【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电池供电，更具体的说，涉及一种减少电池压降的处理电路。
技术介绍
1、在移动通信设备和便携式电子设备等电子设备中，稳定的供电对于保证设备正常工作和维持用户体验至关重要。然而，由于电池特性、负载变化以及电路设计等因素，供电稳定性和续航时间常常存在一些问题。
2、在之前的技术中，由于负载变化引起的电流波动会导致电池压降，进而影响设备的性能和续航时间。为了解决这个问题，一种常见的方法是通过串联电阻来调节电流，但这样会引起额外功耗致使续航时间较短。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本技术提供一种减少电池压降的处理电路，解决了当前串联电阻的方法带来额外功耗致使续航时间较短的问题，从而既提高了电池的续航时间，又保证了供电稳定性。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种减少电池压降的处理电路，其改进之处在于，所述处理电路包括主备电切换模块、主控芯片u1、电池充电控制模块以及电池电压采集模块；所述主控芯片u1与主备电切换模块、电池充电控制模块以及电池采集模块电连接；
3、所述主备电切换模块包括pmos管q3、pmos管q4、pmos管q18、nmos管q5、二极管d3以及二极管d2；所述pmos管q18的栅极与二极管d2的阳极电连接，漏极与二极管d3的阳极连接，源极与二极管d3的阴极、pmos管q4的源极以及pmos管q3的源极电连接；所述pmos管q3的栅极与pmos管q4的栅极电连接，漏极与pmos管q4的漏极、二极管d2的阴极
4、在上述结构中，所述主备电切换模块还包括电容c4、电容c89、电容c5、电容c6、电容c59、电阻r25、电阻r22、开关s1以及电阻r101；所述电容c4的负极接地，正极与pmos管的q18的源极电连接；所述电容c89、电阻r22以及开关s1均并接于pmos管q4的源极与栅极之间；所述电容c5的正极和电容c6的正极与pmos管q3的漏极电连接，所述电容c5的负极和电容c6的负极接地；所述电阻r25和电容c59均并接于nmos管q5的源极与栅极之间；所述电阻r101连接于nmos管q5的漏极与pmos管q3的栅极之间。
5、在上述结构中，所述电池电压采集模块包括电阻r53、电阻r51、pmos管q8、三极管q9、电容c58、电阻r63以及电阻r64；所述电阻r53并接于pmos管q8的源极与漏极之间；所述电阻r51并接于pmos管q8的源极与栅极之间；所述电容c58与电阻r64并联，且正极与电阻r63的一端以及主控芯片u1连接，负极接地；所述电阻r63的另一端与pmos管q8的漏极电连接；所述三极管q9的集电极与pmos管q8的栅极电连接，发射极接地，基极与主控芯片u1电连接。
6、在上述结构中，所述电池充电控制模块包括电源充电控制芯片u12、电容c57、电容c56、电阻r61以及三级管q1；所述电源充电控制芯片u12的iset引脚与电阻r61的一端电连接，gnd引脚接地，vin引脚与电容c56的正极电连接，vbat引脚与pmos管的漏极以及电容c57的正极电连接；所述电容c56的负极均电容c57的负极均接地；所述电阻r61的另一端与三极管q1的集电极连接；所述三极管q1的发射极接地，基极与主控芯片u1连接。
7、在上述结构中，所述电源充电控制芯片u12的型号为xt2052y2asr。
8、在上述结构中，所述主控芯片u1的型号为n32g455vel7。
9、在上述结构中，所述主控芯片u1包括vcc引脚、gnd引脚、low_c引脚、chg_en引脚、bat_adc_in6引脚、bat_adc_en引脚；所述vcc引脚与pmos管q3的漏极电连接；所述gnd引脚接地；所述low_c引脚nmos管q5的栅极电连接；所述chg_en引脚与三极管q1的集电极电连接；所述bat_adc_in6引脚与电容c58的正极电连接；所述bat_adc_en引脚与三级管q2的正极电连接。
10、本技术的有益效果是：通过pmos管q3和pmos管的并联，能够适应性调节导通状态，以减小电池在负载工作时的压降，降低了电池内部阻抗对电池性能的影响，从而既提高了电池的续航时间，又保证了供电稳定性。
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1.一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述处理电路包括主备电切换模块、主控芯片U1、电池充电控制模块以及电池电压采集模块；所述主控芯片U1与主备电切换模块、电池充电控制模块以及电池采集模块电连接；
