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同一模块侧上的多排DRAM制造技术

技术编号:42491833 阅读:9 留言:0更新日期:2024-08-21 13:09
本公开涉及同一模块侧上的多排DRAM。一种实例设备可包含双排双列直插式存储器模块DIMM装置。所述双排DIMM装置可包含多个双排存储器芯片组,并且每一个包含第一排存储器芯片及第二排存储器芯片。所述多个双排存储器芯片组中的每一个可定位在所述双排DIMM装置的同一侧上。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更确切地说,涉及同一模块侧上的多排动态随机存取存储器(dram)。


技术介绍

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。


技术实现思路

1、在一个方面中,本公开提供一种包含双排存储器的设备,其包括:双排双列直插式存储器模块(dimm)装置,其包括多个双排存储器芯片组,每一个包括第一排存储器芯片及第二排存储器芯片;其中所述多个双排存储器芯片组中的每一个定位在所述双排dimm装置的同一侧上。

2、在另一方面中,本公开提供一种包含双排存储器的设备,其包括:双排双列直插式存储器模块(dimm)装置,其包括:顶层,所述顶层包括:第一多个存储器芯片组中的第一多个第一排存储器芯片;及相应的第一多个存储器芯片组中的第一多个第二排存储器芯片,其中所述第一多个存储器芯片组中的每一个包括一对以下项:所述第一多个第一排存储器芯片中的一个及所述第一多个第二排存储器芯片中的一个;及底层,所述底层包括:第二多个存储器芯片组中的第二多个第一排存储器芯片;及相应的第二多个存储器芯片组中的第二多个第二排存储器芯片,其中所述第二多个存储器芯片组中的每一个包括一对以下项:所述第二多个第一排存储器芯片中的一个及所述第二多个第二排存储器芯片中的一个。

3、在另一方面中,本公开提供一种用于操作双排存储器的方法,其包括:存取第一多个存储器芯片组中的第一多个第一排存储器芯片,同时存取第二多个存储器芯片组中的第二多个第一排存储器芯片,其中:所述第一多个存储器芯片组在双排双列直插式存储器模块(dimm)装置的顶侧上;且所述第二多个存储器芯片组在所述双排dimm装置的底侧上;及存取所述第一多个存储器芯片组中的第一多个第二排存储器芯片,同时存取所述第二多个存储器芯片组中的第二多个第二排存储器芯片。

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【技术保护点】

1.一种包含双排存储器的设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中双排存储器芯片组中的第一排存储器芯片定位在所述双排DIMM装置的顶侧上,并且所述双排存储器芯片组中的第二排存储器芯片定位在所述顶侧上。

3.根据权利要求1所述的设备,其中双排存储器芯片组中的第一排存储器芯片定位在所述双排DIMM装置的底侧上,并且所述双排存储器芯片组中的第二排存储器芯片定位在所述底侧上。

4.根据权利要求1所述的设备,其中:

5.根据权利要求4所述的设备,其中并行地存取在所述顶侧上的第一多个第一排存储器芯片及在所述底侧上的第二多个第一排存储器芯片。

6.根据权利要求4所述的设备,其中并行地存取在所述顶侧上的第一多个第二排存储器芯片及在所述底侧上的第二多个第二排存储器芯片。

7.根据权利要求1所述的设备,其中:

8.根据权利要求7所述的设备,其中:

9.根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述双排DIMM装置包括非易失性存储器装置或易失性存储器装置。

10.一种包含双排存储器的设备,其包括:

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述多个存储器芯片组是多个易失性存储器装置。

12.根据权利要求11所述的设备,其中所述多个易失性存储器装置是动态随机存取存储器装置(DRAM装置)。

13.根据权利要求10所述的设备,其中所述第一排存储器芯片及所述第二排存储器芯片中的每一个的每一对存储器芯片使用微带连接。

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述顶侧中的所述第一多个存储器芯片组中的所述对中的每一个通过最接近所述双排DIMM装置的印刷电路板PCB的顶层的带状线层连接到顶部金手指。

15.根据权利要求14所述的设备,其中所述第一多个存储器芯片组中的所述对中的每一个通过以下项连接到所述顶部金手指:

16.根据权利要求13所述的设备,其中所述顶侧中的所述第二多个存储器芯片组中的所述对中的每一个通过最接近所述双排DIMM装置的印刷电路板PCB的底层的带状线层连接到底部金手指。

17.根据权利要求10所述的设备,其中:

18.一种用于操作双排存储器的方法,其包括:

19.根据权利要求18所述的方法,其中:

20.根据权利要求18所述的方法,其中:

...

【技术特征摘要】

1.一种包含双排存储器的设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中双排存储器芯片组中的第一排存储器芯片定位在所述双排dimm装置的顶侧上,并且所述双排存储器芯片组中的第二排存储器芯片定位在所述顶侧上。

3.根据权利要求1所述的设备,其中双排存储器芯片组中的第一排存储器芯片定位在所述双排dimm装置的底侧上,并且所述双排存储器芯片组中的第二排存储器芯片定位在所述底侧上。

4.根据权利要求1所述的设备,其中:

5.根据权利要求4所述的设备,其中并行地存取在所述顶侧上的第一多个第一排存储器芯片及在所述底侧上的第二多个第一排存储器芯片。

6.根据权利要求4所述的设备,其中并行地存取在所述顶侧上的第一多个第二排存储器芯片及在所述底侧上的第二多个第二排存储器芯片。

7.根据权利要求1所述的设备,其中:

8.根据权利要求7所述的设备,其中:

9.根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述双排dimm装置包括非易失性存储器装置或易失性存储器装置。

10.一种包含双排存储器的设备,其包括:

11.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员:M·E·卡比尔T·霍利斯
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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