【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器装置，并且更具体地，涉及被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。
技术介绍
1、半导体存储器可被分类为易失性存储器或非易失性存储器，在易失性存储器中(诸如，在静态随机存取存储器(sram)中或者在动态随机存取存储器(dram)中)，当电源关闭时存储的数据消失，在非易失性存储器中(诸如，在闪存装置、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)或铁电ram(fram)中)，即使当电源关闭时存储的数据也被保留。
2、闪存装置正被广泛用作高容量存储介质。由于闪存装置的物理特性和/或各种环境因素，被存储在闪存装置中的数据中可能发生错误。数据错误可通过单独的纠错手段而被纠正。然而，当发生超过单独的纠错手段的纠错限制的错误时，这样的数据可能丢失。在这种情况下，存储在闪存装置中的数据的可靠性可能受到影响。
技术实现思路
1、本公开的实施例可针对被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器提供具有高可靠性和/或性能的操作方法。
2、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：启动包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块的相应可靠性操作的第一实例(instance)，相应可靠性操作包括检测相应存储器块的劣化水平并且基于检测到的劣化水平来设置相应跳过参考值；确定相应可靠性操作的连续跳过实例的相应数量是否小于相应跳过参考值；以及基于确定结果，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例。>
3、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：对包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块执行可靠性操作，以获得相应存储器块的相应错误信息；基于相应错误信息设置相应存储器块的相应跳过参考值；将相应存储器块的相应可靠性操作跳过一次数，其中，所述次数是对应于相应跳过参考值的自然数；以及在第一存储器块的可靠性操作被跳过所述次数之后，执行相应存储器块的相应可靠性操作，以获得更新后的相应错误信息。
4、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：对包括在非易失性存储器装置中的第一存储器块执行第一可靠性操作，以获得第一存储器块的第一错误信息；基于第一错误信息设置第一存储器块的第一间隔；基于第一间隔对第一存储器块执行第二可靠性操作，以获得第一存储器块的第二错误信息；基于第二错误信息设置第一存储器块的第二间隔；以及基于第二间隔对第一存储器块执行第三可靠性操作，以获得第一存储器块的第三错误信息。
5、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：触发包括在非易失性存储器装置中的第一存储器块的第一可靠性操作；通过使用多个检查模块之中的除了第一检查模块之外的剩余的检查模块来执行第一可靠性操作；触发第一存储器块的第二可靠性操作；以及通过使用所述多个检查模块之中的除了第二检查模块之外的剩余的检查模块来执行第二可靠性操作。所述多个检查模块中的每个执行针对第一存储器块的邻近字线的虚设读取操作、针对第一存储器块的任意串选择线的虚设读取操作、针对第一存储器块的第一弱字线组的虚设读取操作和针对第一存储器块的第二弱字线组的虚设读取操作中的一个。
6、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：触发包括在非易失性存储器装置中的第一存储器块的第一可靠性操作；以及基于第一检查模块跳过状态，通过使用多个检查模块之中的除了第一检查模块之外的剩余的检查模块来执行第一可靠性操作。所述多个检查模块中的每个执行针对第一存储器块的邻近字线的虚设读取操作、针对第一存储器块的任意串选择线的虚设读取操作、针对第一存储器块的第一弱字线组的虚设读取操作和针对第一存储器块的第二弱字线组的虚设读取操作中的一个。第一检查模块跳过状态包括指示第一检查模块是将被跳过的检查模块的信息。
7、根据实施例，一种被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：执行包括在非易失性存储器装置中的第一存储器块的第一可靠性操作；以及执行包括在非易失性存储器装置中的第一存储器块的第二可靠性操作。第一可靠性操作包括执行与第一存储器块的第一弱字线组相关联的第一虚设读取操作，并且跳过与第一存储器块的第二弱字线组相关联的第二虚设读取操作。第二可靠性操作包括执行与第一存储器块的第二弱字线组相关联的第二虚设读取操作，并且跳过与第一存储器块的第一弱字线组相关联的第一虚设读取操作。
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1.一种存储控制器的操作方法，所述存储控制器被配置为控制非易失性存储器装置，所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，相应可靠性操作基于指示相应存储器块的读取计数区间的给定间隔而被启动。
3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，相应可靠性操作指示从与包括在相应存储器块中的至少一条字线连接的存储器单元读取数据、并且检测和纠正读取的数据的错误的操作。
4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的操作方法，还包括：
6.根据权利要求4所述的操作方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，更新后的相应跳过参考值小于设置的相应跳过参考值。
8.根据权利要求6所述的操作方法，其中，当相应错误信息超过小于阈值的给定参考值时，更新后的相应跳过参考值被重置。
9.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，第一读取计数与第二读取计数之间的间隔对应于参
11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的操作方法，其中，设置的相应跳过参考值基于初始错误信息而被设置，初始错误信息通过在对相应存储器块执行编程操作之后第一次执行的相应可靠性操作而被获得。
12.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的操作方法，其中，设置的相应跳过参考值基于初始错误信息和相应存储器块的编程/擦除循环的数量而被设置，初始错误信息通过在对相应存储器块执行编程操作之后第一次执行的相应可靠性操作而被获得。
13.一种存储控制器的操作方法，所述存储控制器被配置为控制非易失性存储器装置，所述操作方法包括：
14.根据权利要求13所述的操作方法，还包括：
15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，更新后的相应跳过参考值小于设置的相应跳过参考值。
16.根据权利要求13至权利要求15中的任一项所述的操作方法，还包括：
17.根据权利要求13至权利要求15中的任一项所述的操作方法，其中，相应存储器块的相应可靠性操作基于指示相应存储器块的读取计数区间的给定间隔而被启动。
18.一种存储控制器的操作方法，所述存储控制器被配置为控制非易失性存储器装置，所述操作方法包括：
19.根据权利要求18所述的操作方法，其中，第一间隔和第二间隔中的每个指示第一存储器块的读取计数的值的间隔，并且第二间隔短于第一间隔。
20.根据权利要求18所述的操作方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储控制器的操作方法，所述存储控制器被配置为控制非易失性存储器装置，所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，相应可靠性操作基于指示相应存储器块的读取计数区间的给定间隔而被启动。
3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，相应可靠性操作指示从与包括在相应存储器块中的至少一条字线连接的存储器单元读取数据、并且检测和纠正读取的数据的错误的操作。
4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的操作方法，还包括：
6.根据权利要求4所述的操作方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，更新后的相应跳过参考值小于设置的相应跳过参考值。
8.根据权利要求6所述的操作方法，其中，当相应错误信息超过小于阈值的给定参考值时，更新后的相应跳过参考值被重置。
9.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，第一读取计数与第二读取计数之间的间隔对应于参考间隔，
11.根据权利要求1至权利要求10中的任一项所述的操作方法，其中，设置的相应跳过参考值基于初始错误信息而被设置，初始错误信息通过在对相...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐永周，徐荣德，文相权，吴玄教，吴熙泰，李熙元，金志守，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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