【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体清洗，尤其涉及一种硅片去蜡洗净方法、设备、介质及产品。
技术介绍
1、去蜡洗净机在清洗硅片过程中使用sc1药液进行清洗，由于氨水的挥发性能，故清洗过程中设置定时自动补液，以保证氨水的浓度。但加工过程中，硅片在进槽与出槽时会使槽内部分液体溢出和带走，彼时水平面使用吹氮方式感应液位线，当槽内液位出现下降，为了保障足够水循环，低于液位时会进行自动补水。随着洗净时间的推移，容易造成槽内双氧水浓度逐渐下降，氨水、双氧水药液浓度比例逐渐扩大，即氧化性偏弱，腐蚀性加大，彼时产品与洗净摇动部位接触的地方就会出现过度腐蚀，从而造成抛光片倒角污迹的发生，最终造成器件失效。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种硅片去蜡洗净方法、设备、介质及产品，至少用以解决硅片在去蜡洗净后出现倒角污迹的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了以下几个方面：
3、第一方面，本申请的一些实施例还提供了一种硅片去蜡洗净方法，方法包括将硅片放入sc1内槽、sc1外槽和sc1底槽进行清洗；通过注水管向所述sc1内槽补充纯水；通过药液管向所述sc1内槽补充氨水；在所述sc1外槽设置n2液位感应器,所述n2液位感应器中预设补水液位；当所述n2液位感应器检测到所述sc1外槽的液位低于补水液位时，控制所述注水管向所述sc1内槽补充纯水；当硅片在所述sc1内槽、sc1外槽或sc1底槽中的清洗周期时长达到预设时长后，控制所述药液管向所述sc1内槽补充氨水。
4、第二
5、第三方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现如上所述的方法。
6、第四方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
7、与相关技术相比，本申请实施例提供的方案中，通过调整外槽n2液位感应器至特定的高度避免了因硅片进出引起的液位波动对感应器的影响，提高了清洗过程中液位控制的准确性和稳定性；通过对氨水的补充方式进行改进，将原有的固定频率补液改为基于实际需要进行补液，更有效地控制氨水和双氧水的浓度比，防止了药液比例的不合理扩大，从而避免了过度腐蚀和污迹的产生。
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1.一种硅片去蜡洗净方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N2液位感应器中预设正常液位，所述正常液位与所述补水液位的高度差设置为3CM。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片在所述SC1内槽、SC1外槽或SC1底槽中的清洗周期包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设时长包括：
5.根据权利要求1至4任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
9.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序/指令，其特征在于，所述计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，其特征在于，该计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。
【技术特征摘要】
1.一种硅片去蜡洗净方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n2液位感应器中预设正常液位，所述正常液位与所述补水液位的高度差设置为3cm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片在所述sc1内槽、sc1外槽或sc1底槽中的清洗周期包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设时长包括：
5.根据权利要求1至4任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：栾莹，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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