【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及装置结构的衬底处理，且更具体来说涉及载具近接式掩模及形成结构的方法。
技术介绍
1、衬底装置需要小的尺寸，且以如此小的尺寸构建装置结构的能力具有挑战性。三维结构(例如光栅、光波导、鳍型场效晶体管(fin type field effect transistor，finfet)和/或类似结构)的合成涉及具有挑战性的处理问题。一个挑战涉及增强现实(augmented reality，ar)眼镜的产生。ar眼镜可使用光栅来衍射光且使用光波导来通过透镜(例如玻璃透镜或塑料透镜)将数字图像与真实图像相互混合。
2、产生ar眼镜的工艺相似于在晶片上产生半导体结构的工艺。举例来说，当在硅衬底上处理结构或者在玻璃衬底或塑料衬底上处理光栅结构时，将现有结构掩蔽以避免或最小化对现有结构造成的损坏。对于ar眼镜，对衬底或涂层造成的损坏会降低清晰度和/或在ar场景中引入畸变(distortion)。
3、针对这些及其他考虑因素提供本公开。
技术实现思路
1、在一个实施例中，一种载具近接式掩模可包括第一载具本体，所述第一载具本体具有一个或多个开口，所述一个或多个开口被形成为用于在衬底的第一侧上形成结构的近接式掩模。所述第一载具本体可具有一个或多个接触区域，且所述接触区域可与所述衬底的所述第一侧上的一个或多个接触区域对准。所述载具近接式掩模可包括第二载具本体，所述第二载具本体具有一个或多个接触区域，且所述接触区域可与所述衬底的第二侧上的一个或多个接触区域对准。所述载具
2、在另一实施例中，一种组装载具近接式掩模的方法可涉及提供衬底以及提供第一载具本体。所述第一载具本体可具有一个或多个开口，且所述一个或多个开口可被形成为用于在衬底的第一侧上形成结构的近接式掩模。所述第一载具本体可具有一个或多个接触区域，且所述接触区域可与所述衬底的所述第一侧上的一个或多个接触区域对准。所述方法可还涉及提供第二载具本体，所述第二载具本体具有一个或多个接触区域。所述接触区域可与所述衬底的第二侧上的一个或多个接触区域对准。
3、在又一实施例中，一种形成结构的方法可涉及在载具近接式掩模中提供衬底。所述衬底可具有所述衬底的第一侧的工作区域以及所述衬底的第二侧的工作区域，所述衬底位于所述载具近接式掩模的第一载具本体与所述载具近接式掩模的第二载具本体之间。所述衬底可悬置在所述第一载具本体与所述第二载具本体之间。所述第一载具本体可具有一个或多个开口，且所述一个或多个开口可被形成为用于在所述衬底的第一侧上形成结构的近接式掩模。所述第一载具本体可具有一个或多个接触区域，且所述接触区域可与所述衬底的所述第一侧上的一个或多个接触区域对准。所述第二载具本体可具有一个或多个接触区域，且所述接触区域可与所述衬底的第二侧上的一个或多个接触区域对准。所述第一载具本体的所述一个或多个接触区域与所述第二载具本体的所述一个或多个接触区域可接触所述衬底的相对的侧。
4、所述形成结构的方法可还涉及使用处理工具经由所述一个或多个开口处理所述衬底的所述第一侧上的所述工作区域，以在所述衬底的所述第一侧上形成所述衬底。所述第一载具本体的所述区域可掩蔽所述衬底的所述第一侧上的所述工作区域的一些部分。
5、在又一实施例中，在衬底中形成可变刻蚀深度轮廓的方法可涉及在载具中提供衬底。所述载具可包括与第二载具本体耦合的第一载具本体。所述衬底可耦合在所述第一载具本体与所述第二载具本体之间，且所述第一载具本体可具有用于暴露出所述衬底的工作区域的一个或多个开口。此外，所述一个或多个开口具有边缘，且来自处理工具的射束可与第一开口中的所述边缘中的第一边缘进行卷积，以生成卷积射束。所述卷积射束可对被所述第一开口暴露出的所述衬底的工作区域进行刻蚀，以靠近所述第一边缘在所述衬底中生成可变刻蚀深度轮廓。
6、在又一实施例中，一种载具近接式掩模可包括第一载具本体。所述第一载具本体可具有一个或多个开口，且所述一个或多个开口可形成近接式掩模，所述近接式掩模在衬底的第一侧上形成可变刻蚀深度轮廓。所述一个或多个开口中的第一开口可具有与离子射束进行卷积的边缘。所述边缘可具有被生成为与具有限定形状、频率及电流密度的离子射束进行卷积的形状，以使用所述离子射束来逼近期望的衍射轮廓。所述离子射束的所述期望的衍射轮廓可在所述衬底的所述第一侧中刻蚀所述可变刻蚀深度轮廓。
7、所述载具近接式掩模可还包括：第二载具本体，在所述衬底的第二侧上与所述第一载具本体进行耦合，以将所述衬底悬置在所述第一载具本体与所述第二载具本体之间；以及一组一个或多个夹具，用于将所述第一载具本体与所述第二载具本体夹在一起。
8、在又一实施例中，一种形成结构的方法可涉及在载具近接式掩模中提供衬底。所述衬底可在所述衬底的第一侧上具有工作区域且在所述衬底的第二侧上具有一个或多个工作区域。所述衬底可悬置在所述载具近接式掩模的第一载具本体与所述载具近接式掩模的第二载具本体之间，且所述第一载具本体可具有开口。每一开口可暴露出所述衬底的所述第一侧上的所述工作区域中的一者，且每一开口可具有第一边缘。
9、所述方法可还涉及由处理工具使射束跨越所述开口进行扫描，且使用所述处理工具经由所述一个或多个开口处理所述衬底的所述第一侧上的所述工作区域。所述处理可涉及将所述边缘与来自所述处理工具的所述射束进行卷积以生成卷积射束。每一卷积射束可对所述衬底的所述工作区域中的一者进行刻蚀，以靠近所述衬底的所述第一侧上的所述边缘中的对应一个边缘而在所述衬底中生成可变刻蚀深度轮廓。
