【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的实施例涉及静电放电(esd)保护，并且更具体地，涉及用于使用双极结型晶体管(bjt)的esd保护的装置。
技术介绍
1、静电放电(esd)可导致集成电路故障，或者甚至可损坏集成电路。因此，集成电路可包括用于esd保护的组件，并且用于esd保护的组件可保护内部电路免受在集成电路的外部生成的esd的影响。由于半导体工艺的发展，包括在集成电路中的元件的大小可被减小，包括在集成电路中的元件的操作电压可被减小以降低功耗，并且输入到集成电路或从集成电路输出的信号的频率可被增大以实现高性能。因此，可能可期望用于esd保护的组件满足各种要求。
技术实现思路
1、专利技术构思的实施例提供了一种高效地提供静电放电(esd)保护的装置。
2、根据专利技术构思的方面，提供了一种装置，所述装置包括：第一阱，具有第一导电类型；第一栅电极，在第一阱上沿第一水平方向延伸；第一区域和第二区域，第一区域和第二区域均具有第二导电类型并且在第一阱上沿第二水平方向彼此间隔开，并且第一栅电极设置在第一区域与第二区域之间，第二水平方向与第一水平方向交叉；第三区域，具有第二导电类型并且在第一阱上沿第二水平方向与第二区域间隔开；以及第四区域，具有第一导电类型并且在第一阱上沿第二水平方向与第三区域间隔开。第一栅电极和第一区域电连接到第一节点，并且第三区域电连接到第二节点。
3、根据专利技术构思的方面，提供了一种装置，所述装置包括：第一n沟道场效应晶体管(nfet)，包括第一栅极、第一漏极和第一源
4、根据专利技术构思的方面，提供了一种装置，所述装置包括：第一nfet和第二nfet，第一nfet和第二nfet均具有电连接到第一节点的栅极，并且共享电连接到第一节点的漏极；以及第一npn双极晶体管和第二npn双极晶体管，第一npn双极晶体管和第二npn双极晶体管均具有电连接到第二节点的发射极。第一nfet的源极和第一npn双极晶体管的发射极与一个第一n型区域对应，并且第二nfet的源极和第二npn双极晶体管的发射极与一个第二n型区域对应。
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1.一种用于静电放电保护的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的装置，其中，第五区域电连接到第二节点。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：
5.根据权利要求1所述的装置，还包括：
6.根据权利要求1所述的装置，其中，第四区域电连接到第二节点。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的装置，还包括：
10.一种用于静电放电保护的装置，包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中，第一基极与p阱对应，并且第一n型区域设置在p阱上。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，第一栅极和第一漏极设置在p阱上。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，第一基极电连接到第二节点。
14.根据权利要求10所述的装置，还包括：
15.根据权利要求10所述的装置，还包括：
16.根据权利要求10所述的装置，还包括：
17.一种用于静电放电保护的装置，包括：
18.根据权利要求17所述的装置，其中，第一NPN双极晶体管和第二NPN双极晶体管与一个p阱对应，并且
19.根据权利要求18所述的装置，其中，第一NPN双极晶体管和第二NPN双极晶体管的漏极、栅极和发射极设置在所述一个p阱上。
20.根据权利要求17所述的装置，其中，第一NPN双极晶体管和第二NPN双极晶体管中的每个的基极电连接到第二节点。
...【技术特征摘要】
1.一种用于静电放电保护的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的装置，其中，第五区域电连接到第二节点。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：
5.根据权利要求1所述的装置，还包括：
6.根据权利要求1所述的装置，其中，第四区域电连接到第二节点。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的装置，还包括：
10.一种用于静电放电保护的装置，包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中，第一基极与p阱对应，并且第一n型区域设置在p阱上。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，第...
【专利技术属性】
技术研发人员：权赫勳，全灿熙，都擎逸，李美珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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