System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备技术_技高网

一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备技术

技术编号:42477406 阅读:4 留言:0更新日期:2024-08-21 12:59
本发明专利技术提供了一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备,涉及滤波器技术领域,该异质集成滤波器的制备方法在制备完声学功能结构的上电极层之后且在进一步制备后续膜层之前,测量声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,将整体厚度换算成对应的频率参数,然后将换算得到的频率参数与目标频率范围进行比较,以此对声学功能结构的整体厚度进行调整,使调整后的声学功能结构的整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,之后再制备后续膜层,显然在异质集成滤波器制备完成后可得到符合目标频率范围的器件,进而提高晶圆的制备良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及滤波器,更具体地说,涉及一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备


技术介绍

1、滤波器在无线通讯中发挥着极其重要的作用,其主要功能是通过过滤特定的频段信号,将所需要的频段信号传递,而将其他频段的干扰信号消除,以此提高无线通讯的质量和稳定性。滤波器还可以实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能,确保无线通讯的准确性和可靠性。

2、目前有一种技术是baw+ipd的异质集成滤波器结构,这种技术是将声学功能结构用释放的上空腔封闭在其它膜层的内部,然后在上部制作电感和互联电路,可以实现声学功能结构与ipd电路的结合。

3、但是常规的pvd沉积工艺在制作膜层时存在厚度均匀性的问题,无法实现整片晶圆厚度都一样,由于声学功能结构厚度的偏差会造成相应频率的偏差,从而影响晶圆的良率。


技术实现思路

1、有鉴于此,为解决上述问题,本专利技术提供一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备,技术方案如下:

2、一种异质集成滤波器的制备方法,所述异质集成滤波器的制备方法包括:

3、提供一衬底;

4、形成声学功能结构,所述声学功能结构包括在第一方向依次层叠设置的下电极层、压电层和上电极层,所述第一方向垂直于所述衬底所在平面,且由所述衬底指向所述声学功能结构;

5、测量并调整所述声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,以将所述整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,所述目标频率范围基于所制备的异质集成滤波器所确定。

6、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述测量并调整所述声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,以将所述整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,包括:

7、测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度;

8、确定所述当前整体厚度对应的当前频率参数;

9、判断所述当前频率参数是否在所述目标频率范围内;

10、若否,调整所述当前整体厚度,并返回执行所述确定所述当前整体厚度对应的当前频率参数,这一步骤。

11、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

12、在所述下电极层制备完成后、且在制备所述压电层之前,测量所述下电极层的第一厚度;

13、在所述压电层制备完成后,且在制备所述上电极层之前,测量所述压电层的第二厚度;

14、在所述上电极层制备完成后,测量所述上电极层的第三厚度;

15、基于所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度,确定所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度。

16、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

17、在所述下电极层、所述压电层和所述上电极层制备完成后,整体测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度。

18、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述在所述下电极层、所述压电层和所述上电极层制备完成后,整体测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

19、在所述下电极层、所述压电层和所述上电极层制备完成后,基于超声波测量技术整体测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度。

20、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

21、确定所述声学功能结构在所述第一方向上的多个测量点;

22、测量所述声学功能结构在每个测量点处的当前整体厚度。

23、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述调整所述当前整体厚度,包括:

24、对所述上电极层进行离子束刻蚀处理,以调整所述当前整体厚度。

25、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,在形成所述声学功能结构之前,所述异质集成滤波器的制备方法还包括:

26、在所述衬底的第一区域上形成电容,在所述衬底的第二区域上形成牺牲层;

27、其中,所述第二区域基于所制备的异质集成滤波器的空腔区域确定,所述下电极层覆盖所述牺牲层。

28、优选的,在上述异质集成滤波器的制备方法中,所述异质集成滤波器的制备方法还包括:

29、形成互联电路和电感;

30、去除所述牺牲层,形成所述空腔区域。

31、本申请还提供了一种电子设备,所述电子设备包括上述任一项所述异质集成滤波器的制备方法所制备的异质集成滤波器。

32、相较于现有技术,本专利技术实现的有益效果为:

33、本专利技术提供的一种异质集成滤波器的制备方法包括:提供一衬底;形成声学功能结构,所述声学功能结构包括在第一方向依次层叠设置的下电极层、压电层和上电极层,所述第一方向垂直于所述衬底所在平面,且由所述衬底指向所述声学功能结构;测量并调整所述声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,以将所述整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,所述目标频率范围基于所制备的异质集成滤波器所确定。也就是说该异质集成滤波器的制备方法在制备完声学功能结构的上电极层之后且在进一步制备后续膜层之前,测量声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,将整体厚度换算成对应的频率参数,然后将换算得到的频率参数与目标频率范围进行比较,以此对声学功能结构的整体厚度进行调整,使调整后的声学功能结构的整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,之后再制备后续膜层,显然在异质集成滤波器制备完成后可得到符合目标频率范围的器件,进而提高晶圆的制备良率。

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【技术保护点】

1.一种异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述异质集成滤波器的制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量并调整所述声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,以将所述整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,包括:

3.根据权利要求2所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

4.根据权利要求2所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

5.根据权利要求4所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述在所述下电极层、所述压电层和所述上电极层制备完成后,整体测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

6.根据权利要求2-5任一项所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

7.根据权利要求2所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述调整所述当前整体厚度,包括:

8.根据权利要求1所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,在形成所述声学功能结构之前,所述异质集成滤波器的制备方法还包括:

9.根据权利要求8所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述异质集成滤波器的制备方法还包括:

10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1-9任一项所述异质集成滤波器的制备方法所制备的异质集成滤波器。

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【技术特征摘要】

1.一种异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述异质集成滤波器的制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量并调整所述声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度,以将所述整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围,包括:

3.根据权利要求2所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

4.根据权利要求2所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述测量所述声学功能结构在所述第一方向上的当前整体厚度,包括:

5.根据权利要求4所述的异质集成滤波器的制备方法,其特征在于,所述在所述下电极层、所述压电层和所述上电极层制备完成后,整体测量所述声...

【专利技术属性】
技术研发人员:周志虎左成杰何军
申请(专利权)人:安徽安努奇科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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