【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体器件。更具体地，本专利技术构思涉及包括竖直沟道的存储器件。
技术介绍
1、为了提高半导体器件的集成度，已经开发了包括竖直沟道晶体管的存储器件，并且最近，氧化物半导体材料已被用作竖直沟道晶体管的沟道。氧化物半导体材料主要以非晶态使用，并且具有高电子迁移率的优点。然而，氧化物半导体材料的缺点在于，在低能级下发生化学还原作用，并且生成大量氧空位。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有提高特性的半导体器件。
2、根据示例实施例，提供了一种半导体器件。一种半导体器件可以包括：位线，在衬底上；栅电极，在位线上；栅极绝缘图案，在栅电极的侧壁上；第一沟道，接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁；以及接触插塞，接触第一沟道的上表面。第一沟道可以包括尖晶石igzo。
3、根据示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：位线，在衬底上；栅电极，在位线上；栅极绝缘图案，在栅电极的侧壁上；沟道结构；以及接触插塞，接触沟道结构的上表面。沟道结构可以包括第一沟道和第二沟道，第一沟道可以接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁，并且包括尖晶石igzo，第二沟道可以设置在第一沟道上，并且包括具有与igzo晶格匹配的材料。
4、根据示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：位线，在衬底上；栅电极；栅极绝缘图案，在每个栅电极的在第一方向上的侧壁上；沟道，接触每条位线的上表面以及栅极绝缘图案在第一方向上的侧壁；第一沟道，接触沟道的在第一
5、在根据示例实施例的制造半导体器件的方法中，可以在沟道层上形成牺牲沟道层，该牺牲沟道层包括与沟道层中包括的材料(例如，非晶igzo)晶格匹配的材料(可以包括gzo)，并且可以对牺牲沟道层执行热处理工艺。因此，可以对沟道层中包括的非晶igzo进行结晶，使得沟道可以形成为包括例如诸如尖晶石igzo之类的晶体igzo。
6、随后可以通过清洁工艺来去除牺牲沟道层，使得即使沟道可以形成为包括晶体igzo，用于形成栅电极和栅极绝缘图案的空间也不会减少。因此，可以提高半导体器件的集成度。
7、另外，由于沟道包括晶体igzo而不是非晶igzo，因此可以减少其中氧空位的生成，并且因为氢攻击的可能性低，所以可以减少包括沟道的晶体管的劣化。由于沟道包括尖晶石igzo，因此沟道可以具有高迁移率和高导通电流特性。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一沟道上的第二沟道，所述第二沟道包括具有与IGZO晶格匹配的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道包括GaZn2O4、ZnIn2O4、Zn2SnO4、Zn2TiO4、Ga2O3、TiN、SiC、RuO2和ZnAl2O4中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二沟道包括GaZn2O4。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面接触所述接触插塞。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面与所述第一沟道的所述上表面共面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道在一个方向上的截面具有杯形形状。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道具有低于所述栅极绝缘图案的上表面的顶表面。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触插塞具有下部和上部，所述下部接触所述第一沟道的所述上表面，并且具有第一宽
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述接触插塞上的电容器。
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二沟道包括GaZn2O4、ZnIn2O4、Zn2SnO4、Zn2TiO4、Ga2O3、TiN、SiC、RuO2和ZnAl2O4中的至少一种。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二沟道包括GaZn2O4。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面与所述第一沟道的上表面共面。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一沟道和所述第二沟道中的每一个在一个方向上的截面具有杯形形状。
16.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述沟道结构具有低于所述栅极绝缘图案的上表面的顶表面。
17.一种半导体器件，包括：
18.根据权利要求17所述的半导体器件，还包括在所述第一沟道上的第二沟道，所述第二沟道包括GaZn2O4。
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面接触所述接触插塞。
20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述接触插塞具有下部和上部，所述下部接触所述第一沟道的所述上表面，并且具有第一宽度，并且所述上部设置在所述下部上，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一沟道上的第二沟道，所述第二沟道包括具有与igzo晶格匹配的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道包括gazn2o4、znin2o4、zn2sno4、zn2tio4、ga2o3、tin、sic、ruo2和znal2o4中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二沟道包括gazn2o4。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面接触所述接触插塞。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二沟道的上表面与所述第一沟道的所述上表面共面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道在一个方向上的截面具有杯形形状。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道具有低于所述栅极绝缘图案的上表面的顶表面。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触插塞具有下部和上部，所述下部接触所述第一沟道的所述上表面，并且具有第一宽度，并且所述上部设置在所述下部上，并且具有大于所述第一宽度的第二宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述接触插塞上的电容器。
【专利技术属性】
技术研发人员：金俞琳，李昇姬，张胜愚，卓容奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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