System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种变压器的绕制方法及变压器技术_技高网

一种变压器的绕制方法及变压器技术

技术编号:42479988 阅读:8 留言:0更新日期:2024-08-21 13:01
本发明专利技术为一种变压器的绕制方法及变压器,包括在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构;在第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构;在第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构;在第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构;在第四变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构;在第五变压器架构上绕制第四绕组,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构;在磁芯上包裹第七绝缘层,将磁芯和第六变压器架构组合,得到初始变压器;在初始变压器外侧包裹第八绝缘层,得到目标变压器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及变压器的,特别是涉及一种变压器的绕制方法及变压器


技术介绍

1、目前的一台电源在做双组电压输出时,如果是对称倍数电压如12v 6v输出则绕组可以是符合磁芯参数的任意整数圈,如果输出不是成倍数电压如12v与5v,现有的变压器在同一线路设计12v5v时,要想在同一变压器上输出此2个电压,最小匝数比为12v/7圈5v/3圈的整数比例(12v/7=1.711.71*3=5.1v),由于现在的电源功率越来越大,7圈的匝数会造成较大的阻抗及温升,5v负载能力差。


技术实现思路

1、为了解决上述问题,本专利技术的目的是提供一种变压器,用于解决了现有技术中存在的现有的变压器在同一线路设计12v5v时,要想在同一变压器上输出此2个电压,最小匝数比为12v/7圈5v/3圈的整数比例(12v/7=1.711.71*3=5.1v),由于现在的电源功率越来越大,7圈的匝数会造成较大的阻抗及温升,5v负载能力差的技术问题。

2、本专利技术的实施例采用了如下技术方案:

3、第一方面,本专利技术的实施例提供了一种变压器的绕制方法,所述变压器的绕制方法包括:

4、在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构;

5、在所述第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构;

6、在所述第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构;

7、在所述第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构;

8、在所述第四变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构;

9、在所述第五变压器架构上绕制第四绕组,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构;

10、在磁芯上包裹第七绝缘层,将所述磁芯和所述第六变压器架构组合,得到初始变压器;

11、在所述初始变压器外侧包裹第八绝缘层,得到目标变压器。

12、在本申请的一些实施例中,所述在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构包括:

13、在变压器的骨架上绕制第一绕组,所述第一绕组的一端挂脚在第一脚上,所述第一绕组的另一端挂脚在第二脚上,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构。

14、在本申请的一些实施例中,所述在所述第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构包括:

15、在所述第一变压器架构上绕制第一半绕组,所述第一半绕组的第一端挂脚在第三脚和第四脚上,所述第一半绕组的另一端在第一脚组顶部预留第一抽头,在并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构。

16、在本申请的一些实施例中,所述在所述第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构包括:

17、在所述第二变压器架构上绕制第二半绕组,所述第二半绕组的一端挂脚在第五脚和第六脚上,所述第二半绕组的另一端在第一脚组顶部预留第二抽头,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构。

18、在本申请的一些实施例中,所述在所述第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构包括:

19、在所述第三变压器架构上绕制第二绕组,所述第二绕组的一端挂脚在所述第二脚上,所述第二绕组的另一端挂脚在所述第一脚组中的第七脚上,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构。

20、在本申请的一些实施例中,所述在所述第四变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构包括:

21、在所述第四变压器架构上绕制第三绕组,所述第三绕组的一端挂脚在所述第五脚和所述第六脚上,所述第三绕组的另一端挂脚在第八脚、第九脚和第十脚上,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构。

22、在本申请的一些实施例中,所述在所述第五变压器架构上绕制第四绕组,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构包括:

23、在所述第五变压器架构上绕制第四绕组,所述第四绕组的一端挂脚在所述第七脚上,所述第四绕组的第二端挂脚在第一脚组的第十一脚上,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构。

24、在本申请的一些实施例中,所述在磁芯上包裹第七绝缘层,将所述磁芯和所述第六变压器架构组合,得到初始变压器包括:

