【技术实现步骤摘要】
本技术涉及pcb，尤其涉及一种bga内差分线扇出的封装结构。
技术介绍
1、差分信号就是两个幅度相等、方向相反的信号，而负责承载差分信号的那一对走线就称为差分走线。差分信号在高速电路设计中的应用越来越广泛，电路中最关键的信号往往都要采用差分结构设计，与普通的单端信号走线相比，差分信号线具有以下优点：(1)在相同的电路中，单端走线参考的是地平面，收到外界的干扰和地平面上受到的同一干扰的表现差异很大，导致单端走线的干扰和回流路径中的干扰无法相互抵消，而差分走线由于信号大小相等、方向相反，所以两根差分走线之间的耦合就很好，阻抗变换也更匹配，外界的噪声信号基本上都会同时被耦合到两条线上，而接收端只关注两信号的差值，所以外界的共模噪声可以被完全消除，提高信号传输质量；(2)两根差分信号极性相反，他们对外界的辐射电磁场可以相互抵消，保证两根线仅仅耦合，耦合的越紧密，互相抵消的磁感应线就越多，泄放到外界的辐射信号就越少，提高系统传输的稳定性，能有效抑制emi；(3)差分信号的开关变化是位于两个信号的交点，而不像普通单端信号依靠高低两个阈值电压判断，因而受工艺，温度的影响小，能降低时序上的误差，同时也更适合于低幅度信号的电路。差分信号在高速信号传输中具有不可替代的作用。
2、差分线从bga内扇出的时候，受大量的过孔(一般为地孔)的封装间距的限制，使用neck模式从bga内扇出，出了bga芯片区域后再变成满足差分线阻抗的线宽线间距的模式，neck模式即将差分线的线宽变细和线间距变小的模式，如图1所示。
3、由于在bga区域
4、以上问题，亟待解决。
技术实现思路
1、为了克服现有的技术的差分线从bga内以neck模式扇出时阻抗不匹配的不足，本技术提供一种bga内差分线扇出的封装结构。
2、本技术技术方案如下所述：
3、一种bga差分线扇出封装结构，一对差分线的两根线分别走在bga芯片区域内一列地孔的两边，且在bga芯片区域外该对差分线耦合成差分线模式，以控制阻抗；在bga芯片区域内，两列地孔之间仅有一根差分线走线。
4、进一步地，在一实施例中，bga芯片地孔的边缘位置设有标识线。
5、进一步地，在一实施例中，所述标识线由白油漆绘制形成。
6、进一步地，在一实施例中，一对差分线中，与靠下的地孔连接的差分线有更大的弯折弧度。
7、进一步地，在一实施例中，相邻的两对差分线形状相同；
8、或者，相邻的两对差分线的形状关于其中间位置一列的地孔呈轴对称。
9、进一步地，在一实施例中，在bga芯片区域内，单线的线宽为差分线阻抗一半的单线阻抗对应的线宽。
10、根据上述方案的本技术，其有益效果在于，改变bga芯片区域内差分线的扇出结构，将一对差分线分别设置在一列地孔的两侧，差分线具有足够的空间，在bga芯片区域内可满足差分线的特性阻抗，扇出bga区域后再耦合成差分线模式控制阻抗，使得差分线阻抗匹配，保证传输的高速信号的质量。
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1.一种BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，一对差分线的两根线分别走在BGA芯片区域内一列地孔的两边，且在BGA芯片区域外该对差分线耦合成差分线模式，以控制阻抗；在BGA芯片区域内，两列地孔之间仅有一根差分线走线。
2.根据权利要求1所述的BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，一对差分线中，与靠下的地孔连接的差分线有更大的弯折弧度。
3.根据权利要求1所述的BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，相邻的两对差分线形状相同；
4.根据权利要求1所述的BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，在BGA芯片区域内，单线的线宽为差分线阻抗一半的单线阻抗对应的线宽。
5.根据权利要求1所述的BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，BGA芯片地孔的边缘位置设有标识线。
6.根据权利要求5所述的BGA内差分线扇出的封装结构，其特征在于，所述标识线由白油漆绘制形成。
【技术特征摘要】
1.一种bga内差分线扇出的封装结构，其特征在于，一对差分线的两根线分别走在bga芯片区域内一列地孔的两边，且在bga芯片区域外该对差分线耦合成差分线模式，以控制阻抗；在bga芯片区域内，两列地孔之间仅有一根差分线走线。
2.根据权利要求1所述的bga内差分线扇出的封装结构，其特征在于，一对差分线中，与靠下的地孔连接的差分线有更大的弯折弧度。
3.根据权利要求1所述的bga内差分线扇出的封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：靳策，王灿钟，
申请(专利权)人：深圳市一博科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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