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氮化硅天线罩的制备方法及氮化硅天线罩技术

技术编号:42467250 阅读:7 留言:0更新日期:2024-08-21 12:53
本发明专利技术涉及天线罩技术领域,尤其涉及氮化硅天线罩的制备方法及氮化硅天线罩,原材料还含有阻氧剂;将原材料混合时采用如下步骤:取部分光敏树脂与光引发剂进行混合,形成光敏树脂混合A液;取剩余光敏树脂与阻氧剂进行混合,形成光敏树脂混合B液;将光敏树脂混合A液、光敏树脂混合B液、氮化硅粉体和烧结助剂均质混合,形成氮化硅陶瓷浆料。本发明专利技术在氮化硅天线罩的制备中引入阻氧剂以提高氮化硅陶瓷浆料的固化深度,极大的缩短了打印时间,提高打印效率,降低生产时间成本;在提高固化深度的同时,克服了现有高固化深度导致的的良品率低的问题;由本制备方法制备的氮化硅天线罩一体化成型,无需后续加工,减少操作步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及天线罩,尤其涉及氮化硅天线罩的制备方法及氮化硅天线罩


技术介绍

1、雷达天线罩/窗在保证通信、探测和制导信号的传输以及保护雷达或天线系统不受外界恶劣环境干扰而正常工作方面发挥着重要作用。用于天线罩的宽频透波材料研究最初集中在高分子材料上,但这些材料由于不适合高马赫数而被放弃。

2、随着研究的不断深入,氮化材料如si3n4、bn、si-b-o-n、si-al-o-n等因其独特的高强度、耐高温、耐雨蚀、低介电常数和抗氧化性而成为可行的选择。在这些材料中,si3n4陶瓷具有更优越的机械强度、抗热震性和耐腐蚀性等优点,使其适用于飞行速度超过6马赫的高温环境,因此在天线罩/窗中具有很大的应用潜力。

3、在si3n4陶瓷天线罩探究期间有许多制备的专利涌现。如中国专利公开号cn104302600a中即首先对天线罩si3n4、硅酸镁铝粉末材料进行混合,再通过等静压成形陶瓷坯体。中国专利号cn109608204a也通过冷等静压成形陶瓷坯体,与之区别的是首先对si3n4粉体进行造粒,还有对烧结程序的处理增加了在1000-1300℃的预烧结。以上方法虽能实现耐高温、高硬度的氮化硅陶瓷天线罩制备,但随着工业和科研对复杂结构构件及成型尺寸需求的不断增加,昂贵的加工成本已经严重制约了以上方法的发展。

4、增材制造技术(3d打印技术)的出现可以扩大其在复杂结构中的应用潜力,能带来新的可设计性。如中国专利号cn117263696a采用熔融沉积打印技术成形si3n4天线罩坯体,但是面临打印精度偏低的问题。中国专利号cn114014671a采用增材制造成形变密度多孔支撑层,并采用化学气相沉积或溶胶凝胶法对支撑层进行填充。但该专利存在处理过程成本过高、实现方式复杂的问题。


技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、本专利技术为了解决现有氮化硅天线罩的制备存在成本高、方式复杂和精度低的技术问题,提供一种氮化硅天线罩的制备方法及氮化硅天线罩。

3、(二)技术方案

4、为了解决上述问题,本专利技术第一方面提供了氮化硅天线罩的制备方法,使用如下原材料:光敏树脂、光引发剂、氮化硅粉体和烧结助剂;

5、原材料还包括阻氧剂;

6、将上述原材料混合时采用如下步骤:

7、取部分光敏树脂与光引发剂进行混合,形成光敏树脂混合a液;

8、取剩余光敏树脂与阻氧剂进行混合,形成光敏树脂混合b液;

9、将光敏树脂混合a液、光敏树脂混合b液、氮化硅粉体和烧结助剂均质混合,形成氮化硅陶瓷浆料。

10、进一步的,氮化硅陶瓷浆料的固含量大于35%vol。

11、进一步的,除制备氮化硅陶瓷浆料外,还包括如下步骤:

12、确定天线罩模型;

13、对天线罩模型进行切片处理;

14、对切片后的天线罩模型进行依次光固化成型,得到打印件;

15、对打印件进行清理去除残余浆料;

16、脱脂、脱碳、烧结获取氮化硅天线罩。

17、进一步的,在步骤对天线罩模型进行切片处理中,切片层厚为固化深度的2/3;

18、在步骤对切片后的天线罩模型进行依次光固化成型,得到打印件中,曝光能量为300-500mj/cm2;刮刀速度为4-6mm/s,光源波长为405nm,像素分辨率为62.5μm。

19、进一步的,在管式炉中以5-15℃/h的速率从室温升至300-400℃,保温2h;以10-20℃/h的速率升温至600℃,保温2h;

20、脱碳过程包括:在马弗炉中以5-10℃/h的速率升温至600℃,保温2h;

21、烧结过程包括:在无压烧结炉或气压烧结炉中,以60-120℃/h的速率升温至1500℃,再以30-60℃/h的速率升温至最终烧结温度。

22、第二方面,本专利技术提供了氮化硅天线罩,该氮化硅天线罩由上述任一项所述的制备方法制备而成。

23、第三方面,本专利技术提供了氮化硅天线罩,该氮化硅天线罩具有夹层结构;包括三层结构,由内至外依次为内罩、中间层和外罩;

24、所述内罩、中间层和外罩为通过上述制备方法一体化成型而成;

25、所述中间层呈多孔结构。

26、(三)有益效果

27、本专利技术的上述技术方案具有如下优点:本专利技术在氮化硅天线罩的制备中引入阻氧剂以提高氮化硅陶瓷浆料的固化深度,极大的缩短了打印时间,提高打印效率,降低生产时间成本;

28、在提高固化深度的同时,克服了现有高固化深度导致的的良品率低的问题;

29、由本制备方法制备的氮化硅天线罩一体化成型,无需后续加工,减少操作步骤。

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【技术保护点】

1.氮化硅天线罩的制备方法,使用如下原材料:光敏树脂、光引发剂、氮化硅粉体和烧结助剂;

2.如权利要求1所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,氮化硅陶瓷浆料的固含量大于35%vol。

3.如权利要求2所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,除制备氮化硅陶瓷浆料外,还包括如下步骤:

4.如权利要求3所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,

5.如权利要求4所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,脱脂过程包括:在管式炉中以5-15℃/h的速率从室温升至300-400℃,保温2h;以10-20℃/h的速率升温至600℃,保温2h;

6.氮化硅天线罩,其特征在于,该氮化硅天线罩由权利要求1-5任一项所述的制备方法制备而成。

7.氮化硅天线罩,该氮化硅天线罩具有夹层结构;包括三层结构,由内至外依次为内罩、中间层和外罩;其特征在于:

【技术特征摘要】

1.氮化硅天线罩的制备方法,使用如下原材料:光敏树脂、光引发剂、氮化硅粉体和烧结助剂;

2.如权利要求1所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,氮化硅陶瓷浆料的固含量大于35%vol。

3.如权利要求2所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,除制备氮化硅陶瓷浆料外,还包括如下步骤:

4.如权利要求3所述的氮化硅天线罩的制备方法,其特征在于,

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈光黄石伟顾荣军
申请(专利权)人:江苏乾度智造高科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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