【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及谐振器，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、随着无线通讯技术的快速发展，更高频段收发信息的设备越来越多，对射频前端电路的要求越来越苛刻，因此高性能滤波器的市场需求越来越大。体声波滤波器凭借其高品质因子、带外抑制好、高矩形系数等特点，正逐渐成为市场的主流。
2、体声波滤波器是由多个谐振器按特定电路级联构成。高性能滤波器需要高性能谐振器，高性能谐振器具有高品质因子，高品质因子能让滤波器具有更小的插入损耗和更陡峭的滚降特性，拥有更优越的滤波性能。综上所述，制备稳定性高、性能优越的谐振器非常重要。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，以提升薄膜体声波谐振器中膜层的生长质量，优化薄膜体声波谐振器的性能。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：
3、衬底；
4、牺牲层，位于所述衬底的一侧，所述牺牲层中包括第一空腔，所述第一空腔沿所述牺牲层的厚度方向贯穿所述牺牲层；
5、辅助生长层，位于所述牺牲层背离所述衬底的一侧，沿所述牺牲层的厚度方向，所述辅助生长层与所述第一空腔至多部分交叠；
6、第一压电层，位于所述辅助生长层背离所述牺牲层的一侧，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第一压电层与所述第一空腔交叠；其中，形成所述第一压电层的材料与形成所述辅助生长层的材料之间的晶格匹配程度，高于形成所述第一压电层的材料与形成所述牺牲层的材料之间的晶
7、堆叠谐振结构，位于所述第一压电层背离所述辅助生长层的一侧。
8、可选的，所述辅助生长层中包括第二空腔，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第二空腔与所述第一空腔交叠；
9、沿所述牺牲层的厚度方向，所述第一压电层与所述第二空腔交叠。
10、可选的，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第一空腔和所述第二空腔重合。
11、可选的，所述堆叠谐振结构包括层叠设置的第一电极、第二压电层和第二电极；
12、所述第一电极位于所述第一压电层背离所述辅助生长层的一侧；
13、所述第二压电层位于所述第一电极背离所述第一压电层的一侧；
14、所述第二电极位于所述第二压电层背离所述第一电极的一侧；
15、其中，所述第二压电层的厚度大于或等于所述第一压电层的厚度。
16、可选的，所述薄膜体声波谐振器还包括第三压电层，所述第三压电层位于所述第二电极背离所述第二压电层的一侧。
17、可选的，所述牺牲层包括牺牲层主体，所述牺牲层主体环绕所述第一空腔；
18、所述薄膜体声波谐振器还包括挡墙结构，所述挡墙结构与所述牺牲层位于所述衬底的一侧，且沿平行所述牺牲层所在平面的方向，所述挡墙结构位于所述第一空腔与所述牺牲层主体之间。
19、可选的，所述薄膜体声波谐振器还包括释放孔，沿所述牺牲层的厚度方向，所述释放孔至少贯穿所述第一压电层和所述堆叠谐振结构并与所述第一空腔连通。
20、可选的，所述辅助生长层包括碳化硅辅助生长层。
21、第二方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，用于制备本专利技术第一方面所述的薄膜体声波谐振器，所述制备方法包括：
22、提供衬底；
23、在所述衬底的一侧表面依次制备牺牲层、辅助生长层、第一压电层和堆叠谐振结构；
24、其中，所述牺牲层中包括第一空腔，所述第一空腔沿所述牺牲层的厚度方向贯穿所述牺牲层，沿所述牺牲层的厚度方向，所述辅助生长层与所述第一空腔至多部分交叠，所述第一压电层与所述第一空腔交叠；形成所述第一压电层的材料与形成所述辅助生长层的材料之间的晶格匹配程度，高于形成所述第一压电层的材料与形成所述牺牲层的材料之间的晶格匹配程度。
25、可选的，在所述衬底的一侧表面依次制备牺牲层、辅助生长层、第一压电层和堆叠谐振结构，包括：
26、在所述衬底的一侧表面制备所述牺牲层；
27、在所述牺牲层背离所述衬底的一侧表面制备所述辅助生长层；
28、对所述牺牲层和所述辅助生长层进行刻蚀，去除部分区域的所述牺牲层和所述辅助生长层，形成挡墙设置区；
29、在所述挡墙设置区内制备挡墙结构；所述挡墙结构围绕部分所述牺牲层和所述辅助生长层；
30、在所述辅助生长层和所述挡墙结构背离所述衬底的一侧制备所述第一压电层；
31、在所述第一压电层背离所述衬底的一侧制备所述堆叠谐振结构；
32、对所述辅助生长层、所述第一压电层和所述堆叠谐振结构进行刻蚀，去除部分区域的所述辅助生长层、所述第一压电层和所述堆叠谐振结构，形成释放孔；
33、通过所述释放孔去除所述挡墙结构所围绕的部分所述牺牲层和所述辅助生长层，以在所述牺牲层中形成第一空腔，在所述辅助生长层中形成第二空腔。
34、专利技术实施例中，通过在薄膜体声波谐振器的牺牲层与堆叠结构之间设置依次层叠的辅助生长层和第一压电层，由于辅助生长层材料与第一压电层材料的晶格程度匹配程度高于牺牲层材料与第一压电层材料的晶格程度匹配程度，在辅助生长层上方生长的第一压电层的薄膜质量较高，可为后续堆叠谐振结构各膜层的生长提供较好的生长基底，保证谐振堆叠结构各膜层的生长质量，增加薄膜体声波谐振器的q值，极大程度提升薄膜体声波谐振器性能。
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1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述辅助生长层中包括第二空腔，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第二空腔与所述第一空腔交叠；
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第一空腔和所述第二空腔重合。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述堆叠谐振结构包括层叠设置的第一电极、第二压电层和第二电极；
5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括第三压电层，所述第三压电层位于所述第二电极背离所述第二压电层的一侧。
6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述牺牲层包括牺牲层主体，所述牺牲层主体环绕所述第一空腔；
7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括释放孔，沿所述牺牲层的厚度方向，所述释放孔至少贯穿所述第一压电层和所述堆叠谐振结构并与所述第一空腔连通。
8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，
9.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧表面依次制备牺牲层、辅助生长层、第一压电层和堆叠谐振结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述辅助生长层中包括第二空腔，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第二空腔与所述第一空腔交叠；
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，沿所述牺牲层的厚度方向，所述第一空腔和所述第二空腔重合。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述堆叠谐振结构包括层叠设置的第一电极、第二压电层和第二电极；
5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括第三压电层，所述第三压电层位于所述第二电极背离所述第二压电层的一侧。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩金钊，蔡耀，代金豪，孙博文，孙成亮，国世上，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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