【技术实现步骤摘要】
本专利技术尤其涉及与弹性缓冲器相关的系统、方法和技术。
技术介绍
1、以下论述涉及与本专利技术有关的某些背景信息。然而，应理解，只有本文清楚、明确并且具体地描述为“常规”或“现有技术”的知识才既定如此表征。其它一切内容应理解为源于本案专利技术人的知识和/或洞察。
2、在多种情形中，在不同时钟域中操作的系统或系统的部分需要彼此通信。即使当标称时钟速度相同时，任何两个非同步时钟之间也始终存在变化。常规地使用弹性缓冲器来解决此问题，将数据从第一时钟域写入到弹性缓冲器中，且以先进先出的方式从弹性缓冲器异步地将数据读取到第二时钟域中。本专利技术涉及改进的弹性缓冲器设计，例如其可适应多种不同环境，尤其是常规设计原本难以适应的环境。
技术实现思路
1、本专利技术的一个实施例是针对一种弹性缓冲器模块，所述弹性缓冲器模块包括：存储器单元，其被配置为存储器元件的阵列；写入索引控制模块，其指定所述存储器元件的范围，其中将来自输入数据内的输入字序列的写入字写入到所述存储器单元中；以及读取索引控制模块，其指定所述存储器元件的范围，其中将读取字从所述存储器单元读取并作为输出数据中的读取字序列的一部分输出。所述输入字具有第一位宽，所述读取字具有第二位宽，所述第二位宽是所述第一位宽的非整数倍，且所述第一位宽是所述第二位宽的非整数倍。
2、另一实施例是针对一种弹性缓冲器模块，所述弹性缓冲器模块包括：存储器单元，其被配置为可单独寻址的单个位存储器元件的阵列；写入索引控制模块，其指定所述单个位存
3、又一实施例是针对一种弹性缓冲器模块，所述弹性缓冲器模块包括：存储器单元，其被配置为存储器元件的阵列；写入索引控制模块，其指定所述存储器元件的写入范围，其中将来自输入数据内的输入字序列的写入字写入到所述存储器单元中；第一读取索引控制模块，其指定所述存储器元件的第一范围，其中将第一读取字从所述存储器单元读取并作为输出数据中的读取字的第一序列的一部分输出；以及第二读取索引控制模块，其指定所述存储器元件的第二范围，其中将第二读取字作为读取字的第二序列的一部分从所述存储器单元读取。所述写入字具有写入位宽，所述第一读取字具有第一读取位宽，且所述第二读取字具有第二读取位宽。所述第一和第二读取位宽中的至少一个读取位宽是所述写入位宽的非整数倍，且所述写入位宽是所述第一和第二读取位宽中的所述至少一个读取位宽的非整数倍。
4、以上实施例的某些更具体的实施方案包括以下特征中的一个或任何组合。
5、存储器元件是可单独寻址的单个位存储器元件。
6、输入字以第一时钟速率循序地写入到存储器单元中，读取字以第二时钟速率从存储器单元循序地读取，第二时钟速率是第一时钟速率的非整数倍，且第一时钟速率是第二时钟速率的非整数倍。
7、第一位宽乘以第一时钟速率等于第二位宽乘以第二时钟速率。
8、弹性缓冲器模块还包括中央控制单元，其检测低缓冲器填充条件和高缓冲器填充条件，且作为响应致使插入或删除时钟偏斜校正符号，以便维持所要的缓冲器填充水平范围。
9、当检测到低缓冲器填充条件时，将不在输入数据内的至少一个另外的时钟偏斜校正符号写入到存储器单元中，且当检测到高缓冲器填充条件时，不将在输入数据内的至少一个时钟偏斜校正符号写入到存储器单元中。
10、当检测到高缓冲器填充条件时，数据写入暂停，例如这意味着传入的输入数据或输入数据字被跳过，即不写入到存储器单元中。优选地，这仅在输入数据中存在时钟偏斜校正符号时发生，因此仅暂停此类符号的写入。
11、当检测到高缓冲器填充条件时，仅将写入字中的位的子集写入到存储器单元中。
12、输入字以第一时钟速率循序地写入到存储器单元中，读取字以第二时钟速率从存储器单元循序地读取，第二时钟速率是第一时钟速率的非整数倍，且第一时钟速率是第二时钟速率的非整数倍。
13、输入字以写入时钟速率循序地写入到存储器单元中，第一读取字以第一读取时钟速率从存储器单元循序地读取，第二读取字以第二读取时钟速率从存储器单元循序地读取，且其中写入时钟速率是第一读取时钟速率或第二读取时钟速率中的至少一个读取时钟速率的非整数倍，且第一读取时钟速率或第二读取时钟速率中的所述至少一个读取时钟速率是写入时钟速率的非整数倍。
14、写入位宽乘以写入时钟速率等于第一读取位宽乘以第一读取时钟速率，且等于第二读取位宽乘以第二读取时钟速率。
15、弹性缓冲器模块还包括：第一中央控制单元，其检测第一低缓冲器填充条件和第一高缓冲器填充条件，且作为响应致使插入或删除时钟偏斜校正符号，以便相对于第一读取字的读取维持所要第一缓冲器填充水平范围；以及第二中央控制单元，其检测第二低缓冲器填充条件和第二高缓冲器填充条件，且作为响应致使插入或删除时钟偏斜校正符号，以便相对于第二读取字的读取维持第二所要缓冲器填充水平范围。
