【技术实现步骤摘要】
本技术涉及vdmos，尤其是一种提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构。
技术介绍
1、vdmos是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的结构类型,它是一种功率mosfet，通常用于高压和高功率应用，如电源和电机驱动器，由于其垂直结构，vdmos具有较高的开关速度，适用于高频应用。
2、公告号为：cn202120094572.6的中国专利公开了一种提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构，该提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构包括基础组件和防护组件。所述基础组件包括vdmos器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述浪涌电压抑制器与所述vdmos器件本体电性连接。所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧。使用时，将浪涌电压抑制器由外壳顶部开口放入，浪涌电压抑制器两侧底部分别与两侧的限位板接触并带动限位板转动，将浪涌电压抑制器完全按入外壳内腔后，两个限位板在扭簧的作用下从两侧将浪涌电压抑制器底部夹紧，再通过锁紧件将顶盖固定到外壳上将开口封闭即完成组装。本技术结构稳定性强，浪涌电压抑制器易于拆装，提高了检修效率。
3、该专利实际使用时，存在以下缺陷：
4、该专利中，引脚安装时需要和保护套的顶口处一一对应才能将引脚插入保护套中，随后才能将vdmos器件整体向外壳内部按压安装，由于保护套的顶部开口在引脚向下插接时会被vdmos器件遮挡，不太好将引脚和保护套口对位，对位时需要使用一定的时间，因此会降低vdmos器件和防护组件之间的安装效率。
技术实现思路>
1、针对现有专利中，由于保护套的顶部开口在引脚向下插接时会被vdmos器件遮挡，不太好将引脚和保护套口对位，对位时需要使用一定的时间，因此会降低vdmos器件和防护组件之间的安装效率的技术问题，本技术提供一种提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构。
2、本技术所采用的技术方案是：一种提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构，包括vdmos器、防护壳、抗震层和l形防护盖，所述防护壳的内部装设有对位组件，所述对位组件包括升降板、棱锥形对位筒和复位弹簧，所述升降板的顶部开设有对位孔，所述棱锥形对位筒固定安装于所述升降板的底部，抗震层装设于防护壳的内部，起到一定的抗震缓冲的作用，能够对防护壳内部的vdmos器起到一定的防护作用，且vdmos器的下方装设有三个引脚，升降板上开设的对位孔数量为三个，且三个对位孔的位置和三个引脚相对应，棱锥形对位筒数量和对位筒相同且位置对应，复位弹簧的数量为四个，升降板顶部的一侧分别设置有两个，复位弹簧起到将升降板自动复位的作用，且复位弹簧处于原长时，升降板靠近防护壳顶部开口处。
3、进一步的是，所述防护壳内壁的两侧均开设有限位槽，所述升降板滑动安装于所述防护壳的内部，所述复位弹簧的一端固定安装于所述升降板顶部的一侧，且所述复位弹簧的另一端固定安装于所述限位槽内壁的顶部，每侧的限位槽数量为两个，四个复位弹簧分设在四个限位槽中，升降板的两侧均通过两个滑动轴滑动在限位槽中，能够限制升降板的垂直升降轨迹。
4、进一步的是，所述防护壳的底部开设有穿孔，所述防护壳的底部固定安装有防护套，所述防护壳顶部的两侧均开设有螺纹孔，所述l形防护盖通过合页铰接于所述防护壳的正面，穿孔和棱锥形对位筒的下方开口处对应，防护套起到将引脚保护的作用。
5、进一步的是，所述l形防护盖顶部的两侧均开设有凹槽，所述凹槽的内部螺纹连接有小螺杆，所述l形防护盖的内侧固定安装有两个夹持板，小螺杆将l形防护盖安装在防护壳的顶部时，顶部和l形防护盖顶部持平，小螺杆和螺纹孔之间旋接将l形防护盖安装固定在防护壳上使其封闭。
6、进一步的是，所述l形防护盖的内侧固定装设有u形限位条，所述u形限位条的两侧均开设有滑槽，且所述u形限位条的两侧均开设有卡孔，u形限位条的数量为两个，且分别设置在两个夹持板相离的一侧。
7、进一步的是，两个所述滑槽的内部之间滑动安装有网框，所述网框的外表面固定安装有u形条，u形条的尺寸略大于u形限位条，卡在u形限位条的外侧。
8、进一步的是，所述u形条内壁的两侧均固定装设有弹性球，所述网框的内部装设有吸湿剂，网框的外表面，且位于u形条的下方固定有拉扯条，便于将网框抽出u形限位条，弹性球通过自身弹力以及复原能力卡在卡孔中，起到将网框限位的作用。
9、本技术的有益效果是：与现有技术相比，本技术中，通过设置的棱锥形对位筒将vdmos器的引脚牵引滑入棱锥形对位筒底部开口中，此时引脚和穿孔以及防护套一一对应，有助于提高引脚和穿孔以及防护套对位的效率，从而帮助提高vdmos器和防护壳之间的安装效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，包括VDMOS器(1)、防护壳(2)、抗震层(3)和L形防护盖(4)，所述防护壳(2)的内部装设有对位组件(5)，所述对位组件(5)包括升降板(501)、棱锥形对位筒(502)和复位弹簧(503)，所述升降板(501)的顶部开设有对位孔(504)，所述棱锥形对位筒(502)固定安装于所述升降板(501)的底部。
2.根据权利要求1所述的一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述防护壳(2)内壁的两侧均开设有限位槽(6)，所述升降板(501)滑动安装于所述防护壳(2)的内部，所述复位弹簧(503)的一端固定安装于所述升降板(501)顶部的一侧，且所述复位弹簧(503)的另一端固定安装于所述限位槽(6)内壁的顶部。
3.根据权利要求1所述的一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述防护壳(2)的底部开设有穿孔(7)，所述防护壳(2)的底部固定安装有防护套(8)，所述防护壳(2)顶部的两侧均开设有螺纹孔(9)，所述L形防护盖(4)通过合页铰接于所述防护壳(2)的正面。
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