System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法、制品和应用技术_技高网

一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法、制品和应用技术

技术编号:42489025 阅读:5 留言:0更新日期:2024-08-21 13:06
本发明专利技术涉及表面抛光加工技术技术领域,尤其是涉及一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法、制品和应用。所述制备方法包括:S01:称取乙二醇钛、乙二醇和水,调节pH=6.2,得到溶液A;S02:将金刚石粉末通过超声分散到蒸馏水中,形成溶液B;S03:紫外光照射下,溶液A以1mL/min的滴加速度滴加到溶液B中,边滴加边搅拌,搅拌速度为600rpm,滴加完毕继续反应2h;过滤,使用水和乙醇各洗涤2次,真空干燥;S04:将干燥后的产品、氟化铵、尿素、水混合后在温度为180℃下反应时间12h,得到灰色产物;S05:将灰色产物在300℃下退火2小时以得到二氧化钛/金刚石磨粒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面抛光加工技术,尤其是涉及一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法、制品和应用


技术介绍

1、目前,碳化硅是一种由硅和碳两种元素组成的化合物半导体材料,与传统的硅材料相比具有许多优点。这些特性包括更宽的带隙、更高的导热性和更高的击穿电场。这些独特的特性有助于碳化硅优越的导电性,高温下的高效散热和优异的耐高压性。碳化硅在高压环境中的卓越性能使碳化硅mosfet成为硅基igbt的可行替代品,在功率转换过程中实现了80%以上的开关损耗降低和显著的能量损耗降低。此外,利用其独特的材料特性,碳化硅可以大幅减小芯片模块的尺寸,有可能将其缩小到原始尺寸的1/10。

2、目前,普遍采用化学机械抛光(cmp)技术对碳化硅晶片表面进行抛光。然而令人遗憾的是,针对碳化硅的cmp,传统的cmp工艺无法满足碳化硅平面化的需求,因此需要在传统cmp工艺的基础上,研究出具备更高抛光效率的cmp工艺。

3、针对上述情况,本专利技术提供一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法、制品和应用。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,所述制备方法包括:

2、s01:称取乙二醇钛、乙二醇和水,调节ph=6.2,得到溶液a;

3、s02:将金刚石粉末通过超声分散到蒸馏水中,形成溶液b;

4、s03:紫外光照射下,溶液a以1ml/min的滴加速度滴加到溶液b中,边滴加边搅拌,搅拌速度为600rpm,滴加完毕继续反应2h;过滤,使用水和乙醇各洗涤2次,真空干燥;

5、s04:将干燥后的产品、氟化铵、尿素、水混合后在温度为180℃下反应时间12h,得到灰色产物;

6、s05:将灰色产物在300℃下退火2小时以得到二氧化钛/金刚石磨粒;

7、s06:将氧化石墨烯通过超声分散到蒸馏水中,随后加入二氧化钛/金刚石以实现将二氧化钛/金刚石负载到氧化石墨烯上并得到了二氧化钛/氧化石墨烯/金刚石纳米级复合磨粒。

8、优选的,所述步骤s03中,溶液a和溶液b的体积比为(1~6):(6~1)。

9、优选的,步骤s04中,干燥后的产品、氟化铵、尿素、水的摩尔比为1:3:6:100。

10、优选的,步骤s06中,二氧化钛/金刚石磨粒、氧化石墨烯的原料质量比为(1~3):1。

11、本专利技术第二方面提供一种新型金刚石纳米级复合磨粒,由权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到。

12、本专利技术第三方面提供一种抛光液,所述抛光液的制备原料包含:双氧水、二氧化硅、分散剂、所述的金刚石纳米级复合磨粒。

13、优选的,所述分散剂包含非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂。

14、优选的,所述非离子表面活性剂为atlox4913。

15、优选的,所述抛光液应用于半导体行业的化学机械抛光领域。

16、优选的,所述抛光液在以下条件进行抛光:抛光盘转速50r/min,抛光压力为200n,抛光时长为2h,抛光液进给速率为2.6ml/min。

17、采用上述技术方案,本专利技术具有如下有益效果:

18、本专利技术金刚石纳米级复合磨粒抛光液应用于碳化硅晶片的化学机械抛光,能够有效地加快碳化硅的表面抛光速率,不同于常规磨粒无法满足碳化硅的抛光要求,新型金刚石复合磨粒的抛光效率得到大幅度提高,其材料去除速率达到了600nm/h。

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【技术保护点】

1.一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,所述步骤S03中,溶液A和溶液B的体积比为(1~6):(6~1)。

3.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,步骤S04中,干燥后的产品、氟化铵、尿素、水的摩尔比为1:3:6:100。

4.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,步骤S06中,二氧化钛/金刚石磨粒、氧化石墨烯的原料质量比为(1~3):1。

5.一种新型金刚石纳米级复合磨粒,其特征在于,由权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到。

6.一种抛光液,其特征在于,所述抛光液的制备原料包含:双氧水、二氧化硅、分散剂、权利要求5所述的金刚石纳米级复合磨粒。

7.根据权利要求6所述的抛光液,其特征在于,所述分散剂包含非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂。

8.根据权利要求7所述的抛光液,其特征在于,所述非离子表面活性剂为Atlox4913。

9.根据权利要求6所述的抛光液,其特征在于,所述抛光液应用于半导体行业的化学机械抛光领域。

10.根据权利要求6所述的抛光液,其特征在于,所述抛光液在以下条件进行抛光:抛光盘转速50r/min,抛光压力为200N,抛光时长为2h,抛光液进给速率为2.6mL/min。

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【技术特征摘要】

1.一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,所述步骤s03中,溶液a和溶液b的体积比为(1~6):(6~1)。

3.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,步骤s04中,干燥后的产品、氟化铵、尿素、水的摩尔比为1:3:6:100。

4.根据权利要求1所述的一种新型金刚石纳米级复合磨粒的制备方法,其特征在于,步骤s06中,二氧化钛/金刚石磨粒、氧化石墨烯的原料质量比为(1~3):1。

5.一种新型金刚石纳米级复合磨粒,其特征在于,由权利要求1-4任一项所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈是东雷红
申请(专利权)人:衢州博来纳润电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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