【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种用于端面腐蚀机的破真空装置及其控制方法。
技术介绍
1、硅片腐蚀是指利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取反射率较低的表面织构。
2、硅片上做有源器件的区域，光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺，光刻主要包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序，刻蚀中常用的一种湿法腐蚀是boe腐蚀。
3、由于腐蚀液一般为碱性溶液不能使用操作人员的手去实现硅片腐蚀过程，硅片的刻蚀和腐蚀工艺在端面腐蚀机中完成。此时通过机械臂上完成对硅片抓取及放置过程。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种用于端面腐蚀机的破真空装置及其控制方法，其具有结构紧凑、操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了硅片在腐蚀工艺过程中提取与落料的问题。实现对硅片无损吸取、转运和放置的工艺过程，提高硅片的良品率。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种用于端面腐蚀机的破真空装置，包括硅片吸盘，所述的硅片吸盘上设有吸取组件和脱落组件，所述的硅片吸盘与吸取组件间、硅片吸盘与脱落组件间设有三通连接件。所述的吸取组件包括真空第一主管道，所述的真空第一主管道与三通连接件间设有真空第二主管道，所述的真空第二主管道与真空第一主管道间设有真空单向电磁阀。
4、作为
5、作为优选，所述的硅片吸盘与三通连接件间设有吸盘管道。
6、一种破真空装置的控制方法包括如下操作步骤：
7、第一步：真空第一主管道与厂务端真空供应管道连通固定，氮气第一主管道与厂务氮气供应管道连通固定。
8、第二步：端面腐蚀机运行，氮气单向电磁阀关闭状态，真空单向电磁阀打开状态；真空第一主管道处开始负压抽真空，通过真空单向电磁阀进入真空第二主管道，通过三通连接件进入吸盘管道，在硅片吸盘处产生一定的负压吸力，从而吸住硅片。
9、第三步：端面腐蚀机的机械臂吸取硅片后，送入端面腐蚀机进行腐蚀工艺。
10、第四步：完成硅片腐蚀工艺后，机械臂吸附硅片至转运片盒处，进行破真空落料过程；氮气单向电磁阀打开状态，真空单向电磁阀关闭状态；氮气输入氮气第一主管道，通过真空单向电磁阀，进入氮气第二主管道，通过三通连接件进入吸盘管道，最后在硅片吸盘处产生正压吹力，使得硅片从吸盘上脱落，完成破真空过程。
11、作为优选，厂务氮气的供应压力为0.50～0.70mpa；厂务端真空的供应压力为-80±10kpa。
12、作为优选，在端面腐蚀机工作时，当硅片吸盘吸住硅片，只需真空单向电磁阀导通，通过plc控制器实现氮气单向电磁阀与真空单向电磁阀电气互锁，最终将在硅片吸盘处产生一个吸力，吸住硅片。
13、作为优选，当需要破真空时，氮气单向电磁阀导通，通过plc控制器实现氮气单向电磁阀与真空单向电磁阀电气互锁，正压力的氮气进入硅片吸盘管道产生一个吹力，吸盘管道中的真空，在重力和氮气吹力下硅片吸盘处实现硅片自动脱落。
14、电气互锁为电气控制方式，即作用的两个电气部件不能同时工作。
15、本专利技术能够达到如下效果：
16、本专利技术提供了一种用于端面腐蚀机的破真空装置及其控制方法，与现有技术相比较，具有结构紧凑、操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了硅片在腐蚀工艺过程中提取与落料的问题。实现对硅片无损吸取、转运和放置的工艺过程，提高硅片的良品率。
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1.一种用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：包括硅片吸盘（6），所述的硅片吸盘（6）上设有吸取组件和脱落组件，所述的硅片吸盘（6）与吸取组件间、硅片吸盘（6）与脱落组件间设有三通连接件（4）；所述的吸取组件包括真空第一主管道（9），所述的真空第一主管道（9）与三通连接件（4）间设有真空第二主管道（7），所述的真空第二主管道（7）与真空第一主管道（9）间设有真空单向电磁阀（8）。
2.根据权利要求1所述的用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：所述的脱落组件包括氮气第一主管道（1），所述的氮气第一主管道（1）与三通连接件（4）间设有氮气第二主管道（3），所述的氮气第一主管道（1）与氮气第二主管道（3）间设有氮气单向电磁阀（2）。
3.根据权利要求2所述的用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：所述的硅片吸盘（6）与三通连接件（4）间设有吸盘管道（5）。
4.根据权利要求3所述的破真空装置的控制方法，其特征在于包括如下操作步骤：
5.根据权利要求4所述的破真空装置的控制方法，其特征在于：厂务氮气的供应压力为0.50～0.70MPa；
6.根据权利要求4所述的破真空装置的控制方法，其特征在于：在端面腐蚀机工作时，当硅片吸盘（6）吸住硅片，只需真空单向电磁阀（8）导通，通过PLC控制器实现氮气单向电磁阀（2）与真空单向电磁阀（8）电气互锁，最终将在硅片吸盘（6）处产生一个吸力，吸住硅片。
7.根据权利要求4所述的破真空装置的控制方法，其特征在于：当需要破真空时，氮气单向电磁阀（2）导通，通过PLC控制器实现氮气单向电磁阀（2）与真空单向电磁阀（8）电气互锁，正压力的氮气进入硅片吸盘管道（5）产生一个吹力，吸盘管道（5）中的真空，在重力和氮气吹力下硅片吸盘（6）处实现硅片自动脱落。
...【技术特征摘要】
1.一种用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：包括硅片吸盘（6），所述的硅片吸盘（6）上设有吸取组件和脱落组件，所述的硅片吸盘（6）与吸取组件间、硅片吸盘（6）与脱落组件间设有三通连接件（4）；所述的吸取组件包括真空第一主管道（9），所述的真空第一主管道（9）与三通连接件（4）间设有真空第二主管道（7），所述的真空第二主管道（7）与真空第一主管道（9）间设有真空单向电磁阀（8）。
2.根据权利要求1所述的用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：所述的脱落组件包括氮气第一主管道（1），所述的氮气第一主管道（1）与三通连接件（4）间设有氮气第二主管道（3），所述的氮气第一主管道（1）与氮气第二主管道（3）间设有氮气单向电磁阀（2）。
3.根据权利要求2所述的用于端面腐蚀机的破真空装置，其特征在于：所述的硅片吸盘（6）与三通连接件（4）间设有吸盘管道（5）。
4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘銮辉，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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