光学防伪元件及其制备方法和防伪产品技术

技术编号：42525084 阅读：11 留言：0更新日期：2024-08-27 19:35

本发明专利技术提供了一种光学防伪元件及其制备方法和防伪产品。光学防伪元件包括：基材；微图像层，微图像层设置在基材的一侧；透明层，透明层设置在微图像层远离基材一侧；采样合成层，采样合成层设置在透明层远离微图像层的一侧，其中，至少一个方向上基材的变形量小于透明层的变形量。本发明专利技术解决了现有技术中光学防伪元件存在成品率低的问题。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学防伪设备，具体而言，涉及一种光学防伪元件及其制备方法和防伪产品。

技术介绍

1、为了防止利用扫描和复印等手段产生的伪造，钞票、证卡和产品包装等各类高安全或高附加值印刷品中广泛采用了光学防伪技术，并且取得了非常好的效果。

2、cn1271106、cn1552589、《properties of moire magnifiers》(opticalengineering 37(11)3007-3014)(《莫尔放大镜的特性》(光学工程37(11)3007-3014))、《微透镜列阵显示技术研究》(微纳电子技术2003年第6期)等文献或专利中公开了同一类在基材的两个表面上分别带有微透镜阵列和微图文阵列的微光学元件，其中，微图文阵列位于微透镜阵列的焦平面附近，通过微透镜阵列对微图文阵列的莫尔放大作用来再现具有一定景深或呈现动态效果的图案。

3、然而，特别是在钞票等高防伪产品的实际应用中，需要这类微光学元件的整体厚度足够薄，例如小于50μm。这就要求在正反两面分别承载微透镜阵列和微图文阵列的透明层或间隔层，在满足聚焦条件的同时，必须足够薄，例如小于40μm。为此，在现有技术中均采用在该间隔层两面依次加工微透镜阵列和微图文阵列的方式，但由于间隔层过于薄，热变形等因素会使间隔层在整个加工过程中不可避免的产生宏观或微观的拉伸错位与旋转错位，这使得此类微光学元件的批量生产难度过高，成品率低，成本较高，成品质量较差，阻挡了此类微光学元件在钞票等高防伪产品及高端商业防伪领域的广泛应用。

4、一些现有

5、也就是说，现有技术中光学防伪元件存在成品率低的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种光学防伪元件及其制备方法和防伪产品，以解决现有技术中光学防伪元件存在成品率低的问题。

2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种光学防伪元件，包括：基材；微图像层，微图像层设置在基材的一侧；透明层，透明层设置在微图像层远离基材一侧；采样合成层，采样合成层设置在透明层远离微图像层的一侧，其中，至少一个方向上基材的变形量小于透明层的变形量。

3、进一步地，基材厚度大于20微米。

4、进一步地，透明层厚度大于5微米且小于30微米。

5、进一步地，基材的厚度大于透明层的厚度。

6、进一步地，光学防伪元件还包括剥离层，剥离层设置在基材层与微图像层之间。

7、进一步地，光学防伪元件还包括粘合层，粘合层设置在透明层和微图像层之间；和/或粘合层设置在透明层和采样合成层之间。

8、进一步地，采样合成层为微透镜阵列层。

9、进一步地，微透镜阵列层为球面微透镜阵列层或柱面微透镜阵列层。

10、进一步地，采样合成层的微透镜和微图像层的微图像的排列周期大于10微米且小于200微米。

11、进一步地，采样合成层的微透镜和微图像层的微图像的排列周期大于15微米且小于50微米。

12、进一步地，采样合成层的加工深度小于15微米；和/或透明层的厚度与采样合成层的焦距之差小于3微米。

13、进一步地，采样合成层的加工深度大于0.5微米且小于10微米；和/或透明层的厚度与采样合成层的焦距之差小于1微米。

14、进一步地，光学防伪元件还包括镀层，镀层设置在采样合成层上。

15、进一步地，镀层为单层镀层，单层镀层包括金属反射层、半导体材料层、介质层中的至少一种。

16、进一步地，镀层为多层镀层，多层镀层形成法布里-泊罗谐振腔。

17、进一步地，多层镀层包括吸收层、介质层和反射层中的至少两种；或多层镀层由多层介质层组成。

18、进一步地，镀层具有镂空图案。

19、进一步地，微图像层由具有镂空结构的单层层结构或多层层结构形成。

20、进一步地，微图像层由光学微结构及覆盖在光学微结构上的单层层结构或多层层结构形成。

21、进一步地，微图像层由微印刷结构形成。

22、进一步地，微图像层具有凹陷或空穴，凹陷或空穴中填充有油墨、金属、颜料、染料中的至少一种。

23、根据本专利技术的另一方面，提供了一种光学防伪元件，包括：基材；定形层，定形层设置在基材的一侧；采样合成层，采样合成层设置在定形层远离基材的一侧；透明层，透明层设置在采样合成层远离定形层的一侧；微图像层，微图像层设置在透明层远离采样合成层的一侧；其中，至少一个方向上基材的变形量小于透明层的变形量。