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1.一种载具近接式掩模，包括：
2.根据权利要求1所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状具有与所述第一载具本体的平面垂直的面，所述面具有与所述第一载具本体的所述平面垂直的高度，所述高度与所述期望的衍射轮廓的在所述第一开口下方跨越所述衬底的宽度成比例。
3.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面用于与所述离子射束进行卷积，以生成具有倾斜刻蚀轮廓的可变刻蚀深度轮廓，所述倾斜刻蚀轮廓在所述衬底上具有非零入射角。
4.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状是正方形的，以生成与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面。
5.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状被倒角，以在所述第一开口处生成与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面。
6.根据权利要求4所述的载具近接式掩模，所述形状包括倾斜的第二面，以阻挡所述离子射束穿过所述第一开口。
7.根据权利要求1所述的载具近接式掩模，所述第一载具本体包括所述一个或多个开口中的附加开口，所述第一载具本体包括所述
8.根据权利要求6所述的载具近接式掩模，所述第二载具本体包括多个开口，所述第二载具本体包括所述多个开口中的每一开口中的边缘，所述边缘具有被生成为与所述离子射束进行卷积的形状，以使用所述离子射束来逼近所述期望的衍射轮廓，从而对所述衬底的所述第二侧进行刻蚀。
9.一种形成结构的方法，包括
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一载具本体在所述处理期间掩蔽每隔一行装置，其中每隔一行装置具有不同的衍射光学元件。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括：使所述射束的电流密度随着所述射束从所述第一载具本体的被掩蔽区域过渡到所述第一载具本体的所述开口中的一者的边缘而增大，以调整与和所述载具近接式掩模的边缘进行卷积的所述射束的衍射相关联的刻蚀深度，所述卷积射束的衍射轮廓是基于所述射束的频率、所述射束的形状及所述载具近接式掩模的所述边缘的形状。
12.根据权利要求11所述的方法，其中使所述电流密度增大包括增大所述射束的工作循环、减小所述射束的扫描速率、或者增大所述射束的工作循环与减小所述射束的扫描速率的组合。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：使所述射束的电流密度随着所述射束从所述第一载具本体的边缘过渡到所述第一载具本体的开口中而减小。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：对所述载具近接式掩模的所述边缘进行倒角以生成被倒角的边缘，所述被倒角的边缘用于减小所述可变刻蚀深度轮廓的长度以及增大与所述射束的所述电流密度相关的所述可变刻蚀深度轮廓的平均深度。
...【技术特征摘要】
1.一种载具近接式掩模，包括：
2.根据权利要求1所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状具有与所述第一载具本体的平面垂直的面，所述面具有与所述第一载具本体的所述平面垂直的高度，所述高度与所述期望的衍射轮廓的在所述第一开口下方跨越所述衬底的宽度成比例。
3.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面用于与所述离子射束进行卷积，以生成具有倾斜刻蚀轮廓的可变刻蚀深度轮廓，所述倾斜刻蚀轮廓在所述衬底上具有非零入射角。
4.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状是正方形的，以生成与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面。
5.根据权利要求2所述的载具近接式掩模，所述边缘的所述形状被倒角，以在所述第一开口处生成与所述第一载具本体的所述平面垂直的所述面。
6.根据权利要求4所述的载具近接式掩模，所述形状包括倾斜的第二面，以阻挡所述离子射束穿过所述第一开口。
7.根据权利要求1所述的载具近接式掩模，所述第一载具本体包括所述一个或多个开口中的附加开口，所述第一载具本体包括所述附加开口中的每一附加开口中的边缘，所述边缘具有被生成为与所述离子射束进行卷积的形状，以使用所述离子射束来逼近所述期望的衍射轮廓。
8.根据权利要求6所述的载具近接式掩模，所述第二载具本体包括多个开口，所述第二载具本体包括所述多个开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：摩根·艾文斯，查理斯·T·卡尔森，鲁格·迈尔提摩曼提森，萝丝·班迪，莱恩·马吉，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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