【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、自选通存储器(selector only memory，som)具有结构简单易小型化、深宽比低易蚀刻、无热量干扰问题、读写干扰较低等优点。
2、相关技术中，选择器(ots)作为自选通存储器中的关键膜层，通常在选择器侧壁设置隔离层以阻挡其他介质和选择器接触，但是，由于在形成隔离结构之前，会对选择器底部的导电层(即字线)进行刻蚀，在该刻蚀过程中容易损伤到选择器的侧壁，从而降低了自选通存储器的性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。
2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：
3、提供基底；所述基底包括初始第一导电结构，以及位于所述初始第一导电结构表面、沿第一方向排列、且沿第二方向延伸的多个初始选择结构；
4、在所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁上形成初始保护层；
5、刻蚀所述初始第一导电结构，形成位于所述初始选择结构下方的第一导电结构。
6、在一些实施例中，所述基底还包括位于所述初始选择结构之上、沿所述第一方向排列、且沿所述第二方向延伸的第一掩膜结构，所述第一掩膜结构与所述初始选择结构一一对应；所述方法包括：
7、形成同时覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁和第一掩膜结构沿所述第一方向的侧壁的所述初始保护层。
8、在一些实施例中，在所述初始选择结
9、在所述初始选择结构之上形成覆盖所述初始选择结构和所述初始第一导电结构的初始保护结构；
10、刻蚀所述初始保护结构，形成覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向侧壁的所述初始保护层。
11、在一些实施例中，所述初始选择结构包括依次堆叠的初始底部电极、初始选择器和初始顶部电极；形成同时覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁和第一掩膜结构沿所述第一方向的侧壁的所述初始保护层，包括：
12、形成包覆第一掩膜结构、所述初始顶部电极、所述初始选择器和所述初始底部电极，且覆盖所述初始第一导电结构的初始保护结构；
13、刻蚀所述初始保护结构，保留覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向侧壁和所述第一掩膜结构沿所述第一方向侧壁的初始保护结构，形成所述初始保护层。
14、在一些实施例中，在形成所述第一导电结构之后，所述方法还包括：
15、湿法清洗去除刻蚀过程中的杂质；
16、在所述初始保护层和所述第一导电结构沿所述第一方向的侧壁，形成初始隔离结构。
17、在一些实施例中，在形成所述初始隔离结构之后，所述方法还包括：
18、刻蚀所述初始选择结构、所述初始保护层和所述初始隔离结构，形成沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的选择结构、位于所述选择结构沿所述第一方向侧壁的保护层，以及位于所述保护层和所述第一导电结构沿所述第一方向侧壁的隔离结构。
19、在一些实施例中，所述方法还包括：
20、形成与所述选择结构顶表面连接的第二导电结构；所述第二导电结构沿所述第一方向延伸、且沿所述第二方向排列。
21、第二方面，本公开提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
22、阵列排布的选择结构；
23、位于所述选择结构底部、沿第一方向排列、且沿第二方向延伸的第一导电结构；
24、覆盖所述选择结构沿所述第一方向侧壁的保护层；以及，
25、覆盖所述保护层和所述第一导电结构沿所述第一方向侧壁的隔离结构。
26、在一些实施例中，所述选择结构包括选择器、以及位于所述选择器底表面的底部电极和顶表面的顶部电极；所述保护层延伸至覆盖所述底部电极沿所述第一方向的侧壁和所述顶部电极沿所述第一方向的侧壁。
27、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
28、与所述顶部电极连接的第二导电结构；所述第二导电结构沿所述第二方向排列、且沿所述第一方向延伸。
29、本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法；其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底；所述基底包括初始第一导电结构，以及位于所述初始第一导电结构表面、沿第一方向排列、且沿第二方向延伸的多个初始选择结构；在所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁上形成初始保护层；刻蚀所述初始第一导电结构，形成位于所述初始选择结构下方的第一导电结构。由于在初始选择结构的侧壁形成初始保护层，从而能够有效阻挡大气环境和后续湿法清洗工艺中的不利因素对初始选择结构侧壁的损伤，进而保证了后续形成选择结构的完整性，提高了半导体结构的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述初始选择结构之上、沿所述第一方向排列、且沿所述第二方向延伸的第一掩膜结构，所述第一掩膜结构与所述初始选择结构一一对应；所述方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，在所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁上形成初始保护层，包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述初始选择结构包括依次堆叠的初始底部电极、初始选择器和初始顶部电极；形成同时覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁和第一掩膜结构沿所述第一方向的侧壁的所述初始保护层，包括：
5.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一导电结构之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在形成所述初始隔离结构之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述初始选择结构之上、沿所述第一方向排列、且沿所述第二方向延伸的第一掩膜结构，所述第一掩膜结构与所述初始选择结构一一对应；所述方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，在所述初始选择结构沿所述第一方向的侧壁上形成初始保护层，包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述初始选择结构包括依次堆叠的初始底部电极、初始选择器和初始顶部电极；形成同时覆盖所述初始选择结构沿所述第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：高健，石俊，晏昌杰，常庆环，王猛，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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