；
10.根据权利要求7所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，所述向成型模具的容纳腔内加入石英砂原料，以在容纳腔的内壁形成胚料层，包括：
11.一种热屏，其特征在于，包括：外屏、保温层以及如权利要求1-6任一项所述的石英内屏；所述外屏设于所述石英内屏的外侧，所述外屏与所述石英内屏之间设有保温腔，所述保温层填充于所述保温腔内；
12.一种单晶炉热场，其特征在于，包括换热装置，以及如权利要求11所述的热屏，所述换热装置至少部分位于所述中空型腔内；
13.一种单晶炉，其特征在于，包括如权利要求12所述的单晶炉热场。
14.一种成型装置，其特征在于，包括：成型模具，所述成型模具包括管体和管底，所述管底连接于所述管体的一端，并与所述管体围合形成一端开口的容纳腔；所述管体在所述开口一端的内径大于所述管体与所述管底相连的一端的内径；所述容纳腔的侧壁设有若干间隔排布的真空孔，所述真空孔用于与抽真空系统连通，以对所述容纳腔抽真空。
15.根据权利要求14所述的成型装置，其特征在于，若干所述真空孔包括若干第一真空孔和若干第二真空孔，所述第一真空孔的孔径大于或等于所述第二真空孔的孔径；所述第一真空孔设于所述第二真空孔靠近所述开口的一侧。
16.根据权利要求15所述的成型装置，其特征在于，相邻两个所述第一真空孔之间的间距大于或等于相邻两个所述第二真空孔之间的间距；
17.根据权利要求14所述的成型装置，其特征在于，沿所述管体的中心线方向，若干所述真空孔间隔成排设置，且相邻两排所述真空孔错开；
...【技术特征摘要】
1.一种石英内屏，其特征在于，石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有相对的第一开口和第二开口，所述中空型腔的侧壁设有浑浊层，所述浑浊层包含絮状物，所述絮状物的占比大于0，且小于或等于70％；
2.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述絮状物包括气泡集合体，所述气泡集合体中的气泡数量大于等于10；且相邻气泡的中心间距小于500μm；优选地，所述气泡的尺寸为50-500μm。
3.根据权利要求1-2任一项所述的石英内屏，其特征在于，所述中空型腔的侧壁还设有气泡层，所述气泡层设于所述浑浊层背离所述中空型腔的一侧。
4.根据权利要求3所述的石英内屏，其特征在于，所述浑浊层的厚度值为所述石英内屏的总壁厚度值的0.08％～71％；
5.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述中空型腔具有相对的第一开口和第二开口，所述第一开口的内径大于所述第二开口的内径，所述浑浊层在靠近所述第一开口处形成第一段，所述浑浊层在靠近所述第一开口处形成第二段，所述第一段的厚度大于所述第二段的厚度；
6.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述石英内屏包括内缩段，所述内缩段沿所述第一开口到所述第二开口的方向内径逐渐减小；
7.一种石英内屏的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，所述调节所述电极棒的位置及加热功率，以对所述胚料层分步熔制成型包括：
9.根据权利要求8所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，沿所述容纳腔的腔口至腔底方向，所述成型模具包括依次连接的第一管体、第二管体和第三管体，所述第一管体的侧壁设有若干第一真空孔，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨雪鹏，罗永剑，孙继松，郭华盈，张鹏，梅富然，周洋，马江涛，李济和，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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