25、在磁芯上包裹第七绝缘层,所述第一抽头挂脚所述第五脚和所述第六脚上,所述第二抽头挂脚在所述第三脚和所述第四脚上,将所述磁芯和所述第六变压器架构组合,得到初始变压器。

26、在本申请的一些实施例中,还包括:

27、在所述磁芯和所述第六变压器架构的结合处通过黑胶固定,对所述磁芯进行真空含浸处理。

28、第二方面,本专利技术的实施例提供了一种变压器,所述变压器包括:

29、骨架;

30、第一绕组,绕制在所述骨架上;

31、第一绝缘层,包裹所述第一绕组,以得到第一变压器架构;

32、第一半绕组,绕制在所述第一变压器架构上;

33、第二绝缘层,包裹所述第一半绕组,以得到第二变压器架构;

34、第二半绕组,绕制在所述第二变压器架构上;

35、第三绝缘层,包裹所述第二半绕组,以得到第三变压器架构;

36、第三半绕组,绕制在所述第三变压器架构上;

37、第四绝缘层,包裹所述第三半绕组,以得到第四变压器架构;

38、第二绕组,绕制在第四变压器架构上;

39、第五绝缘层,包裹所述第二绕组,以得到第五变压器架构;

40、第三绕组,绕制在第五变压器架构上;

41、第六绝缘层,包裹在所述第五变压器架构上,以得到第六变压器架构;

42、第七绝缘层;

43、磁芯,所述第七绝缘层包裹磁芯,且所述磁芯与所述第六变压器架构连接,以组合得到初始变压器;

44、第八绝缘层,包裹所述初始变压器,以得到目标变压器。

45、相比于现有技术,本专利技术的实施例的有益效果在于:

46、本实施例的所述变压器的绕制方法和变压器,该变压器的绕制方法包括:在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构;在第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构;在第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构;在第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构;在第四变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构;在第五变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构;在磁芯上包裹第七绝缘层,将磁芯和第六变压器架构组合,得到初始变压器;在初始变压器外侧包裹第八绝缘层,得到目标变压器。通过本实施例的绕制方法得到的变压器,降低变压器匝比来降低圈数,改善5v重负载电压低及效率低,成本高等问题,最小匝数比为12v/7圈5v/本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种变压器的绕制方法,其特征在于,所述变压器的绕制方法包括:

2.根据权利要求1所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构包括:

3.根据权利要求2所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构包括:

4.根据权利要求3所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构包括:

5.根据权利要求4所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹第四绝缘层,得到第四变压器架构包括:

6.根据权利要求5所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第四变压器架构上绕制第三绕组,并包裹第五绝缘层,得到第五变压器架构包括:

7.根据权利要求6所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第五变压器架构上绕制第四绕组,并包裹第六绝缘层,得到第六变压器架构包括:

8.根据权利要求7所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在磁芯上包裹第七绝缘层,将所述磁芯和所述第六变压器架构组合,得到初始变压器包括:

9.根据权利要求1所述的变压器的绕制方法,其特征在于,还包括:

10.一种变压器,其特征在于,所述变压器包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种变压器的绕制方法,其特征在于,所述变压器的绕制方法包括:

2.根据权利要求1所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在变压器的骨架上绕制第一绕组,并包裹第一绝缘层,得到第一变压器架构包括:

3.根据权利要求2所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第一变压器架构上绕制第一半绕组,并包裹第二绝缘层,得到第二变压器架构包括:

4.根据权利要求3所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第二变压器架构上绕制第二半绕组,并包裹第三绝缘层,得到第三变压器架构包括:

5.根据权利要求4所述的变压器的绕制方法,其特征在于,所述在所述第三变压器架构上绕制第二绕组,并包裹...

【专利技术属性】
技术研发人员:张志刚张朝彪
申请(专利权)人:厦门科司特电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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