2.根据权利要求1所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述主备电切换模块还包括电容C4、电容C89、电容C5、电容C6、电容C59、电阻R25、电阻R22、开关S1以及电阻R101；所述电容C4的负极接地，正极与PMOS管的Q18的源极电连接；所述电容C89、电阻R22以及开关S1均并接于PMOS管Q4的源极与栅极之间；所述电容C5的正极和电容C6的正极与PMOS管Q3的漏极电连接，所述电容C5的负极和电容C6的负极接地；所述电阻R25和电容C59均并接于NMOS管Q5的源极与栅极之间；所述电阻R101连接于NMOS管Q5的漏极与PMOS管Q3的栅极之间。
3.根据权利要求2所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述电池电压采集模块包括电阻R53、电阻R51、PMOS管Q8、三极管Q9、电容C58、电阻R63以及电阻R64；所述电阻R53
4.根据权利要求3所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述电池充电控制模块包括电源充电控制芯片U12、电容C57、电容C56、电阻R61以及三级管Q1；所述电源充电控制芯片U12的ISET引脚与电阻R61的一端电连接，GND引脚接地，VIN引脚与电容C56的正极电连接，VBAT引脚与PMOS管的漏极以及电容C57的正极电连接；所述电容C56的负极均电容C57的负极均接地；所述电阻R61的另一端与三极管Q1的集电极连接；所述三极管Q1的发射极接地，基极与主控芯片U1连接。
5.根据权利要求4所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述电源充电控制芯片U12的型号为XT2052Y2ASR。
6.根据权利要求5所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述主控芯片U1的型号为N32G455VEL7。
7.根据权利要求6所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述主控芯片U1包括VCC引脚、GND引脚、LOW_C引脚、CHG_EN引脚、BAT_ADC_IN6引脚、BAT_ADC_EN引脚；所述VCC引脚与PMOS管Q3的漏极电连接；所述GND引脚接地；所述LOW_C引脚NMOS管Q5的栅极电连接；所述CHG_EN引脚与三极管Q1的集电极电连接；所述BAT_ADC_IN6引脚与电容C58的正极电连接；所述BAT_ADC_EN引脚与三级管Q2的正极电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述处理电路包括主备电切换模块、主控芯片u1、电池充电控制模块以及电池电压采集模块；所述主控芯片u1与主备电切换模块、电池充电控制模块以及电池采集模块电连接；
2.根据权利要求1所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述主备电切换模块还包括电容c4、电容c89、电容c5、电容c6、电容c59、电阻r25、电阻r22、开关s1以及电阻r101；所述电容c4的负极接地，正极与pmos管的q18的源极电连接；所述电容c89、电阻r22以及开关s1均并接于pmos管q4的源极与栅极之间；所述电容c5的正极和电容c6的正极与pmos管q3的漏极电连接，所述电容c5的负极和电容c6的负极接地；所述电阻r25和电容c59均并接于nmos管q5的源极与栅极之间；所述电阻r101连接于nmos管q5的漏极与pmos管q3的栅极之间。
3.根据权利要求2所述的一种减少电池压降的处理电路，其特征在于，所述电池电压采集模块包括电阻r53、电阻r51、pmos管q8、三极管q9、电容c58、电阻r63以及电阻r64；所述电阻r53并接于pmos管q8的源极与漏极之间；所述电阻r51并接于pmos管q8的源极与栅极之间；所述电容c58与电阻r64并联，且正极与电阻r63的一端以及主控芯片u1连接，负极接地；所述电阻r63的另一端与pmos管q8的漏极电连接；所述三极管q9的集电极与pmos管q8的栅极电连接，...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏孟良，旷卫平，卢舒维，
申请(专利权)人：深圳市伊爱高新技术开发有限公司，
类型：新型
国别省市：
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