【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及确定关于利用光刻工艺在衬底上形成的结构的信息，特别是利用悬臂探头和超声波获取该信息。
技术介绍
1、光刻设备是一种用于将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上。
2、随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸变得越来越小，并且每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量也越来越多，这一趋势通常被称为摩尔定律。为了跟上摩尔定律，半导体行业不断寻求能够创建更小特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用波长在4nm至20nm范围内的极紫外(euv)辐射(例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。
3、计量工具用于ic制造过程的许多方面，并且包括基于散射测量的工具，用于在过程控制中检查/测量曝光和/或蚀刻的产品；例如，以测量套刻。
4、已知如果叠加层(例如，在不同层中形成的光栅)之间的间隔具有类似的尺寸数量级，则计量工具可以测量节距低至约10nm的目标结构中的套刻。还已知计量工具可以测量间隔较大的叠加层之间的套刻，但前提是目标结构的节距也相应较大。测量节距相对较小(例如，约10nm)且叠加层之间的间隔相对较大
5、另一个挑战是越来越多地使用对可见光不透明的材料层，诸如金属或碳层，或用于3d存储器应用的硫化物材料。许多现有的基于散射测量的计量技术可能无法访问这些不透明层下方的目标结构部分。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供备选的或改进的计量技术，例如以增加可有效执行计量的情况范围。
2、根据一个方面，提供了一种确定关于使用光刻工艺在衬底上形成的目标结构的信息的方法，包括：提供悬臂探头，该悬臂探头包括悬臂和探头元件，该探头元件从悬臂向目标结构延伸；在悬臂探头中产生超声波，该超声波通过探头元件传播到目标结构中并且从目标结构反射回到探头元件或者回到从悬臂延伸出的另一个探头元件中；以及检测反射的超声波并且根据检测到的反射的超声波确定关于目标结构的信息。
3、根据一个方面，提供了一种计量工具，用于确定关于使用光刻工艺在衬底上形成的目标结构的信息，该计量工具包括：具有悬臂和探头元件的悬臂探头，该探头元件被配置为从悬臂向目标结构延伸；超声产生系统，被配置为在悬臂探头中产生超声波，使得超声波通过探头元件传播到目标结构中并从目标结构反射回探头元件中或反射回从悬臂延伸的另一个探头元件中；以及超声波检测系统，被配置为检测反射的超声波。
4、根据一个方面，提供了一种用于计量工具的悬臂探头，该计量工具用于确定关于使用光刻工艺在衬底上形成的目标结构的信息，该悬臂探头包括：悬臂；探头元件，被配置为从悬臂向目标结构延伸；以及另一探头元件，被配置为从悬臂向目标结构延伸，其中：探头元件的至少一部分是锥形的，以具有朝向目标结构减小的横截面积；并且另一探头元件的至少一部分是锥形的，以具有朝向目标结构增大的横截面积。
5、根据一个方面，提供了一种用于计量工具的悬臂探头，该计量工具用于确定关于使用光刻工艺在衬底上形成的目标结构的信息，该悬臂探头包括：悬臂；以及探头元件，该探头元件被配置为从悬臂向目标结构延伸，其中：探头元件包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分由不同的材料形成；第一部分包括外护套区域，第二部分包括外护套区域内的中心区域，中心区域和外护套区域被配置为用作用于超声波从目标结构通过探头元件朝向悬臂传播的波导。
6、根据一个方面，提供了一种用于计量工具的悬臂探头，该计量工具用于确定关于使用光刻工艺在衬底上形成的目标结构的信息，该悬臂探头包括：悬臂；以及探头元件，被配置为从悬臂向目标结构延伸，其中：探头元件包括纵向近端部分和纵向远端部分；纵向近端部分连接到悬臂并从悬臂延伸到纵向远端部分；并且纵向远端部分被配置为从纵向近端部分向目标结构延伸，其中：纵向远端部分呈锥形以具有朝向目标结构减小的横截面积，并且纵向近端部分包括至少一个非锥形的部分或至少一个锥形的以具有朝向悬臂减小的横截面积的部分。
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1.一种AFM工具的元件，包括由多个交替沉积的压电层形成的涂层。
2.根据权利要求1所述的元件，其中所述层中的至少一个层是压电的。
3.根据权利要求1所述的元件，其中所述层由半导体异质结构形成。
4.根据权利要求1所述的元件，其中由多个交替沉积的压电层形成的所述涂层是设置在悬臂上的超声产生层。
5.根据权利要求4的元件，其中所述超声产生层包括具有多个单独层的复合层。
6.根据权利要求5的元件，其中具有多个单独层的所述复合层具有相对于彼此不同的材料组成。
7.根据权利要求6所述的元件，其中所述多个单独层由GaN和InGan形成，使得所述超声产生层是量子阱。
8.根据权利要求5所述的元件，其中具有多个单独层的所述复合层被配置成同心环几何形状，所述同心环几何形状包括具有空间分离的不同柱，并且其中每个柱具有多个单独层。
9.根据权利要求8所述的元件，所述元件被配置为具有不同厚度的柱，所述柱是通过使形成所述超声产生层的所述单独层具有不同厚度而获得的。
10.一种用于确定关于使用光刻工
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种afm工具的元件，包括由多个交替沉积的压电层形成的涂层。
2.根据权利要求1所述的元件，其中所述层中的至少一个层是压电的。
3.根据权利要求1所述的元件，其中所述层由半导体异质结构形成。
4.根据权利要求1所述的元件，其中由多个交替沉积的压电层形成的所述涂层是设置在悬臂上的超声产生层。
5.根据权利要求4的元件，其中所述超声产生层包括具有多个单独层的复合层。
6.根据权利要求5的元件，其中具有多个单独层的所述复合层具有相对于彼此不同的材料组成。
【专利技术属性】
技术研发人员：M·U·阿拉布，周子理，N·潘迪，C·A·弗舒伦，W·M·J·M·科内，G·J·弗比艾斯特，P·G·斯蒂内肯，M·P·罗宾，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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