【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种用于对晶圆的金属污染进行分析的装置及其方法。
技术介绍
1、在制造过程期间，在晶圆上发生了源于多种金属或有机物质的污染。即使极少量的污染物也会使半导体性能显著劣化，并且必须移除。
2、在移除这些污染物之前，必须首先对晶圆上包含的对应金属中的每一种金属的污染水平进行分析。
3、电感耦合等离子体质谱(inductively-coupled plasma-mass spectrometry，icp-ms)被用于污染分析。通过icp-ms的质量分离器将晶圆上的各种金属按质量进行区分，然后用检测器来检测对应的金属。以这种方式对被检测金属进行分析，并确定各种金属中的每一种金属的污染水平。
4、然而，存在具有相似质量的元素(即金属)之间发生干扰现象、并且被检测金属的污染水平失真(distorted)的问题。因此，由于晶圆的质量是基于失真的金属污染水平(即不准确的金属污染水平)来管理的，因此存在可靠性极大地降低的问题。
技术实现思路
1、实施例的目的是解决前述问题和其他问题。
2、实施例的另一目的是提供一种可以准确地获得金属污染水平的、用于对晶圆的金属污染进行分析的装置及其方法。
3、实施例的另一目的是提供一种可以提高产品可靠性的、用于对晶圆的金属污染进行分析的装置及其方法。
4、实施例的技术问题不限于在该部分中描述的那些问题，并且包括通过本专利技术的描述可以理解的那些问题。
5、根据实施例的第一方面
6、相关性方程可以以如下的方程1表示，
7、方程1：
8、y＝0.0143x+0.0055
9、x表示所获得的第二金属的污染水平，y表示校正值。
10、在分别获得第一金属的污染水平和第二金属的污染水平之前，该方法可以包括获得相关性方程。
11、获得相关性方程可以包括：通过使用含有第一金属和第二金属的混合溶液制备的多个样品进行验证，基于多个样品中的每一个样品中的第一金属的污染水平和第二金属的污染水平之间的干扰关系来获得相关性方程。
12、第二金属可以具有与第一金属的同位素相似的同位素。
13、第一金属可以是58ni，第二金属可以是56fe。
14、校正值可以是第二金属对第一金属的干扰值。
15、获得第一金属的最终污染水平可以包括从所获得的第一金属的污染水平减去校正值。
16、根据实施例的第二方面，提供了一种用于对晶圆的金属污染进行分析的设备，包括：控制器，其中，控制器被配置成：获得晶圆的第一金属的污染水平和第二金属的污染水平；通过将所获得的第二金属的污染水平代入到相关性方程中来获得校正值；以及通过基于校正值对所获得的第一金属的污染水平进行校正来获得第一金属的最终污染水平。
17、相关性方程可以以如下的方程1表示，
18、方程1：
19、y＝0.0143x+0.0055
20、x表示所获得的第二金属的污染水平，y表示校正值。
21、控制器可以通过使用含有第一金属和第二金属的混合溶液制备的多个样品进行验证，基于多个样品中的每一个样品中的第一金属的污染水平和第二金属的污染水平之间的干扰关系来获得相关性方程。
22、第二金属可以具有与第一金属的同位素相似的同位素。
23、第一金属可以是58ni，第二金属可以是56fe。
24、校正值可以是第二金属对第一金属的干扰值。
25、控制器可以从所获得的第一金属的污染水平减去校正值。
26、晶圆可以包括硅晶圆、碳化硅晶圆、soi晶圆、蓝宝石晶圆以及化合物半导体晶圆中的一种。
27、以下描述了根据实施例的用于对晶圆的金属污染进行分析的装置及其方法的效果。
28、即使由于第二金属(例如fe 56)而使得从晶圆获得的第一金属(例如ni 58)的污染水平是错误的，可以使用考虑了ni 58与fe 56之间的失真程度的相关性方程来获得校正值。通过使用所获得的校正值，可以对ni 58的污染校正进行校正，以获得准确的污染水平。因此，待分析的金属的污染水平可以变得非常准确，并且可靠性可以得到显著提高。
29、通过以下详细描述，实施例的进一步的适用范围将变得明显。然而，由于本领域技术人员可以清楚地理解在实施例的精神和范围内的各种改变和修改，因此应当理解，详细描述和特定实施例(例如优选实施例)仅通过示例的方式给出。
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1.一种用于对晶圆的金属污染进行分析的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相关性方程以如下的方程1表示，
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，获得所述相关性方程包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二金属具有与所述第一金属的同位素相似的同位素。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一金属是58Ni，所述第二金属是56Fe。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正值是所述第二金属对所述第一金属的干扰值。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，获得所述第一金属的最终污染水平包括：
9.一种用于对晶圆的金属污染进行分析的设备，包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述相关性方程以如下的方程1表示，
11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器被配置成：通过使用含有所述第一金属和所述第二金属的混合溶液制备的多个样品进行验证，基于所述多个样品中的每一个样品中的所述第一金属的污染水平和
12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第二金属具有与所述第一金属的同位素相似的同位素。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述第一金属是58Ni，所述第二金属是56Fe。
14.根据权利要求9所述的设备，其中，所述校正值是所述第二金属对所述第一金属的干扰值。
15.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器被配置成从所获得的第一金属的污染水平减去所述校正值。
16.根据权利要求9所述的设备，其中，所述晶圆包括硅晶圆、碳化硅晶圆、SOI晶圆、蓝宝石晶圆以及化合物半导体晶圆中的一种。
...【技术特征摘要】
1.一种用于对晶圆的金属污染进行分析的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相关性方程以如下的方程1表示，
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，获得所述相关性方程包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二金属具有与所述第一金属的同位素相似的同位素。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一金属是58ni，所述第二金属是56fe。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正值是所述第二金属对所述第一金属的干扰值。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，获得所述第一金属的最终污染水平包括：
9.一种用于对晶圆的金属污染进行分析的设备，包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述相关性方程以如下的方程1表示，
【专利技术属性】
技术研发人员：朴佑泳，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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