具有导电导热基板的发光二极管制造方法及其结构技术

本发明专利技术是有关于一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法及其结构。该制造方法包括以下步骤：提供一第一基板；形成一发光磊晶层于该第一基板上；结合一第二基板于该发光磊晶层的第一表面上；移除该第一基板；以及形成一电极。该具有导电导热基板的发光二极管结构包括：一第二基板；一发光磊晶层；以及一电极。本发明专利技术由于使用具有高导热系数的导热绝缘基材，因此发光二极管出光时所产生的热可有效排除，达到稳定出光品质的功效；并且由于使用非金属的导热绝缘基材，所以可降低发光二极管的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法及其结构， 特别是涉及一种应用于使用可导电及导热基板的发光二极管制造方法及其 结构。
技术介绍
现有习知使用蓝宝石基板的发光二极管，由于蓝宝石基板的导热效果 差，使得发光二极管在出光时所产生的热无法有效排除，因此降低了发光二 极管的出光效率，并且缩短了发光二极管使用寿命。且蓝宝石基板具有不 导电的特性，因此容易产生静电累积的问题。如中国台湾专利第1224876号「形成具有金属基板的发光二极管的制 造方法」中所揭露的制造方法，其包括下列步骤:提供一暂时基板;依序形成 一发光二极管磊晶层及一第一电极层于暂时基板上；形成一金属永久基板 于第一电极层上；移除暂时基板，使发光二极管磊晶层的一表面露出；形成 多数个第二电极层于发光二极管磊晶层的表面；以及切割金属永久基板、第 一电极层及发光二极管磊晶层，以形成多数个发光二极管。上述的前案是利用金属永久基板取代蓝宝石基板，用以改善导热不良 的问题及达到抗静电的功效，然而金属永久基板是以金属材料制作的，虽然 可以帮助导热，然而却也提高了发光二极管的制作成本。由此可见，上述现有的形成具有金属基板的发光二极管的制造方法在 制造方法、产品结构及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进 一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之 道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般制造方法及产品又 没有适切的方法及结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的 问题。因此如何能创设一种新的具有导电导热基板的发光二极管制造方法 及其结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的形成具有金属基板的发光二极管的制造方法存在的 缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知 识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的具有导电导 热基板的发光二极管制造方法及其结构，能够改进一般现有的形成具有金 属基板的发光二极管的制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设 计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的形成具有金属基板的发光二极管的制 造方法存在的缺陷，而提供一种新的具有导电导热基板的发光二极管制造 方法及其结构，所要解决的技术问题是使其藉由使用具有局部导电的非金 属且具有高导热系数的导热绝缘基材，除可以帮助发光二极管有效散热之 外，也可以降低制作成本，非常适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有的形成具有金属基板的发光二极管 的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的具有导电导热基板的发光二极管 制造方法及其结构，所要解决的技术问题是使其在导热绝缘基材中设置有 导电部，因此在封装时，可通过金属层及导电部与导线支架电性相连，进一 步可以达到热电分离的功效，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本专利技术提出的一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其包括以下步骤提供一第一基板；形成一发光磊晶层于该第一基板上，其是具有一 第一表面及一第二表面；结合一第二基板于该第一表面上，又该第二基板 是具有 一导热绝缘基材； 一第一金属层及一第二金属层，其是分别形成 于该导热绝缘基材的两侧面，且该第一金属层是与该第一表面结合；以及 一导电部，其是形成于该导热绝缘基材，且分别与该第一金属层及该第二 金属层导电相连；移除该第一基板，其是自该第二表面被移除；以及形成一 电极，其是形成于该第二表面上。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的第一基 板为一蓝宝石基板。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的发光磊 晶层是依序由一 n型半导体层、 一主动层及一 p型半导体层所堆叠组成。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的第一金 属层的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡合金的金属。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的导热绝 缘基材为一氮化铝基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的导热绝 缘基材为一陶瓷基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的导热绝 缘基材为 一碳化硅基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的第二金 属层的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡合金的金属。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的导电部 是由至少一导电通道所构成。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的导电部 是由至少一金属膜所构成。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的移除该 第一基板的步骤所使用的方法是选自于激光掀离、湿式蚀刻法、化学抛光 法或其组合。