一种温度补偿电路及射频前端模组制造技术

技术编号:42475853 阅读:10 留言:0更新日期:2024-08-21 12:58
本技术涉及温度补偿电路及射频前端模组,温度补偿电路包括:射频功率放大器集成电路,所述射频功率放大器集成电路包括:放大单元和温度补偿单元,所述放大单元将输入信号进行放大后输出输出信号,所述温度补偿单元的输入端连接所述放大单元的输出端,所述温度补偿单元的输出端连接所述放大单元的输入端;所述温度补偿单元包括:电阻R1,所述电阻R1的材质为砷化镓半导体器件,所述电阻R1的阻值随着温度升高而增大。本技术通过温度补偿单元的温度特性,抵消放大单元对温度的增益差,控制放大单元的输出幅度,实现射频功率放大器集成电路的增益温度补偿功能,实施简单易实现,且效果稳定,不额外耗费大量版图面积,控制了成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频电路,更具体地说,涉及一种温度补偿电路及射频前端模组


技术介绍

1、射频功率放大器用于放大射频频率范围内的无线电信号,增益是其主要参数之一,用于描述输出信号强度相对输入信号强度的放大倍数。现有的射频功率放大器常使用砷化镓材质集成电路实现,具备工作频率高、输出功率大等优点,然而受砷化镓材质半导体器件自身特性制约,在高于室温的工作温度下存在增益下降的现象,而在低于室温的工作温度下存在增益升高的现象。系统设计需要这种增益差保持在一定范围内,所以需要使用辅助手段缩小高温、低温的增益差。

2、现有的技术手段主要是通过调整不同温度下的工作电流,以缩小高温、低温的增益差,一般而言,增大工作电流会提高放大器的增益,因此需要减小低温下工作电流,增大高温下的工作电流。该方案需要增加额外的一组电路调节不同温度的工作电流,并且可能对射频功率放大器集成电路的其他参数在高温、低温的特性产生负面影响。


技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提出一种温度补偿电路及射频前端模组。

2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提出一种温度补偿电路,用于射频功率放大器,包括:射频功率放大器集成电路,所述射频功率放大器集成电路包括:放大单元和温度补偿单元,所述放大单元将输入信号进行放大后输出输出信号,所述温度补偿单元的输入端连接所述放大单元的输出端,所述温度补偿单元的输出端连接所述放大单元的输入端;

3、所述温度补偿单元包括:电阻r1,所述电阻r1的材质为砷化镓半导体器件,所述电阻r1的阻值随着温度升高而增大。

4、在一些实施例中,所述放大单元包括:砷化镓半导体放大器件,所述砷化镓半导体放大器件用于对输入信号进行放大。

5、在一些实施例中,所述放大单元与所述温度补偿单元集成在同一块砷化镓集成电路。

6、在一些实施例中,所述温度补偿单元还包括:电容c1,所述电容c1与所述电阻r1为串联关系。

7、本技术还提供一种射频前端模组,包括如上任一项所述的温度补偿电路。

8、本技术的温度补偿电路通过温度补偿单元的温度特性,抵消放大单元对温度的增益差,控制放大单元的输出幅度,实现射频功率放大器集成电路的增益温度补偿功能,实施简单易实现,且效果稳定,不额外耗费大量版图面积,控制了成本。

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【技术保护点】

1.一种温度补偿电路,用于射频功率放大器,其特征在于,包括:射频功率放大器集成电路,所述射频功率放大器集成电路包括:放大单元和温度补偿单元,所述放大单元将输入信号进行放大后输出输出信号,所述温度补偿单元的输入端连接所述放大单元的输出端,所述温度补偿单元的输出端连接所述放大单元的输入端;

2.根据权利要求1所述的温度补偿电路,其特征在于,所述放大单元包括:砷化镓半导体放大器件,所述砷化镓半导体放大器件用于对输入信号进行放大。

3.根据权利要求2所述的温度补偿电路,其特征在于,所述放大单元与所述温度补偿单元集成在同一块砷化镓集成电路。

4.根据权利要求1所述的温度补偿电路,其特征在于,所述温度补偿单元还包括:电容C1,所述电容C1与所述电阻R1为串联关系。

5.一种射频前端模组,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的温度补偿电路。

【技术特征摘要】

1.一种温度补偿电路,用于射频功率放大器,其特征在于,包括:射频功率放大器集成电路,所述射频功率放大器集成电路包括:放大单元和温度补偿单元,所述放大单元将输入信号进行放大后输出输出信号,所述温度补偿单元的输入端连接所述放大单元的输出端,所述温度补偿单元的输出端连接所述放大单元的输入端;

2.根据权利要求1所述的温度补偿电路,其特征在于,所述放大单元包括:砷化镓半导体放大器件,所述砷...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢善谊张海涛张泽洲
申请(专利权)人:深圳芯佰特微电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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