【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、在包括gan芯片等功能芯片的封装结构中，贴装于封装基板上的所述功能芯片通过塑封工艺直接被塑封于塑封料中。因而，所述功能芯片运行过程中产生的热量只能传导至所述封装基板上，导致热量在所述封装基板中的聚焦，散热效果较差。同时，当gan芯片等功能芯片工作于电磁辐射环境中时会受到电磁辐射的影响，从而导致所述功能芯片的性能参数发生偏移，早期失效时间缩短，对所述封装结构的可靠性造成影响。
2、因此，如何减少封装结构中的功能芯片受到电磁辐射的影响，并提高所述封装结构的散热效果，改善所述封装结构的性能，扩展所述封装结构的功能，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种封装结构及其形成方法，用于减少封装结构中的功能芯片受到电磁辐射的影响，并提高所述封装结构的散热效果，改善所述封装结构的性能，扩展所述封装结构的功能。
2、根据一些实施例，本专利技术提供了一种封装结构，包括：
3、引线框架；
4、第一功能芯片，位于所述引线框架上，且所述第一功能芯片与所述引线框架电连接；
5、第二功能芯片，位于所述引线框架上，且所述第二功能芯片与所述引线框架电连接；
6、电磁屏蔽结构，位于所述引线框架上且与所述引线框架电连接，所述电磁屏蔽结构罩设于所述第一功能芯片和所述第二功能芯片上。
7、在一些实施例中，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片沿
8、第一金属屏蔽罩，罩设于所述第一功能芯片上；
9、第二金属屏蔽罩，罩设于所述第二功能芯片上；
10、连接部，位于所述引线框架上方且沿所述第一方向延伸，且所述连接部的一端与所述第一金属屏蔽罩连接、另一端与所述第二金属屏蔽罩连接。
11、在一些实施例中，还包括：
12、第一导热粘结层，位于所述第一功能芯片背离所述引线框架的表面上，所述第一导热粘结层的一侧与所述第一功能芯片粘结、另一侧与所述第一金属屏蔽罩粘结；
13、第二导热粘结层，位于所述第二功能芯片背离所述引线框架的表面上，所述第二导热粘结层的一侧与所述第二功能芯片粘结、另一侧与所述第二金属屏蔽罩粘结。
14、在一些实施例中，所述第一金属屏蔽罩包括覆盖于所述第一功能芯片上的第一平台部和覆盖于所述引线框架上的第二平台部，所述第二平台部与所述引线框架电连接；
15、所述第二金属屏蔽罩包括覆盖于所述第二功能芯片上的第三平台部和覆盖于所述引线框架上的第四平台部。
16、在一些实施例中，所述第二金属屏蔽罩中的所述第四平台部在所述第三方向上位于所述第三平台部下方，所述第四平台部与所述引线框架直接电连接；或者，所述第四平台部与所述引线框架间接电连接。
17、在一些实施例中，所述第一金属屏蔽罩还包括连接于所述第一平台部与所述第二平台部之间的第一侧壁，所述第一侧壁全环绕或者半环绕所述第一功能芯片的侧面分布；
18、所述第二金属屏蔽罩还包括连接于所述第三平台部与所述第四平台部之间的第二侧壁，所述第二侧壁全环绕或者半环绕所述第二功能芯片的侧面分布。
19、在一些实施例中，所述连接部包括金属条带，所述金属条带的一端与所述第一金属屏蔽罩连接、另一端与所述第二金属屏蔽罩连接。
20、在一些实施例中，所述连接部包括多条沿第二方向排布的所述金属条带，所述金属条带为铜带或铝带。
21、在一些实施例中，所述连接部包括沿第二方向排布的多条焊线；
22、每条所述焊线的一端与所述第一金属屏蔽罩电连接、另一端与所述第二金属屏蔽罩电连接。
23、在一些实施例中，所述连接部下方的所述引线框架的表面上设置有至少一个第三芯片，所述第三芯片在所述第一方向上位于所述第一功能芯片和第二功能芯片之间。
24、在一些实施例中，所述第三芯片包括芯片或者被动元件中一种或几种。
25、在一些实施例中，当所述第三芯片的数量为两个或两个以上时，多个所述第三芯片沿所述第二方向排布。
26、在一些实施例中，还包括：
27、塑封层，塑封所述引线框架、所述第一功能芯片、所述第二功能芯片和所述电磁屏蔽结构，且所述第一金属屏蔽罩背离所述引线框架的表面、所述第二金属屏蔽罩背离所述引线框架的表面和所述连接部背离所述引线框架的表面均暴露于所述塑封层的表面。
28、根据另一些实施例，本专利技术还提供了一种封装结构的形成方法，包括如下步骤：
29、形成引线框架；
30、电连接第一功能芯片于所述引线框架上，并电连接第二功能芯片于所述引线框架上；
31、贴装电磁屏蔽结构于所述引线框架上，所述电磁屏蔽结构与所述引线框架电连接，且所述电磁屏蔽结构罩设于所述第一功能芯片和所述第二功能芯片上。
32、在一些实施例中，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片沿第一方向排布，所述第一方向与所述引线框架的顶面平行，第二方向与所述引线框架的顶面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交，第三方向与所述引线框架的顶面垂直；贴装电磁屏蔽结构于所述引线框架上的具体步骤包括：
33、贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上，所述第一金属屏蔽罩罩设于所述第一功能芯片上，且所述第二金属屏蔽罩罩设于所述第二功能芯片上；
34、形成连接所述第一金属屏蔽罩和所述第二金属屏蔽罩的连接部于所述引线框架上，所述连接部沿所述第一方向延伸，所述第一金属屏蔽罩、所述第二金属屏蔽罩和所述连接部共同作为所述电磁屏蔽结构。
35、在一些实施例中，贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上之前，还包括如下步骤：
36、形成第一金属屏蔽罩，所述第一金属屏蔽罩包括第一平台部、在所述第三方向上位于所述第一平台部下方的第二平台部以及连接于所述第一平台部与所述第二平台部之间的第一侧壁；
37、形成第二金属屏蔽罩，所述第二金属屏蔽罩包括第三平台部、在所述第三方向上位于所述第三平台部下方的第四平台部以及连接于所述第三平台部与所述第四平台部之间的第二侧壁。
38、在一些实施例中，贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上的具体步骤包括：
39、于所述第一功能芯片背离所述引线框架的表面上形成第一导热粘结层，并于所述第二功能芯片背离所述引线框架的表面上形成第二导热粘结层；
40、贴装所述第一金属屏蔽罩中的所述第一平台部于所述第一导热粘结层背离所述第一功能芯片的表面上，并贴装所述第二金属屏蔽罩中的所述第三平台部于所述第二导热粘结层背离所述第二功能芯片的表面上。