16、当检测到第一低缓冲器填充条件时，将并非从存储器单元读取的至少一个另外的时钟偏斜校正符号插入到输出数据中，当检测到第一高缓冲器填充条件时，推进第一范围，借此跳过读取存储器单元内的至少一个时钟偏斜校正符号，当检测到第二低缓冲器填充条件时，将并非从存储器单元读取的至少一个另外的时钟偏斜校正符号插入到读取字的第二序列中，且当检测到第二高缓冲器填充条件时，推进第二范围，借此跳过读取存储器单元内的至少一个时钟偏斜校正符号。
17、前述概述仅旨在提供对本专利技术的某些方面的简要描述。通过结合附图参考权利要求书和对优选实施例的以下详细描述，可以获得对本专利技术的更完整理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种弹性缓冲器模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述存储器元件是能够单独寻址的单个位存储器元件。
3.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述输入字以第一时钟速率循序地写入到所述存储器单元中，所述读取字以第二时钟速率从所述存储器单元循序地读取，所述第二时钟速率是所述第一时钟速率的非整数倍，且所述第一时钟速率是所述第二时钟速率的非整数倍。
4.根据权利要求3所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述第一位宽乘以所述第一时钟速率等于所述第二位宽乘以所述第二时钟速率。
5.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，另外包括中央控制单元，所述中央控制单元检测低缓冲器填充条件和高缓冲器填充条件，且作为响应致使插入或删除时钟偏斜校正符号，以便维持所要的缓冲器填充水平范围。
6.根据权利要求5所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，当检测到所述低缓冲器填充条件时，将不在所述输入数据内的至少一个另外的时钟偏斜校正符号写入到所述存储器单元中，且当检测到所述高缓冲器填充条件时，不将在所
7.根据权利要求6所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，当检测到所述高缓冲器填充条件时，暂停数据写入或者仅将所述写入字中的位的子集写入到所述存储器单元中。
8.一种弹性缓冲器模块，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述输入字以第一时钟速率循序地写入到所述存储器单元中，所述读取字以第二时钟速率从所述存储器单元循序地读取，所述第二时钟速率是所述第一时钟速率的非整数倍，且所述第一时钟速率是所述第二时钟速率的非整数倍。
10.一种弹性缓冲器模块，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种弹性缓冲器模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述存储器元件是能够单独寻址的单个位存储器元件。
3.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述输入字以第一时钟速率循序地写入到所述存储器单元中，所述读取字以第二时钟速率从所述存储器单元循序地读取，所述第二时钟速率是所述第一时钟速率的非整数倍，且所述第一时钟速率是所述第二时钟速率的非整数倍。
4.根据权利要求3所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，所述第一位宽乘以所述第一时钟速率等于所述第二位宽乘以所述第二时钟速率。
5.根据权利要求1所述的弹性缓冲器模块，其特征在于，另外包括中央控制单元，所述中央控制单元检测低缓冲器填充条件和高缓冲器填充条件，且作为响应致使插入或删除时钟偏斜校正符号，以便维持所要的缓冲器填充水平范围。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿林达姆·达斯古普塔，兰詹·库马尔·萨胡，阿南德·希尔瓦尔，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。