【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、半导体设备加工工艺可包含高深宽比结构的蚀刻。例如，三维存储器结构的加工包含通过蚀刻以形成高深宽比通道孔。
技术实现思路
1、公开了关于沉积碳掩模以使经部分蚀刻的掩模变厚的示例。一示例提供了一种方法，其包含在衬底上形成掩模层、以及蚀刻该衬底以部分地形成一或更多个经蚀刻的特征，对该衬底的蚀刻还引起对该掩模层的蚀刻。该方法还包含，在蚀刻该一或更多个经蚀刻的特征的一部分之后但在完成该一或更多个经蚀刻的特征的蚀刻之前，通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)，在该掩模层上沉积碳掩模。
2、替代地或附加地，在某些这样的示例中，在所述掩模层上沉积所述碳掩模包含：形成包含含碳化合物、氩和分子氮的等离子体。
3、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述含碳化合物包含烷、烯、或炔中的一或更多者。
4、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述含碳化合物包含环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
5、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述等离子体包含较高频率射频功率成分以及较低频率射频功率成分，所述较低频率射频功率成分包含比所述较高频率射频功率成分低的频率。
6、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述等离子体还包含氢源。
7、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述方法还包含将所述衬底加热至在摄氏100至690度的范围内的温度。
8、替代地或附加地，在某些这样的
9、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述衬底包含在三维nand存储器加工工艺中的衬底、在三维nor存储器加工工艺中的衬底、或在三维动态随机存取存储器(dram)加工工艺中的衬底。
10、替代地或附加地，在某些这样的示例中，在单一沉积步骤中沉积所述碳掩模。
11、另一示例提供了一种方法，其包含：获得衬底，所述衬底包含一或更多个经蚀刻的特征以及经部分蚀刻的掩模层；以及使所述衬底暴露于包含含碳化合物与惰性气体的等离子体，以在不使用图案化步骤的情况下，将碳掩模沉积在所述经部分蚀刻的掩模层上。
12、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述等离子体还包含氢源。
13、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述含碳化合物包含烷、烯、炔、环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
14、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述惰性气体包含氩。
15、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述等离子体包含较高频率射频能量成分和较低频率射频能量成分，所述较低频率射频能量成分具有比所述较高频率射频能量成分低的频率。
16、另一示例提供了一种处理工具。所述处理工具包含处理室。所述处理工具还包含衬底支撑件，其被配置在所述处理室内。所述处理工具还包含衬底加热器，其被配置在所述处理室内。所述处理工具还包含喷头，其被配置在所述处理室内。所述处理工具还包含射频电源，其被设置成将射频功率供应至所述喷头或所述衬底支撑件。所述处理工具还包含流量控制硬件，其被设置成控制从含碳化合物源和惰性气体源通过所述喷头而进入到所述处理室中的气体流量。所述处理工具还包含控制器，其能操作地耦合至所述流量控制硬件以及所述衬底加热器。所述控制器被设置成：操作所述衬底加热器，以加热被配置在所述处理室中的衬底。所述控制器还被设置成：操作所述流量控制硬件，以将来自所述含碳化合物源的含碳化合物气体导入到所述处理室中。所述控制器还被设置成：操作所述流量控制硬件，以将来自所述惰性气体源的惰性气体导入到所述处理室中。所述控制器还被设置成：操作所述射频电源，以供应较低频率射频能量成分和较高频率射频能量成分以形成包含所述含碳化合物气体与所述惰性气体的等离子体，从而在不使用图案化步骤的情况下，使碳掩模生长在经部分蚀刻的掩模上，所述较低频率射频能量成分包含比所述较高频率射频能量成分低的频率。
17、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述第一射频能量成分包含在500-2500w的范围内的功率，而所述第二射频能量成分包含在800-2500w的范围内的功率。
18、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述处理工具还包含所述含碳化合物源，其中所述含碳化合物源包含烷、烯、炔、环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
19、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述含碳化合物源包含乙炔。
20、替代地或附加地，在某些这样的示例中，所述处理工具还包含所述惰性气体源，其中所述惰性气体包含氩。
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1.一种方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述掩模层上沉积所述碳掩模包含：形成包含含碳化合物、氩和分子氮的等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳化合物包含烷、烯、或炔中的一或更多者。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳化合物包含环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体包含较高频率射频功率成分以及较低频率射频功率成分，所述较低频率射频功率成分包含比所述较高频率射频功率成分低的频率。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体还包含氢源。
7.根据权利要求1所述的方法，其还包含将所述衬底加热至在摄氏100至690度的范围内的温度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在不使用图案化步骤的情况下，沉积所述碳掩模。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含在三维NAND存储器加工工艺中的衬底、在三维NOR存储器加工工艺中的衬底、或在三维动态随机存取存储器(DR
10.根据权利要求1所述的方法，其中在单一沉积步骤中沉积所述碳掩模。
11.一种方法，其包含：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述等离子体还包含氢源。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述含碳化合物包含烷、烯、炔、环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述惰性气体包含氩。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述等离子体包含较高频率射频能量成分和较低频率射频能量成分，所述较低频率射频能量成分具有比所述较高频率射频能量成分低的频率。
16.一种处理工具，其包含：
17.根据权利要求16所述的处理工具，其中所述较低频率射频能量成分包含在500-2500W的范围内的功率，而所述较高频率射频能量成分包含在800-2500W的范围内的功率。
18.根据权利要求16所述的处理工具，其还包含所述含碳化合物源，其中所述含碳化合物源包含烷、烯、炔、环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
19.根据权利要求18所述的处理工具，其中所述含碳化合物源包含乙炔。
20.根据权利要求16所述的处理工具，其还包含所述惰性气体源，其中所述惰性气体包含氩。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述掩模层上沉积所述碳掩模包含：形成包含含碳化合物、氩和分子氮的等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳化合物包含烷、烯、或炔中的一或更多者。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳化合物包含环状烃、芳香族化合物、醇、醛、酯、醚、酮、烷基卤化物、或烷基胺中的一或更多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体包含较高频率射频功率成分以及较低频率射频功率成分，所述较低频率射频功率成分包含比所述较高频率射频功率成分低的频率。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体还包含氢源。
7.根据权利要求1所述的方法，其还包含将所述衬底加热至在摄氏100至690度的范围内的温度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在不使用图案化步骤的情况下，沉积所述碳掩模。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含在三维nand存储器加工工艺中的衬底、在三维nor存储器加工工艺中的衬底、或在三维动态随机存取存储器(dram)加工工艺中的衬底。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在单一沉积步骤中沉积所述碳掩模。
【专利技术属性】
技术研发人员：丹妮拉·安乔斯里格斯比，卡普·瑟里什·雷迪，托德·施罗德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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