【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度、更高的集成度和更高的性能方向发展。具体的，对于高压集成电路或功率集成电路来说，击穿电压(breakdown voltage)是其重要的性能参数之一，击穿电压越大，器件的可靠性就越高。然而，现有技术所形成的半导体器件的击穿电压仍有待提高。
技术实现思路
1、本申请实施例解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提升器件的电学性能。
2、为解决上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、埋层，覆盖部分所述衬底；
5、掺杂层，覆盖部分所述埋层；
6、阱区，位于所述掺杂层上；
7、第一隔离阱区，围绕所述阱区设置，与所述掺杂层相连接形成用于隔离所述阱区的第一隔离结构；
8、第二隔离阱区，围绕所述第一隔离阱区设置，与所述埋层相连接形成用于隔离所述第一隔离结构的第二隔离结构；
9、第三隔离阱区，围绕所述第二隔离阱区设置，与所述衬底相连接形成用于隔离所述第二隔离结构的第三隔离结构；
10、其中，所述第一隔离阱区、所述掺杂层、所述第三隔离阱区、所述衬底为第一掺杂类型，所述第二隔离阱区、所述埋层、所述阱区为第二掺杂类型；沿垂直于所述衬底且由所述阱区指向所述衬底的方向，所述掺杂层的离子掺杂浓度逐渐变大。
11、可选的，沿垂直
12、可选的，所述掺杂层的底面低于所述埋层的顶面。
13、可选的，所述掺杂层的底面距离所述埋层的顶面0.5微米到2.5微米。
14、可选的，所述第一掺杂类型为p型掺杂，所述第二掺杂类型为n型掺杂；或者，所述第一掺杂类型为n型掺杂，所述第二掺杂类型为p型掺杂。
15、可选的，所述掺杂层的掺杂离子为硼离子。
16、可选的，所述埋层的底面低于所述衬底的顶面。
17、可选的，所述第一隔离阱区位于所述埋层上，所述第一隔离阱区与所述埋层的接触面位于所述掺杂层与所述埋层的接触面的上方。
18、可选的，所述第一隔离阱区的侧壁与所述掺杂层接触连接。
19、可选的，所述阱区与所述第一隔离阱区之间设置有隔离结构。
20、本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：
21、提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述基底内的埋层，其中，所述衬底为第一掺杂类型，所述埋层为第二掺杂类型；
22、在所述基底形成具有第一掺杂类型的掺杂层，所述掺杂层覆盖部分所述埋层，沿垂直于所述基底且由所述埋层指向所述衬底的方向，所述掺杂层的离子掺杂浓度逐渐变大；
23、在所述基底形成具体第一掺杂类型的第一隔离阱区、第三隔离阱区，具体第二掺杂类型的阱区、第二隔离阱区；其中，所述阱区覆盖所述掺杂层，所述第一隔离阱区围绕所述阱区且与所述掺杂层相连接，所述第二隔离阱区围绕所述第一隔离阱区且与所述埋层相连接，所述第三隔离阱区围绕所述第二隔离阱区且与所述衬底相连接。
24、可选的，所述在所述基底形成具有第一掺杂类型的掺杂层的步骤中，采用离子注入的方式在所述基底内掺杂离子形成所述掺杂层。
25、可选的，所述离子注入的离子为硼离子、bf离子或bf2离子。
26、可选的，所述离子注入的能量为2mev，注入剂量为9e12原子每平方厘米。
27、与现有技术相比，本申请实施例的技术方案具有以下优点：
28、本申请实施例提供的半导体结构及其形成方法通过在阱区与埋层之间形成离子掺杂浓度逐渐变大的掺杂层，可以在不改变器件尺寸的情况下，增加埋层与掺杂层之间的击穿电压，从而可以为半导体器件提供更好的隔离效果。以及，本申请实施例提供的半导体结构在阱区的周围依次形成环绕所述阱区的第一隔离结构、第二隔离结构、第三隔离结构，相邻的隔离结构具体不同的掺杂类型，从而可以进一步提高隔离效果。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述衬底且由所述阱区指向所述衬底的方向，所述掺杂层的离子掺杂浓度线性递增或者阶梯递增。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的底面低于所述埋层的顶面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的底面距离所述埋层的顶面0.5微米到2.5微米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂；或者，所述第一掺杂类型为N型掺杂，所述第二掺杂类型为P型掺杂。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的掺杂离子为硼离子。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述埋层的底面低于所述衬底的顶面。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离阱区位于所述埋层上，所述第一隔离阱区与所述埋层的接触面位于所述掺杂层与所述埋层的接触面的上方。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阱区与所述第一隔离阱区之间设置有隔离结构。
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述基底形成具有第一掺杂类型的掺杂层的步骤中，采用离子注入的方式在所述基底内掺杂离子形成所述掺杂层。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子、BF离子或BF2离子。
14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的能量为2Mev，注入剂量为9e12原子每平方厘米。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述衬底且由所述阱区指向所述衬底的方向，所述掺杂层的离子掺杂浓度线性递增或者阶梯递增。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的底面低于所述埋层的顶面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的底面距离所述埋层的顶面0.5微米到2.5微米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为p型掺杂，所述第二掺杂类型为n型掺杂；或者，所述第一掺杂类型为n型掺杂，所述第二掺杂类型为p型掺杂。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的掺杂离子为硼离子。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述埋层的底面低于所述衬底的顶面。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：米红星，李洋，吴琼，郑磊，陆韵峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，
类型：发明
国别省市：
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