24、进一步地，基材厚度大于20微米。

25、进一步地，透明层厚度大于5微米且小于30微米。

26、进一步地，基材的厚度大于透明层的厚度。

27、进一步地，光学防伪元件还包括剥离层，剥离层设置在基材和定形层之间；和/或剥离层设置在定形层和采样合成层之间。

28、进一步地，光学防伪元件还包括粘合层，粘合层设置在透明层和微图像层之间；和/或粘合层设置在透明层和采样合成层之间。

29、进一步地，采样合成层为微透镜阵列层。

30、进一步地，微透镜阵列层为球面微透镜阵列层或柱面微透镜阵列层。

31、进一步地，采样合成层的微透镜和微图像层的微图像的排列周期大于10微米且小于200微米。

32、进一步地，采样合成层的微透镜和微图像层的微图像的排列周期大于15微米且小于50微米。

33、进一步地，采样合成层的加工深度小于15微米；和/或透明层的厚度与采样合成层的焦距之差小于3微米。

34、进一步地，采样合成层的加工深度大于0.5微米且小于10微米；和/或透明层的厚度与采样合成层的焦距之差小于1微米。

35、进一步地，光学防伪元件还包括镀层，镀层设置在定形层与采样合成层之间。

36、进一步地，镀层为单层镀层，单层镀层包括金属反射层、半导体材料层、介质层中的至少一种。

37、进一步地，镀层为多层镀层，多层镀层形成法布里-泊罗谐振腔。

38、进一步地，镀层为多层镀层，多层镀层包括吸收层、介质层和反射层中的至少两种；或者多层镀层由多层介质层组成。

39、进一步地，镀层具有镂空图案。

40、进一步地，微图像层由具有镂空结构的单层层结构或多层层结构形成。

41、进一步地，微图像层由光学微结构及覆盖在光学微结构上的单层层结构或多层层结构形成。

42、进一步地，微图像层由微印刷结构形成。

43、进一步地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学防伪元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述基材(10)的厚度大于20微米。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述透明层(30)的厚度大于5微米且小于30微米。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述基材(10)的厚度大于所述透明层(30)的厚度。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括剥离层(50)，所述剥离层(50)设置在所述基材(10)层与所述微图像层(20)之间。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括粘合层(60)，

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)为微透镜阵列层。

8.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微透镜阵列层为球面微透镜阵列层或柱面微透镜阵列层。

9.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)的微透镜和所述微图像层(20)的微图像的排列

10.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)的微透镜和所述微图像层(20)的微图像的排列周期大于15微米且小于50微米。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括镀层(70)，所述镀层(70)设置在所述采样合成层(40)上。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其特征在于，所述镀层(70)为单层镀层，所述单层镀层包括金属反射层、半导体材料层、介质层中的至少一种。

15.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其特征在于，所述镀层(70)为多层镀层，所述多层镀层形成法布里-泊罗谐振腔。

16.根据权利要求15所述的光学防伪元件，其特征在于，

17.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其特征在于，所述镀层(70)具有镂空图案。

18.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图像层(20)由具有镂空结构的单层层结构或多层层结构形成。

19.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图像层(20)由光学微结构及覆盖在所述光学微结构上的单层层结构或多层层结构形成。

20.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图像层(20)由微印刷结构形成。

21.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微图像层(20)具有凹陷或空穴，所述凹陷或所述空穴中填充有油墨、金属、颜料、染料中的至少一种。

22.一种光学防伪元件，其特征在于，包括：

23.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述基材(10)的厚度大于20微米。

24.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述透明层(30)的厚度大于5微米且小于30微米。

25.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述基材(10)的厚度大于所述透明层(30)的厚度。

26.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括剥离层(50)，

27.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括粘合层(60)，

28.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)为微透镜阵列层。

29.根据权利要求28所述的光学防伪元件，其特征在于，所述微透镜阵列层为球面微透镜阵列层或柱面微透镜阵列层。

30.根据权利要求28所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)的微透镜和所述微图像层(20)的微图像的排列周期大于10微米且小于200微米。

31.根据权利要求28所述的光学防伪元件，其特征在于，所述采样合成层(40)的微透镜和所述微图像层(20)的微图像的排列周期大于15微米且小于50微米。

32.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，

33.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，

34.根据权利要求22所述的光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件还包括镀层(70)，所述镀层(70)设置在所述定形层(80)与所述采样合成层(40)之间。

35.根据权利要求...

【技术特征摘要】