【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种放射线检测器及放射线检测器阵列。
技术介绍
1、已知的放射线检测器具备呈六面体形状的闪烁器、及具有配置于闪烁器的半导体基板的半导体光检测元件(例如，参照专利文献1)。闪烁器接收放射线的入射而产生闪烁光。半导体光检测元件检测产生的闪烁光。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-83956号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术的第一方式的目的在于提供一种具有高时间分辨率与高检测灵敏度的放射线检测器。本专利技术的第二及第三方式的目的在于提供一种具备具有高时间分辨率与高检测灵敏度的放射线检测器的放射线检测器阵列。
3、解决问题的技术手段
4、本专利技术人们对具有高时间分辨率与高检测灵敏度的放射线检测器进行了深入研究。其结果，本专利技术人们新获得了以下的见解，直至想到本专利技术。专利文献1未公开具有高时间分辨率与高检测灵敏度的放射线检测器。
5、在放射线自一对端面中的一端面入射至具有在第一方向上互相相对的一对端面且在第一方向上较长的闪烁器的情况下，该闪烁器可靠地吸收高能量范围的放射线而产生闪烁光。在一对端面中的另一个端面配置有半导体光检测元件的结构中，闪烁器容易可靠地吸收高能量范围的放射线。
6、半导体光检测元件检测自另一个端面出射的闪烁光。在闪烁器的第一方向上的长度较与第一方向交叉的方向上的长度大的结构中，不易获得高时间分辨
7、闪烁器具有多个侧面的结构可在多个侧面分别配置半导体光检测元件。在多个侧面分别配置半导体光检测元件的放射线检测器实现了与仅在一个端面配置有一个半导体光检测元件的放射线检测器相比更高的检测灵敏度。
8、第一方式的放射线检测器，具备：闪烁器，其具有在第一方向上互相相对的一对端面、及在与第一方向交叉的第二方向上互相相对且连结一对端面的第一侧面及第二侧面，且自第一方向观察呈矩形状；第一半导体光检测元件，其具有以与第一侧面相对的方式配置的第一半导体基板；第二半导体光检测元件，其具有以与第二侧面相对的方式配置的第二半导体基板；第一配线构件，其与第一半导体光检测元件电连接；及第二配线构件，其与第二半导体光检测元件电连接。第一方向上的闪烁器的长度大于第二方向上的闪烁器的长度及与第一侧面平行的第三方向上的闪烁器的长度。第一方向上的第一侧面的长度大于第三方向上的第一侧面的宽度。第一方向上的第二侧面的长度大于第三方向上的第二侧面的宽度。第一半导体基板具有由第一侧面覆盖的第一部分、及与第一部分排列于第一方向且自第一侧面露出的第二部分。第二半导体基板具有由第二侧面覆盖的第三部分、及与第三部分排列于第一方向且自第二侧面露出的第四部分。第一半导体光检测元件及第二半导体光检测元件的各个具有光检测区域，该光检测区域具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；及多个淬灭电阻，其与多个雪崩光电二极管中对应的雪崩光电二极管的阳极或阴极的一方电串联连接。第一半导体光检测元件具有：第一电极，其并联连接有第一半导体光检测元件具有的多个淬灭电阻；及第二电极，其并联连接有第一半导体光检测元件具有的多个雪崩光电二极管的阳极或阴极的另一方。第二半导体光检测元件具有：第三电极，其并联连接有第二半导体光检测元件具有的多个淬灭电阻；及第四电极，其并联连接有第二半导体光检测元件具有的多个雪崩光电二极管的阳极或阴极的另一方。第一半导体光检测元件具有的光检测区域配置于第一部分。第一电极及第二电极配置于第二部分。第二半导体光检测元件具有的光检测区域配置于第三部分。第三电极及第四电极配置于第四部分。第一配线构件具有与第一电极电连接的导体、及与第二电极连接的导体，第二配线构件具有与第三电极电连接的导体、及与第四电极连接的导体。
9、上述第一方式具备在第一方向上较长的闪烁器，且具备配置于闪烁器的第一侧面的第一半导体基板、及配置于闪烁器的第二侧面的第二半导体基板。第一半导体光检测元件检测入射至第一侧面的闪烁光。第二半导体光检测元件检测入射至第二侧面的闪烁光。第二方向上的闪烁器的长度小于第一方向上的闪烁器的长度。因此，自闪烁光的产生点至第一侧面及第二侧面的各个的距离较短。闪烁光到达第一及第二半导体光检测元件各者的时间较短，上述第一方式实现高时间分辨率。上述第一方式具备第一半导体光检测元件及第二半导体光检测元件。因此，与具备配置于闪烁器的一个侧面的单一的半导体光检测元件的放射线检测器相比，上述第一方式实现高检测灵敏度。
