【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能发电，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、太阳能电池也叫太阳能电池板，是光伏发电系统的核心部分之一，主要由光伏电池片、互联条、汇流条、光伏玻璃、胶膜、背板、铝边框以及接线盒等组成。其中，光伏电池片是发电的核心部件，互联条用于连接电池片，汇流条用于收集电流，光伏玻璃起到保护电池片的作用，胶膜用于绝缘、防潮、抗紫外线和耐腐蚀，背板位于组件背面，对电池片起保护和支撑作用，铝边框用于保护组件，便于安装，接线盒用于连接外部电路。
2、为提高光电转换效率，太阳能电池还设置有减反射膜，用于减少太阳光的反射，提高太阳能电池的光吸收率，从而提高太阳能电池的发电效率。但是，现有太阳能电池的减反射膜的减反射效果不佳，钝化效果差，限制了太阳能电池的发电效率。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，旨在解决现有的太阳能电池的减反射膜的减反射效果不佳，钝化效果差，限制了太阳能电池的发电效率的问题。
2、本专利技术实施例是这样实现的，一种太阳能电池，包括由向光侧至背光侧依次设置的第一减反射膜、第一钝化膜、第一导电类型区域、半导体基板、第二导电类型区域和第二钝化膜；
3、第一减反射膜包括沿由靠近半导体基板向远离半导体基板的方向依次分布的至少一层氮化硅层、至少一层氮氧化硅层以及一层氧化硅层。
4、进一步地，氧化硅层和氮化硅层之间设置有两层氮氧化硅层。
5、进一步地，氮氧化硅层远离氧化硅层的一侧设置
6、进一步地，氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层的折射率依次降低。
7、进一步地，在由靠近半导体基板向远离半导体基板的方向上，两层氮氧化硅层的折射率依次降低。
8、进一步地，在由靠近半导体基板向远离半导体基板的方向上，三层氮化硅层到的折射率依次降低。
9、进一步地，第一减反射膜还设置在第二钝化膜远离第二导电类型区域的一侧面。
10、进一步地，太阳能电池还包括第一隧穿层，第一隧穿层设置在第一导电类型区域和半导体基板之间。
11、进一步地，太阳能电池还包括第二隧穿层，第二隧穿层设置在第二导电类型区域和半导体基板之间。
12、进一步地，太阳能电池还包括第三掺杂层，第三掺杂层设置在半导体基板和第一隧穿层之间。
13、进一步地，太阳能电池还包括第四掺杂层，第四掺杂层设置在半导体基板和第二隧穿层之间。
14、进一步地，太阳能电池还包括第一电极和第二电极，第一电极与第一导电类型区域连接，第二电极与第二导电类型区域连接。
15、进一步地，第一钝化膜和/或第二钝化膜为氧化铝。
16、进一步地，第一隧穿层和第二隧穿层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅中的至少一种。
17、第二方面，本申请还提供一种光伏组件，包括如上述的太阳能电池。
18、本申请的有益效果在于，本申请的太阳能电池包括由向光侧至背光侧依次设置的第一减反射膜、第一钝化膜、第一导电类型区域、半导体基板、第二导电类型区域和第二钝化膜，其中，第一减反射膜包括至少一层氮化硅层、至少一层氮氧化硅层以及一层氧化硅层，氮化硅层、氮氧化硅层以及氧化硅层沿由靠近半导体基板向远离半导体基板的方向依次分布，通过上述设置，钝化效果好，能有效减少光反射，增加光吸收，提高发电效率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括由向光侧至背光侧依次设置的第一减反射膜、第一钝化膜、第一导电类型区域、半导体基板、第二导电类型区域和第二钝化膜；
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层和所述氮化硅层之间设置有两层所述氮氧化硅层。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮氧化硅层远离所述氧化硅层的一侧设置有三层所述氮化硅层。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层、所述氮氧化硅层和所述氧化硅层的折射率依次降低。
5.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在由靠近所述半导体基板向远离所述半导体基板的方向上，两层所述氮氧化硅层的折射率依次降低。
6.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在由靠近所述半导体基板向远离所述半导体基板的方向上，三层所述氮化硅层的折射率依次降低。
7.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反射膜还设置在所述第二钝化膜远离所述第二导电类型区域的一侧面。
8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特
9.如权利要求1或8所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第二隧穿层，所述第二隧穿层设置在所述第二导电类型区域和所述半导体基板之间。
10.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第三掺杂层，所述第三掺杂层设置在所述半导体基板和所述第一隧穿层之间。
11.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第四掺杂层，所述第四掺杂层设置在所述半导体基板和所述第二隧穿层之间。
12.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电类型区域连接，所述第二电极与所述第二导电类型区域连接。
13.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化膜和/或所述第二钝化膜为氧化铝。
14.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层和所述第二隧穿层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅中的至少一种。
15.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1至14中任一项所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括由向光侧至背光侧依次设置的第一减反射膜、第一钝化膜、第一导电类型区域、半导体基板、第二导电类型区域和第二钝化膜；
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层和所述氮化硅层之间设置有两层所述氮氧化硅层。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮氧化硅层远离所述氧化硅层的一侧设置有三层所述氮化硅层。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层、所述氮氧化硅层和所述氧化硅层的折射率依次降低。
5.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在由靠近所述半导体基板向远离所述半导体基板的方向上，两层所述氮氧化硅层的折射率依次降低。
6.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在由靠近所述半导体基板向远离所述半导体基板的方向上，三层所述氮化硅层的折射率依次降低。
7.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反射膜还设置在所述第二钝化膜远离所述第二导电类型区域的一侧面。
8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一隧穿层，所述第一隧穿层设置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：董海英，孙勤康，卢翠，黎景宇，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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