System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法技术_技高网

控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法技术

技术编号:42528432 阅读:13 留言:0更新日期:2024-08-27 19:37
本发明专利技术提供控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,涉及多线切割技术领域,在多线切割的过程中,根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度,减小切割晶锭热膨胀量,控制夹紧装置的在X轴、Y轴、ZY轴合成方向的位移,使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于多线切割,具体涉及一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法


技术介绍

1、随着12英寸晶圆在国内市场的使用和热度的提升,在晶圆加工过程中,晶锭加工成硅片制程显得尤为重要。目前国际通用的方法是使用多线切割设备,通过砂浆与钢线的共同作用,将晶锭加工成硅片。在切割过程中通过调整钢线的张力,钢线的速度,进退线的比值,砂浆的温度、砂浆流量,主辊轴的槽距等参数对硅片的厚度、ttv等进行控制,通过上述工艺参数调整虽然能够改善一些硅片的形貌,但是随着人们对硅片的平整度和翘曲精度提出了更高的要求,提高晶圆切片过程中发生的翘曲和晶圆切片过程中的纳米形貌的精度是一项重要任务,因为它们影响晶圆的最终质量。

2、多线切割机在硅片切割时可以同时加工450枚300mm的晶圆,在切片时,受到主辊的热膨胀,砂浆的冲击力,会导致450枚硅片的proflie不同,存在较大的差异。现有技术中,如申请号为:202011399035.9的中国专利技术公开了研磨砂轮及研磨设备,研磨过程中通过机械摩擦能、化学能、热能的综合作用对硅片表面进行去除减薄,能够减少对硅片表面的损伤,减少产品表面粗糙度,减少磨轮印,提高表面纳米形貌,从而提高产品质量。虽然后道工序对硅片进行研磨处理能够降低切片过程硅片波对纳米型貌的影响,但不能改变硅片形貌对纳米型貌的影响,因此,需要探究一种在多线切割过程中,控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法。

2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:

3、一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,在多线切割的过程中,根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度,减小切割晶锭及夹紧装置的热膨胀量,使得切割后得到的整批次的proflie相同。

4、优选地,所述夹紧装置的温度按照预定温度曲线控制,所述预定温度曲线随着切割深度的增加呈倒梯形状。

5、优选地,所述预定温度曲线的温度变化范围为:15℃~21℃。

6、优选地,所述切割深度从0切割至35%~40%时,夹紧装置温度均匀降低,所述切割深度从35%~40%切割至60%~70%时,夹紧装置温度不变,所述切割深度从60%~70%切割至100%时,夹紧装置温度均匀升高。

7、优选地,所述砂浆类型为水性砂浆液。

8、优选地,所述砂浆液由切割液与碳化硅配置而成,所述切割液与碳化硅的比例为1:1~1.5。

9、优选地,所述碳化硅的粒径为1100目~1300目。

10、优选地,所述砂浆液的ph为6.5~7.5。

11、优选地,所述砂浆液密度为1.525±0.15g/cm³,所述砂浆液粘度为330±50mpa.s。

12、优选地,所述多线切割过程中,机架温度为18℃~20℃,钢丝导轮温度为17℃~19℃。

13、与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于:

14、本专利技术控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,在多线切割的过程中,根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度,减小切割晶锭热膨胀量,控制夹紧装置的在x轴、y轴、zy轴合成方向的位移,使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。

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【技术保护点】

1.一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于,在多线切割的过程中,根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度,减小切割晶锭及夹紧装置的热膨胀量,使得切割后得到的整批次的proflie相同。

2.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述夹紧装置的温度按照预定温度曲线控制,所述预定温度曲线随着切割深度的增加呈倒梯形状。

3.如权利要求2所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述预定温度曲线的温度变化范围为:15℃~21℃。

4.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述切割深度从0切割至35%~40%时,夹紧装置温度均匀降低,所述切割深度从35%~40%切割至60%~70%时,夹紧装置温度不变,所述切割深度从60%~70%切割至100%时,夹紧装置温度均匀升高。

5.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述砂浆类型为水性砂浆液。

6.如权利要求5所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述砂浆液由切割液与碳化硅配置而成,所述切割液与碳化硅的比例为1:1~1.5。

7.如权利要求6所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述碳化硅的粒径为1100目~1300目。

8.如权利要求6所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述砂浆液的pH为6.5~7.5。

9.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述砂浆液密度为1.525±0.15g/cm³,所述砂浆液粘度为330±50mPa.s。

10.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述多线切割过程中,机架温度为18℃~20℃,钢丝导轮温度为17℃~19℃。

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【技术特征摘要】

1.一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于,在多线切割的过程中,根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度,减小切割晶锭及夹紧装置的热膨胀量,使得切割后得到的整批次的proflie相同。

2.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述夹紧装置的温度按照预定温度曲线控制,所述预定温度曲线随着切割深度的增加呈倒梯形状。

3.如权利要求2所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述预定温度曲线的温度变化范围为:15℃~21℃。

4.如权利要求1所述的控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法,其特征在于:所述切割深度从0切割至35%~40%时,夹紧装置温度均匀降低,所述切割深度从35%~40%切割至60%~70%时,夹紧装置温度不变,所述切割深度从60%~70%切割至100%时,夹紧装置温度均匀升高。

5.如权利要求1所述的控制30...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵延祥芮阳王黎光熊欢程博白玉史小峰王忠保
申请(专利权)人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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