System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 钙钛矿电池组件及其制造方法技术_技高网

钙钛矿电池组件及其制造方法技术

技术编号:42506706 阅读:9 留言:0更新日期:2024-08-22 14:21
本发明专利技术提供了一种钙钛矿电池组件及其制造方法。其中,钙钛矿电池组件包括层叠设置的底电极层、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层以及顶电极层,所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层传输的载流子极性相反;其中,所述钙钛矿电池组件还包括P1刻蚀槽、P2刻蚀槽和P3刻蚀槽,所述P1刻蚀槽贯穿所述底电极层,所述P1刻蚀槽的截面呈倒梯形。本发明专利技术设置P1刻蚀槽的截面呈倒梯形,可以使得第一电荷传输层的覆盖更全面,减少了钙钛矿层与底电极层的载流子复合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及太阳能电池,尤其涉及一种钙钛矿电池组件及其制造方法


技术介绍

1、矿电池被视为最具有应用潜力的新型高效率太阳能电池之一,其光电转换效率已与晶硅薄膜电池相媲美,但是其电池长期稳定性远未达到商业化要求。

2、钙钛矿电池组件通常是经过多道激光划线工艺将其子电池进行串并联,在激光划线刻蚀过程中,钙钛矿可能会与透明导电玻璃(transparent conductive oxides,tco)接触,造成额外的载流子复合;其次,p2槽作为互联区域,其上下电极接触面积有限,影响组件串阻和发电效率。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供钙钛矿电池组件及其制造方法,解决钙钛矿容易通过p1槽与底电极层接触,p2槽电极间接触面积小的问题。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种钙钛矿电池组件,包括层叠设置的底电极层、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层以及顶电极层,所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层传输的载流子极性相反;其中,所述钙钛矿电池组件还包括p1刻蚀槽、p2刻蚀槽和p3刻蚀槽,所述p1刻蚀槽贯穿所述底电极层,所述p1刻蚀槽的截面呈倒梯形。

3、可选地,所述p2刻蚀槽贯穿所述第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层,所述p2刻蚀槽还刻蚀部分所述底电极层。

4、可选地,所述p2刻蚀槽的截面呈直角梯形,所述直角梯形的斜边位于所述底电极层。

5、可选地,所述p3刻蚀槽贯穿所述顶电极层。

6、可选地,所述底电极层的厚度为300-600nm。

7、可选地,所述第一电荷传输层的厚度为10-30nm,所述第二电荷传输层的厚度为20-50nm。

8、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种钙钛矿电池组件的制造方法,包括:在底电极层上进行激光p1刻线,形成截面呈倒梯形的p1刻蚀槽,所述p1刻蚀槽贯穿所述底电极层;在p1刻线后的所述底电极层依次沉积第一电荷传输层、钙钛矿层和第二电荷传输层,所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层传输的载流子极性相反;在所述第二电荷传输层、钙钛矿层、第一电荷传输层和所述底电极层上进行激光p2刻线,形成p2刻蚀槽;在p2刻线后的所述第二电荷传输层上沉积顶电极层,在所述顶电极层进行激光p3刻线,形成p3刻蚀槽。

9、可选地,在所述底电极层上进行激光p1刻线,形成截面呈倒梯形的p1刻蚀槽包括:利用第一激光束进行竖直刻线;将第一激光束穿过凸透镜得到第二激光束,所述第二激光束的中心激光能量大于两侧激光能量;通过所述第二激光束进行斜边刻线,得到截面呈倒梯形的p1刻蚀槽。

10、可选地,所述p2刻蚀槽的截面呈直角梯形,所述直角梯形的斜边位于所述底电极层。

11、可选地,通过如下步骤形成p2刻蚀槽:利用第一激光束进行竖直刻线,通过所述第一激光束贯穿所述第二电荷传输层、钙钛矿层和第一电荷传输层;将所述第一激光束穿过凸透镜得到第二激光束,所述第二激光束的中心激光能量大于两侧激光能量;通过所述第二激光束对所述底电极层进行斜边刻线,得到截面呈直角梯形的p2刻蚀槽。

12、与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:

13、本专利技术的钙钛矿电池组件及其制造方法,一方面,设置p1刻蚀槽的截面呈倒梯形,可以使得第一电荷传输层的覆盖更全面,减少了钙钛矿层与底电极层的载流子复合;另一方面,设置p2刻蚀槽的截面呈直角梯形,直角梯形的斜边位于底电极层上,在死区面积不变的情况下,使得顶电极层与底电极层的接触面积增大,减少了接触电阻,提升了电池效率。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿电池组件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述P2刻蚀槽贯穿所述第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层,所述P2刻蚀槽还刻蚀部分所述底电极层。

3.如权利要求2所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述P2刻蚀槽的截面呈直角梯形,所述直角梯形的斜边位于所述底电极层。

4.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述P3刻蚀槽贯穿所述顶电极层。

5.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述底电极层的厚度为300-600nm。

6.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述第一电荷传输层的厚度为10-30nm,所述第二电荷传输层的厚度为20-50nm。

7.一种钙钛矿电池组件的制造方法,其特征在于,包括:

8.如权利要求7所述的钙钛矿电池组件的制造方法,其特征在于,在所述底电极层上进行激光P1刻线,形成截面呈倒梯形的P1刻蚀槽包括:

9.如权利要求7所述的钙钛矿电池组件的制造方法,其特征在于,所述P2刻蚀槽的截面呈直角梯形,所述直角梯形的斜边位于所述底电极层。

10.如权利要求9所述的钙钛矿电池组件的制造方法,其特征在于,通过如下步骤形成P2刻蚀槽:

...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿电池组件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述p2刻蚀槽贯穿所述第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层,所述p2刻蚀槽还刻蚀部分所述底电极层。

3.如权利要求2所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述p2刻蚀槽的截面呈直角梯形,所述直角梯形的斜边位于所述底电极层。

4.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述p3刻蚀槽贯穿所述顶电极层。

5.如权利要求1所述的钙钛矿电池组件,其特征在于,所述底电极层的厚度为300-600nm。

6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨蒙蒙曾海鹏卢晨星张学玲
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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