【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种sram测试结构。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(static random access memory，sram)是随机存取存储器的一种，sram的优点是只要保持通电，储存的数据就可以一直保存，同时sram不用刷新电路，而且速度快，常作为各种集成电路的存储器。
2、为了检测sram的性能，需要对sram的测试结构进行设计。在目前的sram测试结构中，由于字线(word line，wl)、位线(bit line，bl)、电源线(vdd和vss)均被直接连接至测试衬垫，虽然能够测试获得sram的蝴蝶图(butterfly curve)，但是该测试结构的后端金属连线与实际芯片的后端金属连线不同，因此不能通过该测试结构获得实际芯片中后端金属电阻(beol rs)对位元(bitcell)的影响。但如果采用和实际芯片结构相同的测试结构时，又由于存储节点(snl和snr)被上方的金属线覆盖，无法测试节点处的电压和电流，因此无法获得sram的蝴蝶图。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是现有的sram测试结构无法同时获得后端金属电阻对sram位元的影响和sram位元的蝴蝶图。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种sram测试结构，包括：若干呈阵列分布的sram位元，每个所述sram位元为6t以上结构，至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；第一金属层，位于所述sram位元上方，包括
3、在本申请的一些实施例中，所述第一晶体管和所述第三晶体管形成第一反相器，所述第四晶体管和所述第六晶体管形成第二反相器，且所述第一反相器和所述第二反相器形成互锁结构。
4、在本申请的一些实施例中，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极和所述第一存储节点线连接。
5、在本申请的一些实施例中，所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极和所述第二存储节点线连接。
6、在本申请的一些实施例中，所述第一存储节点线连接第一衬垫，所述第二存储节点线连接第二衬垫。
7、在本申请的一些实施例中，所述第一电源线连接所有的第一晶体管和第四晶体管的漏极。
8、在本申请的一些实施例中，所述第一位线连接所有的第二晶体管的源极。
9、在本申请的一些实施例中，所述第二位线连接所有的第五晶体管的源极。
10、在本申请的一些实施例中，所述第一电源线连接第三衬垫，所述第一位线连接第四衬垫，所述第二位线连接第五衬垫。
11、在本申请的一些实施例中，所述第一电源线、所述第一位线和所述第二位线的起始端或末端连接相应的测试衬垫。
12、在本申请的一些实施例中，所述第一电源线、所述第一位线和所述第二位线上未连接测试衬垫的一端浮空。
13、在本申请的一些实施例中，所述第二电源线连接所有的第三晶体管和第六晶体管的源极。
14、在本申请的一些实施例中，所述字线连接第六衬垫，所述第二电源线连接第七衬垫。
15、在本申请的一些实施例中，所述字线和所述第二电源线的起始端或末端连接相应的测试衬垫。
16、在本申请的一些实施例中，所述字线和所述第二电源线上未连接测试衬垫的一端浮空。
17、在本申请的一些实施例中，至少一个sram位元上的第一电源线和字线具有所述开口。
18、在本申请的一些实施例中，暴露出的第一存储节点线连接至第八衬垫，暴露出的第二存储节点线连接至第九衬垫。
19、在本申请的一些实施例中，暴露出的第一存储节点线和第二存储节点线分别通过所述第一金属层上方的第四金属层连接相应的测试衬垫，且所述第四金属层还连接开口两侧的第二金属层，且开口两侧的第三金属层通过所述第四金属层上方的第五金属层连接。
20、与现有技术相比，本申请技术方案的sram测试结构具有如下有益效果：
21、所述sram测试结构通过使sram位元呈阵列分布，并且使第一电源线、第一位线、第二位线、字线以及第二电源线均采用迂回布线的方式连接所有的sram位元，一方面可以测试第一电源线、第一位线、第二位线、字线以及第二电源线的电阻对sram性能的影响，同时可以通过检测不同位置的sram位元的电性，将第一位线/第二位线/第一电源线和字线/第二电源线对sram的影响区分开来；另一方面可以用较少数量的sram位元来模拟较大尺寸的sram芯片，与wat测试键和切割道的尺寸相兼容。
22、在至少一个sram位元上方的第二金属层和第三金属层中形成开口，以暴露出下方的第一存储节点线和第二存储节点线，并将其连接至相应的测试衬垫，便可以测试第一节点snl和第二节点snr处的电性，由此解决了现有的sram测试结构无法同时获得后端金属电阻对sram位元的影响和sram位元的蝴蝶图的问题。
23、第一位线，第二位线，第一电源线，字线及第二电源线分别连接一个测试衬垫，每处暴露的第一存储节点线和第二存储节点线分别连接一个测试衬垫，因此，所述sram测试结构在研究后端金属电阻对sram位元的影响和sram位元的蝴蝶图时所需的测试衬垫数量较少。
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1.一种SRAM测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管形成第一反相器，所述第四晶体管和所述第六晶体管形成第二反相器，且所述第一反相器和所述第二反相器形成互锁结构。
3.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极和所述第一存储节点线连接。
4.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极和所述第二存储节点线连接。
5.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一存储节点线连接第一衬垫，所述第二存储节点线连接第二衬垫。
6.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一电源线连接所有的第一晶体管和第四晶体管的漏极。
7.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一位线连接所有的第二晶体管的源极。
8.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于
9.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一电源线连接第三衬垫，所述第一位线连接第四衬垫，所述第二位线连接第五衬垫。
10.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一电源线、所述第一位线和所述第二位线的起始端或末端连接相应的测试衬垫。
11.根据权利要求10所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第一电源线、所述第一位线和所述第二位线上未连接测试衬垫的一端浮空。
12.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述第二电源线连接所有的第三晶体管和第六晶体管的源极。
13.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述字线连接第六衬垫，所述第二电源线连接第七衬垫。
14.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述字线和所述第二电源线的起始端或末端连接相应的测试衬垫。
15.根据权利要求14所述的SRAM测试结构，其特征在于，所述字线和所述第二电源线上未连接测试衬垫的一端浮空。
16.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，至少一个SRAM位元上的第一电源线和字线具有所述开口。
17.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，暴露出的第一存储节点线连接至第八衬垫，暴露出的第二存储节点线连接至第九衬垫。
18.根据权利要求1所述的SRAM测试结构，其特征在于，暴露出的第一存储节点线和第二存储节点线分别通过所述第一金属层上方的第四金属层连接相应的测试衬垫，且所述第四金属层还连接开口两侧的第二金属层，且开口两侧的第三金属层通过所述第四金属层上方的第五金属层连接。
...【技术特征摘要】
1.一种sram测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管形成第一反相器，所述第四晶体管和所述第六晶体管形成第二反相器，且所述第一反相器和所述第二反相器形成互锁结构。
3.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极和所述第一存储节点线连接。
4.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极和所述第二存储节点线连接。
5.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一存储节点线连接第一衬垫，所述第二存储节点线连接第二衬垫。
6.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一电源线连接所有的第一晶体管和第四晶体管的漏极。
7.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一位线连接所有的第二晶体管的源极。
8.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第二位线连接所有的第五晶体管的源极。
9.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所述第一电源线连接第三衬垫，所述第一位线连接第四衬垫，所述第二位线连接第五衬垫。
10.根据权利要求1所述的sram测试结构，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟利楠，章纬，唐永进，李艾琳，王高翔，任增耀，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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