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的电极为 一透明电极。前述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其中所述的电极为 一金属电极。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种具有导电导热基板的发光二极管结构，其包括 一第二基 板，其是具有 一导热绝缘基材； 一第一金属层及一第二金属层，其是分别 形成于该导热绝缘基材的两侧面；以及一导电部，其是形成于该导热绝缘基 材，且分别与该第一金属层及该第二金属层导电相连； 一发光磊晶层，其是 具有 一第一表面及一第二表面，又该第一表面是与该第一金属层结合；以 及一电极，其是设置于该第二表面上。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的导热绝缘基 材为一氮化铝基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的导热绝缘基 材为一陶瓷基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的导热绝缘基 材为一碳化硅基材。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的第一金属层 的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡合金的金属。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的第二金属层 的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡合金的金属。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的第二金属层 是由多数个金属板所形成。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的导电部是由 至少一导电通道所构成。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的导电部是由 至少一金属膜所构成。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的发光磊晶层是依序由一 n型半导体层、 一主动层及一 p型半导体层所堆叠组成。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的电极为一透 明电极。前述的具有导电导热基板的发光二极管结构，其中所述的电极为一金 属电极。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案 可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下为达到上述目的，本专利技术提供了一种具有导电导热基板的发光二极管 制造方法，其包括下列步骤提供一第一基板；形成一发光磊晶层于第一 基板上，其是具有一第一表面及一第二表面；结合一第二基板于第一表面 上，第二基板是具有 一导热绝缘基材； 一第一金属层及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其特征在于其包括以下步骤：　提供一第一基板；　形成一发光磊晶层于该第一基板上，其是具有一第一表面及一第二表面；　结合一第二基板于该第一表面上，又该第二基板是具有：一导热绝缘基材；一 第一金属层及一第二金属层，其是分别形成于该导热绝缘基材的两侧面，且该第一金属层是与该第一表面结合；以及一导电部，其是形成于该导热绝缘基材，且分别与该第一金属层及该第二金属层导电相连；　移除该第一基板，其是自该第二表面被移除；以及　 　形成一电极，其是形成于该第二表面上。

【技术特征摘要】
1、一种具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其特征在于其包括以下步骤提供一第一基板；形成一发光磊晶层于该第一基板上，其是具有一第一表面及一第二表面；结合一第二基板于该第一表面上，又该第二基板是具有一导热绝缘基材；一第一金属层及一第二金属层，其是分别形成于该导热绝缘基材的两侧面，且该第一金属层是与该第一表面结合；以及一导电部，其是形成于该导热绝缘基材，且分别与该第一金属层及该第二金属层导电相连；移除该第一基板，其是自该第二表面被移除；以及形成一电极，其是形成于该第二表面上。2、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的第 一基板为 一蓝宝石基板。3、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的发光磊晶层是依序由一 n型半导体层、 一主动层及 一 p型半导体层所堆叠组成。4、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的第一金属层的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡 合金的金属。5、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的导热绝缘基材为 一 氮化铝基材。6、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的导热绝缘基材为 一 陶瓷基材。7、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的导热绝缘基材为 一碳化硅基材。8、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的第二金属层的材质为一铝金属、 一锡金属或一铝锡 合金的金属。9、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的导电部是由至少一导电通道所构成。10、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的导电部是由至少一金属膜所构成。11、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法， 其特征在于其中所述的移除该第一基板的步骤所使用的方法是选自于激光掀离、湿式蚀刻法、化学抛光法或其组合。12、 根据权利要求1所述的具有导电导热基板的发光二极管制造方法，其特征在于其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭源，
申请(专利权)人：钜亨电子材料元件有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]