【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例总体上涉及发光二极管(led)及其制造方法。更特别地，本公开的实施例涉及使用可释放的有机晶片结合制造led的方法。
技术介绍
1、发光二极管(led)是一种半导体光源，当电流流过它时，其发射可见光。led组合了p型半导体与n型半导体。led通常使用iii-v族化合物半导体。iii-v族化合物半导体在比使用其他半导体的器件更高的温度下提供稳定的操作。iii-v族化合物通常形成在由蓝宝石氧化铝(al2o3)或砷化镓(gaas)形成的衬底上。例如，一种或多种iii族氮化物材料(诸如gan)可以在衬底或晶片上外延生长以制备半导体层。衬底可以作为最终产品的一部分保留，或者可以在加工期间被移除。
2、在制造期间，通常在半导体层(也称为器件层)的加工完成前移除生长衬底(也称为生长晶片)。为了完成该工艺，半导体层(也称为器件层)需要由一些支撑材料支撑。为了将半导体层(也称为器件层)临时保持到支撑结构，半导体层与硅、蓝宝石或玻璃支撑晶片的可释放有机结合在半导体工业中广泛实施。toray、mmi、brewer sciences、和3m是少数几家公司，这些公司提供专有配方和工具以将器件晶片结合到载体晶片并且然后通常在对器件晶片进行一些加工后释放该结合。
3、在任何后续加工步骤期间，支撑晶片和结合材料必须保持器件晶片的完整性。可接受的晶片应力和弯曲、总厚度、粘附力和其他属性是重要的。临时晶片的移除不得引起明显的损伤，并且必须留下干净的、可接受的表面状况。结合材料不得污染器件晶片加工工具。
4、目前的支撑
5、有机材料对碱性、氧化性和高温工艺步骤(诸如实际的gaas衬底移除蚀刻)具有差的化学惰性。然而，氧化物结合对基本的氧化化学是惰性的，并且与高温相兼容。
6、有机材料可以表现出对一些材料的边缘粘附，从而导致分层。在一些加工工具中，有机材料是不期望的污染物，特别是在部分晶片被结合到全尺寸临时处理晶片的情况下。
7、因此，需要改进的方法和材料来可释放地保持晶片以进行加工。
技术实现思路
1、本公开的一个或多个实施例针对制造发光二极管(led)的方法。该方法包括将透明支撑晶片结合到生长晶片。透明支撑晶片具有在透明支撑晶片的第一侧上形成的激光剥离(llo)释放层和在llo释放层上的无机结合层。生长晶片具有在生长晶片的第二侧上的器件层以及在器件层上的匹配的无机结合层。将透明支撑晶片结合到生长晶片包括将透明支撑晶片上的无机结合层与生长晶片上的匹配的无机结合层结合以形成无机加工层。
2、本公开的其他实施例针对制造发光二极管(led)的方法。该方法包括在生长晶片的第二侧上的器件层上沉积无机结合层。激光剥离(llo)释放层沉积在透明支撑晶片的第一侧上，并且匹配的无机结合层沉积在llo释放层上。生长晶片上的无机结合层与透明支撑晶片上的匹配的无机结合层结合，以在透明支撑晶片和生长晶片之间形成无机加工层。从器件层移除生长晶片，从而留下结合到无机加工层的器件层。加工器件层的第一侧以形成经加工的器件层。第二支撑晶片附接到经加工的器件层的第一侧。经加工的器件层与透明支撑晶片分隔，从而在经加工的器件层的第二侧上留下无机加工层。从器件层的第二侧移除无机加工层。
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1.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括移除所述生长晶片，从而在所述透明支撑晶片上的所述LLO释放层上的所述无机加工层上留下所述器件层。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括经由所述器件层的第一侧加工所述器件层以形成经加工的器件层。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括将第二支撑晶片附接到所述经加工的器件层的第二侧。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括从所述透明支撑晶片分隔所述经加工的器件层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述经加工的器件层与所述透明支撑晶片分隔包括使用激光脉冲分离所述LLO释放层，从而在所述经加工的器件层的第二侧上留下所述无机加工层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在分离所述LLO释放层后，所述透明支撑晶片可重复使用。
8.根据权利要求5所述的方法，还包括从所述经加工的器件层的第二侧移除所述无机加工层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述LLO释放层包括以下中的一种或多种：氮化镓(GaN)；具有通式
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述LLO释放层的厚度大于或等于
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明支撑晶片包括蓝宝石、碳化硅或玻璃。
12.根据权利要求1所述的方法，其中氧化硅层直接形成在所述透明支撑晶片的第一侧上的所述LLO释放层上。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述生长晶片的第二侧上沉积所述无机结合层。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述透明支撑晶片上沉积所述LLO释放层，并在所述LLO释放层上沉积匹配的结合层。
15.根据权利要求1所述的方法，其中存在多个生长晶片结合到一个透明支撑晶片。
16.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中将经加工的生长晶片与所述透明支撑晶片分隔包括使用激光脉冲分离所述LLO释放层，从而在所述经加工的器件层的第二侧上留下所述无机加工层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中在分离所述LLO释放层后，所述透明支撑晶片可重复使用。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述LLO释放层包括以下中的一种或多种：氮化镓(GaN)；具有通式AlxInyGa1-x-yN的铝铟镓氮化物，其中0<x+y≤1.0；或具有通式InzSn1-zO的铟锡氧化物，其中0≤z≤1.0。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述透明支撑晶片包括蓝宝石、碳化硅或玻璃。
...【技术特征摘要】
1.一种制造发光二极管(led)的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括移除所述生长晶片，从而在所述透明支撑晶片上的所述llo释放层上的所述无机加工层上留下所述器件层。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括经由所述器件层的第一侧加工所述器件层以形成经加工的器件层。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括将第二支撑晶片附接到所述经加工的器件层的第二侧。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括从所述透明支撑晶片分隔所述经加工的器件层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述经加工的器件层与所述透明支撑晶片分隔包括使用激光脉冲分离所述llo释放层，从而在所述经加工的器件层的第二侧上留下所述无机加工层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在分离所述llo释放层后，所述透明支撑晶片可重复使用。
8.根据权利要求5所述的方法，还包括从所述经加工的器件层的第二侧移除所述无机加工层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述llo释放层包括以下中的一种或多种：氮化镓(gan)；具有通式alxinyga1-x-yn的铝铟镓氮化物，其中0<x+y≤1.0；或具有通式inzsn1-zo的铟锡氧化物，其中0≤z≤1.0。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述llo释放层的厚度大于或等于
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