41、在一些实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片沿第一方向排布，所述第一方向与所述引线框架的顶面平行，第二方向与所述引线框架的顶面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交，第三方向与所述引线框架的顶面垂直；所述电磁屏蔽结构包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽罩包括覆盖于所述第一功能芯片上的第一平台部和覆盖于所述引线框架上的第二平台部，所述第二平台部与所述引线框架电连接；
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属屏蔽罩中的所述第四平台部在所述第三方向上位于所述第三平台部下方，所述第四平台部与所述引线框架直接电连接；或者，所述第四平台部与所述引线框架间接电连接。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽罩还包括连接于所述第一平台部与所述第二平台部之间的第一侧壁，所述第一侧壁全环绕或者半环绕所述第一功能芯片的侧面分布；
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括多条沿第二方向排布的所述金属条带，所述金属条带为铜带或铝带。
9.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括沿第二方向排布的多条焊线；
10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述连接部下方的所述引线框架的表面上设置有至少一个第三芯片，所述第三芯片在所述第一方向上位于所述第一功能芯片和第二功能芯片之间。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第三芯片包括芯片或者被动元件中一种或几种。
12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，当所述第三芯片的数量为两个或两个以上时，多个所述第三芯片沿所述第二方向排布。
13.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：
14.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
15.根据权利要求14所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片沿第一方向排布，所述第一方向与所述引线框架的顶面平行，第二方向与所述引线框架的顶面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交，第三方向与所述引线框架的顶面垂直；贴装电磁屏蔽结构于所述引线框架上的具体步骤包括：
16.根据权利要求15所述的封装结构的形成方法，其特征在于，贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上之前，还包括如下步骤：
17.根据权利要求16所述的封装结构的形成方法，其特征在于，贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上的具体步骤包括：
18.根据权利要求16所述的封装结构的形成方法，其特征在于，贴装第一金属屏蔽罩和第二金属屏蔽罩于所述引线框架上的具体步骤包括：
19.根据权利要求16所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述连接部包括金属条带；形成连接所述第一金属屏蔽罩和所述第二金属屏蔽罩的连接部于所述引线框架上的具体步骤包括：
20.根据权利要求16所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成连接所述第一金属屏蔽罩和所述第二金属屏蔽罩的连接部于所述引线框架上的具体步骤包括：
21.根据权利要求16所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成连接所述第一金属屏蔽罩和所述第二金属屏蔽罩的连接部于所述引线框架上之后，还包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功能芯片和所述第二功能芯片沿第一方向排布，所述第一方向与所述引线框架的顶面平行，第二方向与所述引线框架的顶面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交，第三方向与所述引线框架的顶面垂直；所述电磁屏蔽结构包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽罩包括覆盖于所述第一功能芯片上的第一平台部和覆盖于所述引线框架上的第二平台部，所述第二平台部与所述引线框架电连接；
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属屏蔽罩中的所述第四平台部在所述第三方向上位于所述第三平台部下方，所述第四平台部与所述引线框架直接电连接；或者，所述第四平台部与所述引线框架间接电连接。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽罩还包括连接于所述第一平台部与所述第二平台部之间的第一侧壁，所述第一侧壁全环绕或者半环绕所述第一功能芯片的侧面分布；
7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括金属条带，所述金属条带的一端与所述第一金属屏蔽罩连接、另一端与所述第二金属屏蔽罩连接。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括多条沿第二方向排布的所述金属条带，所述金属条带为铜带或铝带。
9.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括沿第二方向排布的多条焊线；
10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述连接部下方的所述引线框架的表面上设置有至少一个第三芯片，所述第三芯片在所述第一方向上位于所述第一功能芯片和第二功能芯片之间。
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆惠芬，熊卫军，刘恺，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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