【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在半导体工艺中使用的绝缘膜制造方法。
技术介绍
1、通常，半导体制造工艺大致分为前端工艺和后端工艺。在前端工艺中包括氧化、沉积、光刻、蚀刻、离子注入、布线等工艺。
2、通过氧化工艺或沉积工艺在晶片上形成绝缘膜。即使在形成电路图案之后，绝缘膜防止发生漏电。在以后的蚀刻工艺中，绝缘膜还做保护膜的作用。因此，绝缘膜的质量特性，例如密度等，必须确保在一定水平以上。
3、然而，根据现有沉积工艺或氧化工艺形成的绝缘膜不具有足够水平的质量特性。为了改善所述问题，需要长时间的工艺，或者工艺温度必须过高。长时间的工艺等成为降低半导体制造工艺的效率的因素。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术的一目的在于，提供一种即使不需要过多的工艺时间及温度，也可以制造质量特性优异的绝缘膜的半导体工艺的绝缘膜制造方法。
3、解决问题的手段
4、为了实现所述课题，根据本专利技术的一侧面的半导体工艺的绝缘膜制造方法，可以包括：将晶片配置在处理室内的步骤；向所述处理室以高于大气压的第一压力供应源气体，随着进行氧化工艺和氮化工艺中的至少一种工艺，在所述晶片形成绝缘膜的步骤；向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体的步骤；以及向所述处理室以高于大气压的第二压力供应气氛气体，随着进行热处理工艺加强所述绝缘膜的步骤。
5、此处，所述第一压力可以是在5atm至20atm范围内确定的压力。
6、此处，向所述处理室以高于大气压的
7、此处，所述源气体可以包括氧气、水蒸气及氨气中的至少一种。
8、此处，向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体的步骤，可以在将所述处理室保持在所述第一压力及所述第一温度的状态下进行。
9、此处，所述吹扫气体可以包括氮气、氩气及氦气中的一种。
10、此处，所述第二压力可以是在5atm至20atm范围内确定的压力。
11、此处，所述气氛气体可以包括氢气、氘气及氮气中的至少一种。
12、此处，还可以包括在所述处理室保持在所述第一压力及所述第二压力中的一种压力的过程中，将容纳所述处理室的容纳空间保持在高于所述第一压力及所述第二压力中的一种压力的步骤。
13、专利技术效果
14、根据如上所述构成的本专利技术的半导体工艺的绝缘膜制造方法，通过以高于大气压的第一压力的源气体进行氧化工艺或氮化工艺，在晶片形成绝缘膜之后，以高于大气压的第二压力的气氛气体进行热处理工艺，从而，在加强绝缘膜时，即使不依赖于过多的工艺时间及温度，也可以提高绝缘膜的质量特性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述第一压力是在5ATM至20ATM范围内确定的压力。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，向所述处理室以高于大气压的第一压力供应源气体，随着进行氧化工艺和氮化工艺中的至少一种工艺，在所述晶片形成绝缘膜的步骤，包括将所述源气体保持在第一温度的步骤，
4.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述源气体包括氧气、水蒸气及氨气中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体的步骤，在将所述处理室保持在所述第一压力及所述第一温度的状态下进行。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述吹扫气体包括氮气、氩气及氦气中的一种。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述第二压力是在5ATM至20ATM范围内确定的压力。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘
9.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，还包括在所述处理室保持在所述第一压力及所述第二压力中的一种压力的过程中，将容纳所述处理室的容纳空间保持在高于所述第一压力及所述第二压力中的一种压力的步骤。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述第一压力是在5atm至20atm范围内确定的压力。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，向所述处理室以高于大气压的第一压力供应源气体，随着进行氧化工艺和氮化工艺中的至少一种工艺，在所述晶片形成绝缘膜的步骤，包括将所述源气体保持在第一温度的步骤，
4.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，所述源气体包括氧气、水蒸气及氨气中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体的步骤，在...
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