【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体工艺用抛光组合物基板的制造方法等。
技术介绍
1、随着半导体器件变得更加细微化和高密度化，正在使用更精细的图案形成技术，相应地，半导体器件的表面结构也变得更加复杂，层间膜的高度差也越来越大。在制造半导体器件时，作为用于去除形成在基板上的特定膜的高度差的平坦化技术，使用化学机械抛光(chemical mechanical polishing，以下称为“cmp”)工艺。
2、在cmp工艺中，将浆料供应到抛光垫，在加压、旋转基板的同时抛光表面。待平坦化的对象根据工艺步骤而不同，此时所应用的浆料的物理性能也存在差异。
3、至于在形成金属布线之后的抛光，需要在使凹陷或腐蚀等最小化的同时保持足够的抛光率和抛光速度。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1韩国授权专利第10-0341141号
7、专利文献2韩国授权专利第10-2291196号
8、专利文献3韩国授权专利第10-1406762号
技术实现思路
1、技术问题
2、本实施方式的目的在于，提供一种半导体工艺用抛光组合物，当将上述半导体工艺用抛光组合物应用于cmp工艺时，可以有效地抑制在待抛光基板的表面上形成因磨料颗粒导致的缺陷，并且可以表现出稳定的抛光特性。
3、解决问题的方案
4、根据本说明书的一实施例的半导体工艺用抛光组合物包括磨料颗粒。
5、上述磨料颗粒根据下述第一式的
6、[第一式]
7、ds＝mps2-d102
8、在上述第一式中，上述mps为上述磨料颗粒的初级颗粒的平均粒度(meanparticle size)。
9、上述d10为上述磨料颗粒的初级颗粒的粒度分布累积曲线中10％处的粒径。
10、上述半导体工艺用抛光组合物根据下述第二式的db值可以为500nm2至850nm2。
11、[第二式]
12、db＝d902-d502
13、在上第二式中，上述d90为上述磨料颗粒的初级颗粒的粒度分布累积曲线中90％处的粒径。
14、上述d50为上述磨料颗粒的初级颗粒的粒度分布累积曲线中50％处的粒径。
15、上述mps值可以为25nm以上且55nm以下。
16、上述磨料颗粒可以是经超滤过滤器浓缩并纯化的。
17、上述超滤过滤器可以包括孔隙。
18、上述孔隙的直径可以为5nm至25nm。
19、上述半导体工艺用抛光组合物的zeta电位可以为+10mv至+40mv。
20、上述半导体工艺用抛光组合物可以包括0.5重量％至10重量％的磨料颗粒。
21、上述磨料颗粒可以包括金属氧化物颗粒、胶体二氧化硅或气相二氧化硅中的一种以上。
22、上述金属氧化物颗粒可以包括二氧化铈、氧化铝、二氧化钛及氧化锆中的至少一种。
23、上述半导体工艺用抛光组合物的ph值为可以为2至5。
24、根据本说明书的另一实施例的基板的制造方法，包括将上述半导体工艺用抛光组合物作为浆料对基板进行抛光的过程。
25、专利技术的效果
26、当将根据本实施方式的半导体工艺用抛光组合物应用于cmp工艺时，可以有效地抑制在待抛光基板的表面上形成因磨料颗粒导致的缺陷，并且可以表现出稳定的抛光特性。
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1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
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7.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
10.一种基板的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：韩德洙，金桓铁，洪承哲，朴韩址，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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