10、上述第一方式中，自第二方向观察，第一半导体基板具有的光检测区域可呈与第一侧面的轮廓形状对应的轮廓形状。自第二方向观察，第二半导体基板具有的光检测区域可呈与第二侧面的轮廓形状对应的轮廓形状。
11、在第一半导体基板具有的光检测区域呈与第一侧面的轮廓形状对应的轮廓形状的结构中，光检测区域难以配置于第一半导体基板中无法接收闪烁光的部位。因此，抑制第一半导体基板具有的光检测区域中的暗计数及电容的增加。在第二半导体基板具有的光检测区域呈与第二侧面的轮廓形状对应的轮廓形状的结构中，光检测区域难以配置于第二半导体基板中无法接收闪烁光的部位。因此，抑制第二半导体基板具有的光检测区域中的暗计数及电容的增加。这些结构降低闪烁光的检测误差。其结果，本结构可靠地提高第一半导体光检测元件及第二半导体光检测元件的时间分辨率与检测灵敏度。
12、上述第一方式可具备配置于第二部分与第四部分之间的加强体。加强体可覆盖第二部分与第四部分，且连结第二部分与第四部分。
13、在具备配置于第二部分与第四部分之间的加强体的结构中，配置于第二部分与第四部分之间的加强体提高第二部分及第四部分的机械强度。
14、在上述第一方式中，第一半导体基板可具有在第二方向上与闪烁器相对的第一面、及在第二方向上与第一面相对的第二面。第二半导体基板可具有在第二方向上与闪烁器相对的第三面、及在第二方向上与第三面相对的第四面。第二面及第四面可为研磨面。
15、在第二面为研磨面的结构中，可通过研磨第二面，而使第一半导体基板薄化。在第四面为研磨面的结构中，可通过研磨第四面，而使第二半导体基板薄化。可在第一半导体基板的厚度方向上，将放射线检测器小尺寸化。可在第二半导体基板的厚度方向上，将放射线检测器小尺寸化。
16、上述第一方式可具备：第一基体，其具有在第二方向上互相相对的第五面及第六面，且以第一半导体基板位于第五面与闪烁器之间的方式配置；第二基体，其具有在第二方向上互相相对的第七面及第八面，且以第二半导体基板位于第七面与闪烁器之间的方式配置；第一端子及本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种放射线检测器，其中，
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的放射线检测器，其中，
5.如权利要求1～4中任一项所述的放射线检测器，其中，
6.如权利要求1～5中任一项所述的放射线检测器，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的放射线检测器，其中，
8.如权利要求1～4、或6中任一项所述的放射线检测器，其中，
9.如权利要求5所述的放射线检测器，其中，
10.如权利要求1～9中任一项所述的放射线检测器，其中，
11.一种放射线检测器阵列，其中，
12.如权利要求11所述的放射线检测器阵列，其中，
13.一种放射线检测器阵列，其中，
14.一种放射线检测器阵列，其中，
15.一种放射线检测器阵列，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种放射线检测器，其中，
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的放射线检测器，其中，
5.如权利要求1～4中任一项所述的放射线检测器，其中，
6.如权利要求1～5中任一项所述的放射线检测器，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的放射线检测器，其中，
8.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：镰仓正吾，西宫隼人，镰田真太郎，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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