【技术实现步骤摘要】
本申请涉及通信，特别是涉及光收发组件和通信装置。
技术介绍
1、随着数据中心的带宽需求和能耗持续增长，以及硅光技术的成熟，5g时代对高带宽计算、传输、存储的要求越来越高，板上和板间进入了光互连时代，通过专用集成电路控制多个光收发模块，并将光芯片或光模块和专用集成电路封装在一起，形成光电共封装结构以提高互连密度，这种光电共封装结构中光芯片与电芯片的混合集成可以是二维平面集成，也可以是三维堆叠集成。相比二维平面集成，2.5d/3d集成可以实现更高密度、更高性能、更低功耗。光模块一般采用增加信号传输通道数量、提高单通道速率技术实现更高的传输容量，在单个光模块中边发射激光器可以进行一维阵列排布以实现多个信号传输通道，但边发射激光器很难实现二维阵列和更大规模的集成，因此目前单个光模块中信号传输通道数量都有限，例如常见的4通道、8通道，继续增加单个光模块中的信号传输通道数量则会增大体积，而专用集成电路周围布局空间有限，很难继续提升通信装置的传输容量。针对相关技术中存在单个光模块或通信装置增加信号传输通道数量时受边发射激光器空间排布限制的问题，目前还没有有效的解决方案。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了光收发组件和通信装置，以解决相关技术中存在单个光模块或通信装置增加信号传输通道数量时受边发射激光器空间排布限制的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种光收发组件，包括：
3、硅中介层、二维光芯片阵列、高速连接器、电芯片、低速连接器以及光纤阵列组件；
5、低速连接器用于对电芯片进行供电；
6、二维光芯片阵列与二维光学通孔阵列的二维阵列排布一致，且二维光芯片阵列的光敏面或发光面对准硅中介层的二维光学通孔阵列；
7、二维光芯片阵列、高速连接器、电芯片以及低速连接器均安装于硅中介层的一表面，并通过硅中介层的电学再布线层互相连接；
8、光纤阵列组件安装于硅中介层的二维光芯片阵列所在的另一表面。
9、在其中的一些实施例中，二维光学通孔阵列通过刻蚀工艺在硅中介层刻蚀出，光纤阵列组件由微透镜、单模或多模光纤组成，封装在二维光学通孔阵列背面。
10、在其中的一些实施例中，二维光芯片阵列芯片包括面接收光电探测芯片或面发射激光器芯片；
11、其中，二维光芯片阵列通过焊料凸点与电学再布线结构连接。
12、在其中的一些实施例中，高速连接器之间，或者低速连接器之间，连接方式为柔性连接。
13、高速连接器、低速连接器通过焊接方式直接焊接并电连接于硅中介层。
14、在其中的一些实施例中，两个高速连接器之间或者两个低速连接器之间，基于同轴连接线、柔性印制电路板和柔性扁平电缆柔性连接；
15、两个高速连接器之间，或者，两个低速连接器之间的柔性连接至少一端可插拔。
16、在其中的一些实施例中，电芯片和二维光芯片阵列安装于硅中介层的一表面，高速连接器、光纤阵列组件和低速连接器安装于二维光芯片阵列所在的硅中介层的另一表面。
17、在其中的一些实施例中，光收发组件还包括光收发组件基板，电芯片和高速连接器通过焊料凸点安装于光收发组件基板上，通过光收发组件基板对电芯片进行供电。
18、第二方面，在本实施例中提供了一种通信装置，包括：
19、数字芯片封装组件、载板和第一个方面任一项的光收发组件；
20、数字芯片封装组件包括数字芯片和封装基板，数字芯片安装并电连接于封装基板，封装基板安装并电连接于载板；
21、数字芯片、封装基板上或者载板上至少安装一个光收发组件。
22、在其中的一些实施例中，通信装置还包括光收发组件基板，高速连接器和电芯片安装于光收发组件基板上。
23、在其中的一些实施例中，通信装置包括若干对高速连接器和若干对低速连接器；
24、任意一对高速连接器中的第一个高速连接器通过焊料凸点与硅中介层电连接，并安装在硅中介层表面或者侧面；
25、任意一对高速连接器中的第二个高速连接器通过焊料凸点与封装基板电连接，并安装在封装基板表面或者侧面；或者，
26、任意一对高速连接器中的第二个高速连接器通过焊料凸点与光收发组件基板电连接，并安装在光收发组件基板表面或侧面，光收发组件基板安装并电连接于载板；或者，
27、任意一对高速连接器中的第二个高速连接器通过焊料凸点与载板电连接，并安装在载板表面或侧面；
28、任意一对低速连接器中的第一个低速连接器通过焊料凸点与硅中介层电连接，并安装在硅中介层表面或侧面；
29、任意一对低速连接器中的第二个低速连接器通过焊料凸点和载板电连接，并安装在载板的表面或侧面。
30、与相关技术相比，在本实施例中提供的光收发组件和通信装置，包括硅中介层、二维光芯片阵列、高速连接器、低速连接器以及光纤阵列组件；硅中介层上设置有二维光学通孔阵列，光信号通过二维光学通孔阵列到达二维光芯片阵列或到达光纤阵列组件；二维光芯片阵列与二维光学通孔阵列的二维阵列排布一致，且二维光芯片阵列的光敏面或发光面对准硅中介层的二维光学通孔阵列；二维光芯片阵列、高速连接器以及低速连接器均安装并电连接于硅中介层上，并通过硅中介层的电学再布线层互相连接；光纤阵列组件安装于硅中介层的二维光芯片阵列所在的另一表面。硅中阶层的二维光学通孔阵列和其一侧的二维光芯片阵列增加了单个光收发组件的信号传输通道数量，提高了单个光收发组件和整个通信装置的信号传输速率。
31、本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
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1.一种光收发组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的光收发组件，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于，所述电芯片和所述二维光芯片阵列安装于所述硅中介层的一表面，所述高速连接器、所述光纤阵列组件和所述低速连接器安装于所述二维光芯片阵列所在的所述硅中介层的另一表面。
7.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于，所述光收发组件还包括光收发组件基板，所述电芯片和所述高速连接器通过焊料凸点安装于所述光收发组件基板上，通过所述光收发组件基板对所述电芯片进行供电。
8.一种通信装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的通信装置，其特征在于，所述通信装置还包括光收发组件基板，所述高速连接器和所述电芯片安装于所述光收发组件基板上。
10.根据权利要求9所述的通信装置，其特征在于，所述通信装置包括若
...【技术特征摘要】
1.一种光收发组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的光收发组件，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的光收发组件，其特征在于，所述电芯片和所述二维光芯片阵列安装于所述硅中介层的一表面，所述高速连接器、所述光纤阵列组件和所述低速连接器安装于所述二维光芯片阵列所在的所述硅中介层的另一表面。
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