【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆加工，具体涉及一种防止粒子污染的晶圆吸附头。
技术介绍
1、当从晶锭分离出晶圆，需要移动晶圆时，采用真空吸盘是常用的手段。可是在真空吸附过程中，吸盘常常会引入或留下微小的例子。这些粒子主要来自环境因素，对晶圆表面的洁净性产生负面影响。负面影响来自多个方面：(1)小尺寸的半导体器件对杂质和缺陷非常敏感；(2)在半导体制造中，采用光刻技术将图形图案转移到晶圆表面，任何存在于晶圆表面的粒子都可能在光刻过程中影响图形的清晰度，导致制造不准确；(3)任何晶圆表面的粒子都可能导致设备故障，需要停机清理，增加了生产成本和时间。因此，在晶圆加工时，防止晶圆粒子污染十分必须。
2、为克服粒子污染，传统防止晶圆粒子污染的方法包括洁净室设计、穿戴洁净服、采用吸尘设备、定期清洁、控制湿度、紫外线消杀微生物等。虽然综合利用这些手段能够较好地防止晶圆的粒子污染，但是开发新型防止晶圆粒子污染的手段，对降低综合成本具有重要的意义。
技术实现思路
1、为解决以上问题，本技术提供了一种防止粒子污染的晶圆吸附头，包括缓冲腔室、负压头、吸附孔，负压头为圆管形，负压头联通缓冲腔室的底面。吸附孔设置在缓冲腔室的顶面上。应用时，晶圆设置在缓冲腔室的顶面上，晶圆覆盖吸附孔。本技术的防止粒子污染的晶圆吸附头还包括过滤网，缓冲腔室的顶面面积小于缓冲腔室的底面面积，缓冲腔室的侧面为外凸形，过滤网固定在缓冲腔室的侧面上。
2、本技术的构思是在晶圆的外侧设置过滤网，当吸附头通过缓冲腔室吸附晶圆时，气体
3、更进一步地，过滤网向晶圆一侧倾斜。
4、更进一步地，过滤网为柔性材料。
5、更进一步地，过滤网的材料为合成纤维、玻璃纤维、金属纤维。
6、更进一步地，过滤网的材料为多孔材料。
7、更进一步地，过滤网的材料为泡沫塑料、泡沫聚氨酯。
8、更进一步地，当过滤网被吸附倒时，过滤网接触晶圆。
9、更进一步地，还包括定位装置，定位装置设置在缓冲腔室侧面上。
10、更进一步地，还包括支撑柱，支撑柱设置在缓冲腔室的顶面上。
11、本技术的有益效果：
12、本技术通过引入过滤网，应用过滤网吸附空气中的粒子。具体地，当吸附头通过缓冲腔室吸附晶圆时，气体从过滤网经过，过滤网过滤了空气中的粒子，防止了空气中的粒子污染晶圆，保证了晶圆的结晶性，在晶圆加工
具有良好的应用前景。
13、以下将结合附图对本技术做进一步详细说明。
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1.一种防止粒子污染的晶圆吸附头，包括缓冲腔室、负压头、吸附孔，所述负压头为圆管形，所述负压头联通所述缓冲腔室的底面，所述吸附孔设置在所述缓冲腔室的顶面上，应用时，晶圆设置在所述缓冲腔室的顶面上，所述晶圆覆盖所述吸附孔，其特征在于：还包括过滤网，所述缓冲腔室的顶面面积小于所述缓冲腔室的底面面积，所述缓冲腔室的侧面为外凸形，所述过滤网固定在所述缓冲腔室的侧面上。
2.如权利要求1所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网向晶圆一侧倾斜。
3.如权利要求1所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网为柔性材料。
4.如权利要求3所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网的材料为合成纤维或玻璃纤维或金属纤维。
5.如权利要求3所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网的材料为多孔材料。
6.如权利要求5所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网的材料为泡沫塑料或泡沫聚氨酯。
7.如权利要求1-6任一项所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：当所述过滤网被
8.如权利要求7所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：还包括定位装置，所述定位装置设置在所述缓冲腔室侧面上。
9.如权利要求8所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：还包括支撑柱，所述支撑柱设置在所述缓冲腔室的顶面上。
...【技术特征摘要】
1.一种防止粒子污染的晶圆吸附头，包括缓冲腔室、负压头、吸附孔，所述负压头为圆管形，所述负压头联通所述缓冲腔室的底面，所述吸附孔设置在所述缓冲腔室的顶面上，应用时，晶圆设置在所述缓冲腔室的顶面上，所述晶圆覆盖所述吸附孔，其特征在于：还包括过滤网，所述缓冲腔室的顶面面积小于所述缓冲腔室的底面面积，所述缓冲腔室的侧面为外凸形，所述过滤网固定在所述缓冲腔室的侧面上。
2.如权利要求1所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网向晶圆一侧倾斜。
3.如权利要求1所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网为柔性材料。
4.如权利要求3所述的防止粒子污染的晶圆吸附头，其特征在于：所述过滤网...
【专利技术属性】
技术研发人员：许建强，韩世飞，吴忧，
申请(专利权)人：北京晶飞半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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