【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、存储器，例如相变存储器，其作为一种新兴的非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面均具备较大的优越性。然而，随着相变存储器的使用及发展，相变存储器还存在可提升空间。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2、沿第一方向延伸的多组第一导电线；多组所述第一导电线沿第三方向呈多层排布；
3、沿第二方向延伸的多组第二导电线，多组所述第二导电线沿第三方向呈多层排布；其中，所述第一方向与第二方向相交且平行于第一平面，第三方向垂直于第一平面；将多组所述第二导电线沿第三方向的排布层数记为n，沿第三方向依次将n层排布的多组第二导电线分别记为第1层、第2层…第n-1层及第n层，n为大于或等于3的正整数；
4、相变存储单元，所述相变存储单元位于所述第一导电线和第二导电线之间的交叉点处；
5、其中，沿第三方向，第i+1层中一条第二导电线向所述第一平面的第一投影覆盖第i层中相邻两条第二导电线向所述第一平面的第二投影，1≤i≤n-2；且第i层中至少部分所述第二导电线在端部位置处相互连接。
6、在一些实施例中，第i层所述第二导电线中位于第i+1层中一条第二导电线正下方且相邻的两条第二导电线之间的长度相同或者不同。
7、在一些实施例中，所述半导体结构还包括与所述第二导电线连接的第一接触结构，
8、所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
9、第i层中2(n-i-1)个相邻的第i子接触结构相互连接。
10、在一些实施例中，n＝3，i＝1，所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
11、位于第3子接触结构至少一侧的两个第1子接触结构相互连接；
12、或者，
13、n＝4，当i＝1时，所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
14、位于第3子接触结构两侧的四个相邻的第1接触结构相互连接，且四个相邻的所述第1子接触结构相对于所述第3子接触结构呈对称分布；
15、当i＝2时，所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
16、位于第3子接触结构两侧的两个相邻的第2子接触结构相互连接，且两个相邻的所述第2子接触结构相对于所述第3子接触结构呈对称分布。
17、在一些实施例中，所述半导体结构还包括与所述第一导电线连接的第二接触结构、用于与所述第一接触结构连接的第一驱动器以及用于与所述第二接触结构连接的第二驱动器，所述第一驱动器和所述第二驱动器位于所述第一接触结构和所述第二接触结构下方；其中，所述第一驱动器至少包含第一驱动器组，所述第一驱动器组中连接第i子接触结构的所述第一驱动器之间相互连接。
18、在一些实施例中，n＝3，所述第一驱动器还包括与第1子接触结构连接的第1子驱动器、与第2子接触结构连接的第2子驱动器及与第3子接触结构连接的第3子驱动器；所述第一驱动器组包括至少一个第1子驱动器和1个第3子驱动器。
19、在一些实施例中，n＝4，所述第一驱动器还包括与第1子接触结构连接的第1子驱动器、与第2子接触结构连接的第2子驱动器、与第3子接触结构连接的第3子驱动器、与第4子接触结构连接的第4子驱动器及第二驱动器组；其中，至少一个所述第1子驱动器构成第一驱动器组，至少一个第2子驱动器和一个第3子驱动器构成第二驱动器组。
20、在一些实施例中，所述半导体结构还包括位于所述第一接触结构与第一驱动器之间，以及第二接触结构与第二驱动器之间的布线层，所述布线层至少包括连接线，所述第一驱动器组中所述第一驱动器组中连接第i子接触结构的所述第一驱动器之间的相互连接基于所述连接线实现。
21、在一些实施例中，位于不同层且相邻设置的至少部分第一接触结构在同一工艺步骤中形成。
22、在一些实施例中，用于设置第一接触结构的区域数量小于第二导电线的条数，
23、和/或，
24、所述第一驱动器的数量小于或等于所述第一接触结构的数量。
