【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/111,676号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年2月20日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件。特别是有关于一种半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、lpddr4(低功率双倍数据速率4)存储器是ddr4(双倍数据速率4)存储器的行动等效物。与ddr4存储器相比，lpddr4存储器以带宽为代价降低功耗。lpddr4具有双16位元通道，因此每个dimm总汇流排数为32位元。相比之下，ddr4的每个dimm具有一个64位元通道。lpddr4借由采用更宽的16n个预取来弥补这一点，每个通道总共(16字×16位元)256位元，是两个通道总和的两倍。
2、此外，lpddr4x将lpddr4的i/o电压(即vddq)降低了大约50％(即1.1v到0.6v)，显著降低存储器与存储器器控制器的功耗。此外，lpddr4将带宽从3200mb/s提升到4266mb/s。除了i/o电压与带宽外，lpddr4x在密度、i/o接口、odt_ca_pin、功率效率、模式寄存器组的设定等方面都与lpddr4不同。
3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一存储器单元阵列、一存储器接口、一第一周围电路以及一第二周围电路。该第一周围
2、本公开的另一实施例提供一种制备方法，其包括下列步骤：使用一组遮罩而制造多个半导体元件在一硅晶圆上；以及切割来自该硅晶圆的每一个半导体元件，并将每一个半导体元件封装到一存储器芯片中。每一个存储器芯片包括支援一第一存储器定与一第二存储器协定的一存储器接口以及一存储器单元阵列。该第一存储器协定不同于该第二存储器协定。
3、本公开的另一实施例提供一种制备方法，其包括下列步骤：获取使用一组遮罩而制造在一硅晶圆上的多个存储器芯片，其中每一个存储器芯片包括一存储器接口、一电子熔丝、一第一周围电路、一第二周围电路以及一存储器单元阵列；将多个存储器芯片分为一第一类以及一第二类；熔断该电子熔丝而断开该存储器接口与在该第一类别中的每一个存储器芯片的该第二周围电路的连接，以支援该第一存储器协定；以及熔断该电子熔丝以断开该存储器接口与在该第二类中的每一个存储器芯片的该第一周围电路的连接，以支援一第二存储器协定。该第二存储器协定不同于该第一存储器协定。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一电压侦测器，经配置以侦测该半导体元件是使用该第一存储器协定或是该第二存储器协定。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该电压侦测器定义一临界电压，并确定提供到该半导体元件的一外部电源供应电压是否高于或是等于该临界电压。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压高于或等于该临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该存储器接口连接到该第一周围电路。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压低于该临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该存储器接口连接到该第二周围电路。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该电压侦测器包括一分压器，经配置以定义该临界电压，且该分压器包括一第一电阻器以及一第二电阻器，其中该第一电阻器具有一固定电阻值，且该第二电阻器是具有一可变电阻值的一电位计。
7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括：
8.如权利要求2所述的半导体元件，其中该电压侦测器定义一第一临界
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中响应于确定提供到该半导体元件的一外部电供应电压高于或等于该第一临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该第一周围电路连接到该存储器接口。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压小于该第二临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该第二周围电路连接到该存储器接口。
11.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一存储器协定是LPDDR4(低功率双倍数据速率4)，且该第二存储器协定是LPDDR4X(低功率双倍数据速率4X)。
12.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一存储器协定是LPDDR5(低功率双倍数据速率5)，且该第二存储器协定是LPDDR5X(低功率双倍数据速率5X)。
13.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件使用一组遮罩而制造在一硅晶圆上。
14.如权利要求2所述的半导体元件，其中该存储器接口的I/O(输入/输出)引脚定义响应于该半导体元件所使用的该第一存储器协定或该第二存储器协定而改变。
15.一种半导体元件的制备方法，包括：
16.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，其中该半导体元件还包括一第一周围电路以及一第二周围电路，该第一周围电路支援该第一存储器协定，该第二周围电路支援该第二存储器协定，其中该第一周围电路与该第二周围电路共用该存储器单元阵列与该存储器接口。
17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，其中该半导体元件还包括一电压侦测器，且该半导体元件的制备方法还包括利用该电压侦测器侦测该存储器芯片是使用该第一存储器协定或该第二存储器协定。
18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，还包括：
19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，还包括：
20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一电压侦测器，经配置以侦测该半导体元件是使用该第一存储器协定或是该第二存储器协定。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该电压侦测器定义一临界电压，并确定提供到该半导体元件的一外部电源供应电压是否高于或是等于该临界电压。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压高于或等于该临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该存储器接口连接到该第一周围电路。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压低于该临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该存储器接口连接到该第二周围电路。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该电压侦测器包括一分压器，经配置以定义该临界电压，且该分压器包括一第一电阻器以及一第二电阻器，其中该第一电阻器具有一固定电阻值，且该第二电阻器是具有一可变电阻值的一电位计。
7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括：
8.如权利要求2所述的半导体元件，其中该电压侦测器定义一第一临界电压以及一第二临界电压，且该第一临界电压高于该第二临界电压。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中响应于确定提供到该半导体元件的一外部电供应电压高于或等于该第一临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器将该第一周围电路连接到该存储器接口。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中响应于确定该外部电源供应电压小于该第二临界电压的该电压侦测器，该电压侦测器...
【专利技术属性】
技术研发人员：王国强，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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