【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种溅镀装置。
技术介绍
1、溅镀装置包括收容被处理物及与被处理物相向而配置的靶(target)的真空容器，且使用等离子体对靶进行溅镀而在被处理物上成膜被膜。作为此种溅镀装置，已知有下述溅镀装置，即，配置有用作穿过高频磁场的高频窗的介电体的壳体及法拉第屏蔽(faradayshield)、以及产生高频磁场的天线(antenna)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本公开专利公报“日本专利特开2012-253313号公报”
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、如上所述在真空容器的外部设置有天线的溅镀装置中，不易提高靶附近的等离子体密度。对于在真空容器的外部设置有天线的溅镀装置，期望能够更有效率地提高靶附近的等离子体密度。
3、本公开是鉴于所述问题点而完成，目的在于提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。
4、解决问题的技术手段
5、为了解决所述课题，本公开的一方面的溅镀装置包括：真空容器，收容用于载置被处理物的载台(stage)；靶，以与载置于所述载台上的被处理物相向的方式，配置于所述真空容器的内部；高频窗，包括具有狭缝(slit)的金属板及重叠于所述金属板的介电体，为了在所述真空容器的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至所述真空容器的内部，并且设置于所述真空容器的安装有所述靶的壁面；以及直线状天线，在所述真空容器的外部接近于所述高频窗而配置，并且产生所述高
6、专利技术的效果
7、通过本公开的一实施例，可提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。
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1.一种溅镀装置，包括：真空容器，收容用于载置被处理物的载台；
2.根据权利要求1所述的溅镀装置，其中所述高频窗以所述半圆筒状部自所述壁面向所述真空容器的内部突出的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的溅镀装置，其中所述天线在所述半圆筒状部的内部配置于靠近所述靶的一侧。
4.根据权利要求3所述的溅镀装置，其中所述天线以平行于所述被处理物与所述靶的相向方向的直线、和垂直于所述天线的延伸方向且穿过所述半圆筒状部的曲率中心及所述天线的中心的直线所成的角度成为30度以上且60度以下的方式配置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的溅镀装置，其中将多个所述天线接近于一个所述高频窗而配置。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的溅镀装置，其中所述金属板设置于较所述介电体更靠所述真空容器的内部侧。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的溅镀装置，其中所述介电体设置于较所述金属板更靠所述真空容器的内部侧。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种溅镀装置，包括：真空容器，收容用于载置被处理物的载台；
2.根据权利要求1所述的溅镀装置，其中所述高频窗以所述半圆筒状部自所述壁面向所述真空容器的内部突出的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的溅镀装置，其中所述天线在所述半圆筒状部的内部配置于靠近所述靶的一侧。
4.根据权利要求3所述的溅镀装置，其中所述天线以平行于所述被处理物与所述靶的相向方向的直线、和垂直于所述天线的延伸方向且穿过所...
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