【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种芯片中间结构及芯片去除方法。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro-led)芯片的巨量转移技术是制约芯片量产化的重要问题。
2、目前芯片的巨量转移工艺还存在或多或少的不成熟。例如：芯片在巨量转移时需要与承接基板上的键合图形一一对应，故当部分芯片受损或是排列疏密程度不均时，容易导致巨量转移后的承接基板上的大量芯片无法使用。
3、因此，如何提高发光二极管芯片的巨量转移良率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片中间结构及芯片去除方法，旨在解决如何提高发光二极管芯片的巨量转移良率。
2、本申请实施例提供一种芯片中间结构，包括：基底、多个发光二极管芯片以及图形化的全反射层。多个发光二极管芯片位于基底的第一侧。多个发光二极管芯片包括多个待去除芯片和多个需求芯片。图形化的全反射层位于基底的第二侧，第二侧为第一侧的背侧。其中，待去除芯片位于全反射层在基底上的正投影范围外，需求芯片位于全反射层在基底上的正投影范围内；全反射层用于对剥离芯片的激光进行全反射。
3、本申请实施例中，芯片中间结构采用如上结构。芯片中间结构中基底的第一侧具有多个待去除芯片和多个需求芯片，基底的第二侧具有图形化的全反射层。其中，待去除芯片位于全反射层在基底上的正投影范围外，需求芯片位于全反射层在基底上的正投影范围内。也即，采用具有特定图形的全反射层定义出需求芯片的位置，进而通过全反射层对激光的
4、可选地，全反射层包括分布式布拉格反射层。
5、本申请实施例中，分布式布拉格反射层可以根据不同的激光器进行调试，以获得最佳参数(例如：膜层材料、膜层厚度和膜层层数)的分布式布拉格反射层。如此，可以比较方便的调试分布式布拉格反射层的参数，解决了常规掩模由于对激光器反射波段相对固定，导致在工艺变更时，重新调整掩膜参数比较困难的问题。此外，分布式布拉格反射层相对于其他常规掩模，材料更便宜，且用于制备的机台也比较常规。
6、可选地，全反射层包括交替层叠的多层第一折射率层和多层第二折射率层。其中，第一折射率层的折射率大于第二折射率层的折射率。
7、可选地，第一折射率层的材料包括第一氧化物或第一氟化物。第二折射率层的材料包括第二氧化物或第二氟化物。
8、基于同样的专利技术构思，本申请还提供了一种芯片去除方法，包括以下步骤：
9、制备芯片中间结构，芯片中间结构如前述实施例中任一项所述；
10、采用激光照射芯片中间结构，将待去除芯片剥离，并保留需求芯片于基底上。
11、本申请实施例中，采用如上芯片去除方法，首先制备前述实施例中任一项所述的芯片中间结构，通过具有特定图形的全反射层定义出需求芯片的位置。其次，采用激光照射芯片中间结构，也即激光照射基底的第二侧后，使得待去除芯片被定向剥离，需求芯片仍可以保留在基底的第一侧。如此，可以根据实际所需，通过利用具有特定图形的全反射层，简便地改变基底上发光二极管芯片的排布疏密程度或排布图形，进而有利于提高后续发光二极管芯片的巨量转移良率。
12、可选地，制备芯片中间结构，包括以下步骤：
13、提供衬底，于衬底的第一侧形成待去除芯片和需求芯片；
14、研磨衬底的第二侧，获得基底；第二侧为第一侧的背侧；
15、基于激光的光学参数，模拟确定全反射层的膜层参数；
16、根据膜层参数于基底的第二侧制备全反射层，获得芯片中间结构。
17、可选地，基于激光的光学参数，模拟确定全反射层的膜层参数，包括以下步骤：
18、构建全反射层的仿真模型；
19、向仿真模型照射光学参数与激光相同的仿真激光，以获取仿真模型的反射曲线；
20、于反射曲线满足目标条件时，确定仿真模型的膜层参数为全反射层的膜层参数。
21、可选地，根据膜层参数于基底的第二侧制备全反射层，包括以下步骤：
22、根据膜层参数于基底的第二侧制备初始全反射层；
23、图形化初始全反射层，获得全反射层，以使待去除芯片位于全反射层在基底上的正投影范围外，需求芯片位于全反射层在基底上的正投影范围内。
24、可选地，全反射层包括分布式布拉格反射层；膜层参数包括：膜层材料、膜层厚度和膜层层数。
25、本申请实施例中，分布式布拉格反射层采用如上结构，该分布式布拉格反射层所能实现的技术效果与前述实施例中分布式布拉格反射层所能具有的技术效果相同，此处不再详述。
26、可选地，激光的光学参数至少包括激光波长。
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1.一种芯片中间结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述全反射层包括分布式布拉格反射层。
3.根据权利要求1或2所述的芯片中间结构，其特征在于，所述全反射层包括交替层叠的多层第一折射率层和多层第二折射率层；
4.根据权利要求3所述的芯片中间结构，其特征在于，
5.一种芯片去除方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的芯片去除方法，其特征在于，所述制备芯片中间结构，包括：
7.根据权利要求6所述的芯片去除方法，其特征在于，所述基于所述激光的光学参数，模拟确定所述全反射层的膜层参数，包括：
8.根据权利要求6所述的芯片去除方法，其特征在于，所述根据所述膜层参数于所述基底的第二侧制备所述全反射层，包括：
9.根据权利要求6所述的芯片去除方法，其特征在于，所述全反射层包括分布式布拉格反射层；所述膜层参数包括：膜层材料、膜层厚度和膜层层数。
10.根据权利要求6所述的芯片去除方法，其特征在于，所述激光的光学参数至少包括激光波长。
【技术特征摘要】
1.一种芯片中间结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述全反射层包括分布式布拉格反射层。
3.根据权利要求1或2所述的芯片中间结构，其特征在于，所述全反射层包括交替层叠的多层第一折射率层和多层第二折射率层；
4.根据权利要求3所述的芯片中间结构，其特征在于，
5.一种芯片去除方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的芯片去除方法，其特征在于，所述制备芯片中间结构，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：岳晓，王怀超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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