【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种标准单元电路版图及半导体结构。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体结构的应用越来越广，尤其是金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，简称mos)因其工作电压低、静态功耗小、制造成本低等优点，广泛应用于静态随机存取存储器(static random access memory，简称sarm)、微控制器、中央处理器(central processing unit，简称cpu)、光学仪器等。然而，标准单元电路版图的空间利用率通常较低。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种标准单元电路版图及半导体结构，以提高标准单元电路版图的空间利用率。
2、根据一些实施例，本公开的第一方面提供一种标准单元电路版图，其包括至少一个器件单元，所述器件单元包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2n+1个栅极指状物，n为大于或者等于1的正整数；
3、所述2n+1个栅极指状物中的一个所述栅极指状物为间断式栅极指状物，所述间断式栅极指状物包括沿所述第一方向断开的两个栅极段。
4、在一些可能的实施例中，除所述间断式栅极指状物外，所述2n个栅极指状物分为第一栅极指状物组和第二栅极指状物组，所述第一栅极指状物组和所述第二栅极指状物组均包括沿所述第二方向依次相邻的n个栅极指状物，且所述第一栅极指状物组连接一个所述栅极段，所述第二栅极指状物组连接另一个所述栅极段。
5、在一些可能的实施例中，沿
6、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括间隔设置的第一侧栅和第二侧栅，所述第一侧栅连接所述第一栅极指状物组和相对应的所述栅极段，所述第二侧栅连接所述第二栅极指状物组和相对应的所述栅极段。
7、在一些可能的实施例中，所述n大于1，所述第一侧栅还连接所述第一栅极指状物组内的各所述栅极指状物，所述第二侧栅还连接所述第二栅极指状物组内的各所述栅极指状物。
8、在一些可能的实施例中，所述第一侧栅与所述第一栅极指状物组内的各所述栅极指状物的第一端面，以及与所述第一栅极指状物组所连接的所述栅极段的第一端面相接触；
9、所述第二侧栅包括沿所述第一方向分别位于所述第二栅极指状物组两侧的第一分栅和第二分栅；
10、所述第一分栅与所述第二栅极指状物组内的各所述栅极指状物的第一端面相接触，所述第二分栅与所述第二栅极指状物组内的一所述栅极指状物的第二端面，以及与所述第二栅极指状物组所连接的所述栅极段的第二端面相接触。
11、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括同层设置的第一接触插塞和第二接触插塞；
12、所述第一接触插塞与部分所述第一侧栅重合，所述第二接触插塞与部分所述第二侧栅重合。
13、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2(n+1)个导电条，沿所述第二方向，每两个相邻的所述导电条之间间隔设置有所述2n+1个栅极指状物中的一个所述栅极指状物；
14、所述2(n+1)个导电条中的一个所述导电条为间断式导电条，所述间断式导电条包括沿所述第一方向断开的两个导电段，所述两个导电段与所述两个栅极段相邻且相对设置。
15、在一些可能的实施例中，除所述间断式导电条外，所述2n+1个导电条分为第一导电条组和第二导电条组，所述第一导电条组包括沿所述第二方向隔行设置的n+1个所述导电条，所述第二导电条组包括剩余的n个所述导电条；
16、所述器件单元还包括连接图形，所述连接图形沿所述第一方向位于所述第一导电条组旁侧，且与所述第一导电条组中的各所述导电条的第二端面相接触。
17、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括间隔设置的第三接触插塞、第四接触插塞、第五接触插塞和第六接触插塞：
18、所述第三接触插塞重合在所述连接图形内，所述第四接触插塞重合在所述第二导电条组内，所述第五接触插塞重合在所述两个导电段中的一个所述导电段内，所述第六接触插塞重合在所述两个导电段中的另一个所述导电段内。
19、在一些可能的实施例中，所述n大于1，所述第二导电条组中的每个所述导电条对应一个所述第四接触插塞。
20、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括：沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔设置的第一有源区和第二有源区；
21、所述第一有源区与所述2n个栅极指状物以及两个所述栅极段中的一个所述栅极段具有部分重合区，所述第二有源区与所述2n个栅极指状物以及两个所述栅极段中的另一个所述栅极段具有部分重合区；
22、且沿所述第一方向，所述第一有源区和所述第二有源区之间的第一间隙，与所述两个所述栅极段之间的第二间隙具有部分重合区。
23、在一些可能的实施例中，沿所述第一方向，与所述第一有源区相对应的所述栅极段的两端均凸出所述第一有源区，与所述第二有源区相对应的所述栅极段的两端均凸出所述第二有源区。
24、在一些可能的实施例中，所述器件单元还包括沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔设置的接地线和电源线；
25、所述接地线与所述第一有源区和所述第二有源区中的一者具有部分重合区，所述电源线与所述第一有源区和所述第二有源区中的另一者具有部分重合区；且沿所述第一方向，所述接地线和所述电源线之间的第三间隙，与所述第一间隙具有部分重合区。
26、在一些可能的实施例中，沿所述第一方向，所述接地线的两端均位于所述第一有源区内，所述电源线的两端均位于所述第二有源区内
27、本公开实施例提供的标准单元电路版图至少具有如下优点：
28、本公开实施例提供的标准单元电路版图包括至少一个器件单元，每个器件单元包括2n+1个栅极指状物，这2n+1个栅极指状物沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，其中一个栅极指状物沿第一方向分为两个栅极段，两个栅极段和剩余的2n个栅极指状物分为两组，分别作为两个器件的栅极结构。如此设置，每个器件单元可以包括两个器件，且每个器件单元中的2n+1个栅极指状物均得到应用，提高了标准单元电路版图的空间利用率。
29、根据一些实施例，本公开第二方面提供一种半导体结构，其包括至少一个器件单元，所述器件单元包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2n+1个栅极，n为大于或者等于1的正整数；
30、所述2n+1个栅极中的一所述栅极为间断式栅极，所述间断式栅极包括沿所述第一方向断开的两个子栅极。
31、在一些可能的实施例中，除所述间断式栅极外，所述2n个栅极分为第一栅极组和第二栅极组，所述第一栅极组和所述第二栅极组均包括沿所述第二方向依次相邻的n个栅极，且所述第一栅极组连接一个所述子栅极，所述第二栅极组连接另一个所述子栅极。