25、本公开实施例所提供的半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：沿第一方向延伸的多组第一导电线；多组所述第一导电线沿第三方向呈多层排布；沿第二方向延伸的多组第二导电线，多组所述第二导电线沿第三方向呈多层排布；其中，所述第一方向与第二方向相交且平行于第一平面，第三方向垂直于第一平面；将多组所述第二导电线沿第三方向的排布层数记为n，沿第三方向依次将n层排布的多组第二导电线分别记为第1层、第2层…第n-1层及第n层，n为大于或等于3的正整数；相变存储单元，所述相变存储单元位于所述第一导电线和第二导电线之间的交叉点处；其中，沿第三方向，第i+1层中一条第二导电线向所述第一平面的第一投影覆盖第i层中相邻两条第二导电线向所述第一平面的第二投影，1≤i≤n-2；且第i层中至少部分所述第二导电线在端部位置处相互连接。如此，由于位于上方一层的一条第二导电线在第一平面的正投影可以覆盖位于下方一层的两条第二导电线在第一平面上的正投影，而在下方一层的相邻两条第二导电线之间可以保持一定距离的方式存在；或者，相邻两条第二导电线中任一者的端部可以相对于上方一层一条第二导电线的端部缩进一定距离，该距离的存在为设置与上方一层第二导电线相连接的接触结构提供了容置区域，有助于在最终获得的半导体结构中为接触结构的设置提供较大的便利性，从而有利于实现半导体结构的层数随着需求进行增加以及提高存储密度的效果。同时，在本公开实施例中，将位于下方一层的相邻两条导电线进行连接的方式有助于减少因位于下方一层的一条第二导电线的长度小于位于上方一层的第二导电线的长度所带来的负载不均衡的问题，有助于半导体结构所包含的每一层第二导电线的负载情况都保持相同或者相互接近的水平。另外，在本公开实施例中，由于位于下方一层的第二导电线所采用的是在端部进行连接的方式，有助于在平衡负载不均衡问题的同时，可以减少用于设置接触结构的区域的数量，使得本公开实施例虽然增加了第二导电线的条数，但是在用于设置接触结构的区域数量方面并不会增加，甚至可以减少，以有助于在提高存储密度的同时减少结构及工艺的复杂度。
26、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本公开的其它特征和优点将从说明书、附图变得明显。
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1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第i层所述第二导电线中位于第i+1层中一条第二导电线正下方且相邻的两条第二导电线之间的长度相同或者不同。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述第二导电线连接的第一接触结构，将连接第1层所述第二导电线的第一接触结构记为第一子接触结构，依此类推，直至将连接第n-1层所述第二导电线的第一接触结构记为第n-1子接触结构；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，n＝3，i＝1，所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述第一导电线连接的第二接触结构、用于与所述第一接触结构连接的第一驱动器以及用于与所述第二接触结构连接的第二驱动器，所述第一驱动器和所述第二驱动器位于所述第一接触结构和所述第二接触结构下方；其中，所述第一驱动器至少包含第一驱动器组，所述第一驱动器组中连接第i子接触结构的所述第一驱动器之间相互连接。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第i层所述第二导电线中位于第i+1层中一条第二导电线正下方且相邻的两条第二导电线之间的长度相同或者不同。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述第二导电线连接的第一接触结构，将连接第1层所述第二导电线的第一接触结构记为第一子接触结构，依此类推，直至将连接第n-1层所述第二导电线的第一接触结构记为第n-1子接触结构；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，n＝3，i＝1，所述第i层中至少部分所述第二导电线相互连接，包括：
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述第一导电线连接的第二接触结构、用于与所述第一接触结构连接的第一驱动器以及用于与所述第二接触结构连接的第二驱动器，所述第一驱动器和所述第二驱动器位于所述第一接触结构和所述第二接触结构下方；其中，所述第一驱动器至少包含第一驱动器组，所述第一驱动器组中连接第i子接触结构的所述第一驱动器之间相互连接。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，n＝3，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘优，雷威锋，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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