【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钝化膜，具体为一种芯片的钝化膜及生产工艺。
技术介绍
1、钝化定义为在氧化条件下通过强阳极极化使得金属材料表面形成一层非常薄的保护层达到了阻碍腐蚀的一种状态，这就是钝化。金属表面的薄膜就是钝化膜。一些金属或合金在活化电位处或者在弱阳极极化情况下出现一层简单阻碍层从而降低了腐蚀速率，根据钝化的定义这种情况不属于钝化。钝化膜结构非常薄，厚度测量在1～10nm之间。
2、对芯片（比如led芯片）进行钝化处理，可以避免芯片与外界氛围的直接接触和避免杂质原子对芯片的吸附，有利于缓解外部应力对芯片的损伤，从而减少led侧壁表面漏电流，有效提高芯片的可靠性，是制作高亮度、大功率、高可靠性led器件的一个重要环节。但是现有技术中，芯片表面的钝化膜其耐腐蚀性还有待提高，导致芯片的使用寿命存在一定的局限性；为此，本专利技术提供了一种芯片的钝化膜及生产工艺以解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种芯片的钝化膜及生产工艺，解决了上述
技术介绍
中提到的问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种芯片的钝化膜，包括以下重量份原料：氮化硼纳米片40～60份、硅烷偶联剂kh-560 5～8份、无水乙醇12～17份、去离子水15～25份、水性环氧树脂3～5份、冰乙酸1～3份。
3、优选的，所述氮化硼纳米片的具体制备方法为：
4、s1、将氮化硼粉末与高锰酸钾粉末混合，并充分研磨；
5、s2
6、s3、置于0～2℃的冰水中反应10～12h；
7、s4、缓慢滴加20ml的过氧化氢；
8、s5、待反应完成后，离心，对上层清液进行抽滤，并对滤渣一次进行洗涤，干燥，即得氮化硼纳米片。
9、优选的，所述s1中，氮化硼粉末与高锰酸钾粉末按照质量比为1:（0.4～0.6）。
10、优选的，所述s3中，该反应在连续搅拌的条件下进行；所述s5中，离心速率为3000～3500r/min，离心时间为10～15min。
11、优选的，所述s5中，滤渣在真空条件下进行干燥，且干燥温度为40～50℃，干燥时间为36～48h。
12、一种芯片钝化膜的生产工艺，包括以下生产步骤：
13、步骤一、对氮化硼纳米片进行预处理，备用；
14、步骤二、向去离子水中依次倒入无水乙醇和硅烷偶联剂kh-560，搅拌，直至硅烷充分水解后，静置24～36h；
15、步骤三、再加入氮化硼纳米片和水性环氧树脂，搅拌均匀；
16、步骤四、滴加冰乙酸，继续搅拌，调节溶液ph；
17、步骤五、置于真空箱中抽真空30～40min，去除溶液中的气泡，即得液钝化；
18、步骤六、通过磁控溅射工艺设备制备芯片钝化膜，其中，所述磁控溅射工艺设备的参数设置为：真空度a≤3.0x10-6tomr，温度为30～50℃，射频功率为120～180w，ar气流量为20～40sccm，溅射速率为21～22nm/min。
19、优选的，所述步骤一中，氮化硼纳米片的具体预处理方法为：
20、p1、对氮化硼纳米片进行羟基化处理，然后置于对氨基苯甲酸-无水乙醇溶液中；
21、p2、然后加入催化剂，并升温，超声分散1～1.5h；
22、p3、继续升温，然后静置1～2h；
23、p4、待反应完成后，以6000～8000r/min的转速离心处理10～15min；
24、p5、倾倒上层清液，收集底层产物，并采用无水乙醇对其进行洗涤3～4次；
25、p6、最后置于50～60℃的真空环境中，干燥18～24h。
26、优选的，所述p2中，催化剂为硫酸。
27、优选的，所述p2中，升温至45～50℃；所述p3中，升温至60～70℃。
28、有益效果
29、本专利技术提供了一种芯片的钝化膜及生产工艺。与现有技术相比具备以下有益效果：该芯片的钝化膜及生产工艺，通过对氮化硼纳米片进行处理，再添加至钝化液中，有效提高了制备的钝化膜的耐腐蚀性能，从而提高了对芯片的防护效果，延长芯片的使用寿命。
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1.一种芯片的钝化膜，其特征在于，包括以下重量份原料：氮化硼纳米片40～60份、硅烷偶联剂KH-560 5～8份、无水乙醇12～17份、去离子水15～25份、水性环氧树脂3～5份、冰乙酸1～3份。
2.根据权利要求1所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述氮化硼纳米片的具体制备方法为：
3.根据权利要求2所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述S1中，氮化硼粉末与高锰酸钾粉末按照质量比为1:（0.4～0.6）。
4.根据权利要求2所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述S3中，该反应在连续搅拌的条件下进行；所述S5中，离心速率为3000～3500r/min，离心时间为10～15min。
5.根据权利要求2所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述S5中，滤渣在真空条件下进行干燥，且干燥温度为40～50℃，干燥时间为36～48h。
6.一种根据权利要求1所述的芯片钝化膜的生产工艺，其特征在于，包括以下生产步骤：
7.根据权利要求6所述的一种芯片钝化膜生产工艺，其特征在于：所述步骤一中，氮化硼纳米片的具体预处理方法
8.根据权利要求7所述的一种芯片钝化膜生产工艺，其特征在于：所述P2中，催化剂为硫酸。
9.根据权利要求7所述的一种芯片钝化膜生产工艺，其特征在于：所述P2中，升温至45～50℃；所述P3中，升温至60～70℃。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片的钝化膜，其特征在于，包括以下重量份原料：氮化硼纳米片40～60份、硅烷偶联剂kh-560 5～8份、无水乙醇12～17份、去离子水15～25份、水性环氧树脂3～5份、冰乙酸1～3份。
2.根据权利要求1所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述氮化硼纳米片的具体制备方法为：
3.根据权利要求2所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述s1中，氮化硼粉末与高锰酸钾粉末按照质量比为1:（0.4～0.6）。
4.根据权利要求2所述的一种芯片的钝化膜，其特征在于：所述s3中，该反应在连续搅拌的条件下进行；所述s5中，离心速率为3000～3500r/min，离心时间为10～1...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾亮东，艾平平，胡其剑，李强，罗力祥，
申请(专利权)人：杭州先拓电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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