32、本公开实施例提供的半导体结构包括至少一个器本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种标准单元电路版图，其特征在于，包括至少一个器件单元，所述器件单元包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2N+1个栅极指状物，N为大于或者等于1的正整数；
2.根据权利要求1所述的标准单元电路版图，其特征在于，除所述间断式栅极指状物外，所述2N个栅极指状物分为第一栅极指状物组和第二栅极指状物组，所述第一栅极指状物组和所述第二栅极指状物组均包括沿所述第二方向依次相邻的N个栅极指状物，且所述第一栅极指状物组连接一个所述栅极段，所述第二栅极指状物组连接另一个所述栅极段。
3.根据权利要求2所述的标准单元电路版图，其特征在于，沿所述第二方向，所述两个栅极段位于所述第一栅极指状物组和所述第二栅极指状物组的外侧。
4.根据权利要求2所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括间隔设置的第一侧栅和第二侧栅，所述第一侧栅连接所述第一栅极指状物组和相对应的所述栅极段，所述第二侧栅连接所述第二栅极指状物组和相对应的所述栅极段。
5.根据权利要求4所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述N大于1，所述第一侧栅还连接所述第一栅极指状物组内
6.根据权利要求5所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述第一侧栅与所述第一栅极指状物组内的各所述栅极指状物的第一端面，以及与所述第一栅极指状物组所连接的所述栅极段的第一端面相接触；
7.根据权利要求4所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括同层设置的第一接触插塞和第二接触插塞；
8.根据权利要求1-7任一项所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2(N+1)个导电条，沿所述第二方向，每两个相邻的所述导电条之间间隔设置有所述2N+1个栅极指状物中的一个所述栅极指状物；
9.根据权利要求8所述的标准单元电路版图，其特征在于，除所述间断式导电条外，所述2N+1个导电条分为第一导电条组和第二导电条组，所述第一导电条组包括沿所述第二方向隔行设置的N+1个所述导电条，所述第二导电条组包括剩余的N个所述导电条；
10.根据权利要求9所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括间隔设置的第三接触插塞、第四接触插塞、第五接触插塞和第六接触插塞：
11.根据权利要求10所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述N大于1，所述第二导电条组中的每个所述导电条对应一个所述第四接触插塞。
12.根据权利要求1-7任一项所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括：沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔设置的第一有源区和第二有源区；
13.根据权利要求12所述的标准单元电路版图，其特征在于，沿所述第一方向，与所述第一有源区相对应的所述栅极段的两端均凸出所述第一有源区，与所述第二有源区相对应的所述栅极段的两端均凸出所述第二有源区。
14.根据权利要求12所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔设置的接地线和电源线；
15.根据权利要求14所述的标准单元电路版图，其特征在于，沿所述第一方向，所述接地线的两端均位于所述第一有源区内，所述电源线的两端均位于所述第二有源区内。
16.一种半导体结构，其特征在于，包括至少一个器件单元，所述器件单元包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2N+1个栅极，N为大于或者等于1的正整数；
17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，除所述间断式栅极外，所述2N个栅极分为第一栅极组和第二栅极组，所述第一栅极组和所述第二栅极组均包括沿所述第二方向依次相邻的N个栅极，且所述第一栅极组连接一个所述子栅极，所述第二栅极组连接另一个所述子栅极。
...【技术特征摘要】
1.一种标准单元电路版图，其特征在于，包括至少一个器件单元，所述器件单元包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2n+1个栅极指状物，n为大于或者等于1的正整数；
2.根据权利要求1所述的标准单元电路版图，其特征在于，除所述间断式栅极指状物外，所述2n个栅极指状物分为第一栅极指状物组和第二栅极指状物组，所述第一栅极指状物组和所述第二栅极指状物组均包括沿所述第二方向依次相邻的n个栅极指状物，且所述第一栅极指状物组连接一个所述栅极段，所述第二栅极指状物组连接另一个所述栅极段。
3.根据权利要求2所述的标准单元电路版图，其特征在于，沿所述第二方向，所述两个栅极段位于所述第一栅极指状物组和所述第二栅极指状物组的外侧。
4.根据权利要求2所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括间隔设置的第一侧栅和第二侧栅，所述第一侧栅连接所述第一栅极指状物组和相对应的所述栅极段，所述第二侧栅连接所述第二栅极指状物组和相对应的所述栅极段。
5.根据权利要求4所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述n大于1，所述第一侧栅还连接所述第一栅极指状物组内的各所述栅极指状物，所述第二侧栅还连接所述第二栅极指状物组内的各所述栅极指状物。
6.根据权利要求5所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述第一侧栅与所述第一栅极指状物组内的各所述栅极指状物的第一端面，以及与所述第一栅极指状物组所连接的所述栅极段的第一端面相接触；
7.根据权利要求4所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括同层设置的第一接触插塞和第二接触插塞；
8.根据权利要求1-7任一项所述的标准单元电路版图，其特征在于，所述器件单元还包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置的2(n+1)个导电条，沿所述第二方向，每两个相邻的所述导电条之间间隔设置有所述2n+1个栅极指状物中的一个所述栅极指状物；
9....
【专利技术属性】
技术研发人员：许世峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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