【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光元件及其制造方法。
技术介绍
1、近年来，将由发光波长为uvc(波长200～280nm)的iii族氮化物半导体构成的紫外线led用于水、空气等的杀菌、消毒当中受到关注，正在积极进行面向紫外线led的高效率化的研究、开发。
2、uvc的紫外线容易被在led内部吸收，存在光取出效率低这样的问题。因此，在作为光取出侧的基板背面形成防反射膜而实现光取出效率的提高(参照专利文献1)。
3、专利文献1：日本特开2021-517736号公报
4、但是，存在如下情况，即，在保护膜形成后在基板背面形成防反射膜的情况下，由于该形成时的热负荷使元件的保护膜剥离、或者产生裂缝，导致产生泄漏不良。
技术实现思路
1、本专利技术是鉴于这样的背景而完成的，欲提供防止保护膜的剥离、裂缝的发光元件及其制造方法。
2、本专利技术的一方式是一种发光元件，其是由发光波长为200nm以上且280nm以下的iii族氮化物半导体构成的发光元件，具有：基板；防反射膜，其设置于上述基板背面；半导体层，其是在上述基板表面上依次层叠n层、发光层、p层得到的；孔，其设置于上述p层表面的预定的区域，且深度达到上述n层；第一p电极，其与上述p层相接地设置在上述p层之上；第一n电极，其设置于在上述孔的底面暴露的上述n层之上；第二p电极，其设置在上述第一p电极之上；第二n电极，其设置在上述第一n电极之上；以及保护膜，其覆盖元件上表面整体，且由绝缘材料构成，上述保护膜具有：第一保护
3、本专利技术的其他方式是一种发光元件的制造方法，是制造由发光波长为200nm以上且280nm以下的iii族氮化物半导体构成的发光元件的制造方法，具有：半导体层形成工序，在该工序中，在基板表面上依次层叠n层、发光层、p层来形成半导体层；孔形成工序，在该工序中，在上述p层表面的预定的区域形成深度达到上述n层的孔；第一p电极形成工序，在该工序中，在上述p层之上形成第一p电极；第一n电极形成工序，在该工序中，在从上述孔的底面暴露的上述n层之上形成第一n电极；第二p电极形成工序，在该工序中，在上述第一p电极之上形成第二p电极；第二n电极形成工序，在该工序中，在上述第一n电极之上形成第二n电极；第一保护膜形成工序，在该工序中，形成覆盖元件上表面整体且由绝缘材料构成的第一保护膜；以及第二保护膜形成工序，在该工序中，在上述第一保护膜之上形成由与上述第一保护膜同一材料构成的第二保护膜，通过利用不同的形成方法形成上述第一保护膜与上述第二保护膜，使上述第一保护膜与上述第二保护膜的内部应力不同。
4、根据上述方式，使保护膜成为内部应力不同的两层，因此，能够缓和保护膜的内部应力，能够防止因防反射膜的形成时的热负荷引起的保护膜的剥离、裂缝。
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1.一种发光元件，是由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成的发光元件，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
5.一种发光元件的制造方法，是制造由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成的发光元件的制造方法，其特征在于，具有：
6.根据权利要求5所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求5或6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，是由发光波长为200nm以上且280nm以下的iii族氮化物半导体构成的发光元件，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：松井慎一，面家英树，牧野浩明，水谷浩一，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：
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