【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，尤其涉及一种气相反应设备。
技术介绍
1、现有技术的气相沉积设备如图1所示，加热装置设置在载具100下方。加热装置中的加热器200靠近载具100设置并向载具100传递热量。为确保对载具100所承载衬底的加热效果会增加在加热器200增加靠近边缘部分的加热元件分布密度并提高相应区域的加热功率，以及在加热器200下方设置隔热板300以减少或阻止热量向下传递扩散。
2、然而在工艺过程中，工艺气体特别是腐蚀性的工艺气体会对加热器的加热效果产生显著影响。因此，有必要提供一种新型的气相反应设备以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种气相反应设备，能减少或阻止工艺气体对加热装置的影响，使得能有效避免工艺气体特别是腐蚀性工艺气体影响加热装置的加热效果。
2、为实现上述目的，本技术的所述气相反应设备，包括反应腔室、以及设置于所述反应腔室内的加热装置和载片装置；所述反应腔室设有用于提供隔离气体的进气装置；所述载片装置设置于所述加热装置的上方，所述载片装置内设有从所述载片装置的中部向所述载片装置的边缘延伸的导气通道；所述导气通道的进气端与所述进气装置在所述载片装置中部连通，所述导气通道的出气端围设于所述载片装置的底部并位于所述载片装置外侧壁和所述加热装置外侧壁之间，使所述隔离气体喷出后围绕在所述加热装置外以减少或阻止工艺气体对所述加热装置的影响。
3、本技术的所述气相反应设备的有益效果在于：通过所述载片装置内设有
4、优选的，所述气相反应设备还包括围设于所述加热装置外，并位于所述出气端下方的隔离装置。
5、优选的，所述导气通道包括倾斜排气通道和/或轴向排气通道，所述倾斜排气通道和/或所述轴向排气通道的末端为所述出气端，所述倾斜排气通道沿倾斜于所述载片装置的轴线并远离所述加热装置的方向延伸，所述轴向排气通道沿所述载片装置的轴向方向延伸。
6、优选的，所述倾斜排气通道围设于所述轴向排气通道外。
7、优选的，所述隔离装置包括围设于所述加热装置外，且高度低于所述载片装置的底面高度的第一隔离装置，所述倾斜排气通道的出气端和/或所述轴向排气通道的出气端位于所述第一隔离装置和所述加热装置之间。
8、进一步优选的，所述气相反应设备还包括排气口，所述排气口开设于由所述第一隔离装置、所述载片装置和所述反应腔室底部所围结构的底部，和/或开设于所述第一隔离装置的靠近所述反应腔室底部的侧壁。
9、优选的，所述隔离装置还包括围设于所述第一隔离装置外的第二隔离装置，所述出气端朝向所述第一隔离装置和所述第二隔离装置之间。
10、进一步优选的，所述气相反应设备还包括排气口，所述排气口开设于由所述第一隔离装置、所述第二隔离装置和所述反应腔室底部所围结构的底面，或者开设于所述第二隔离装置的靠近所述反应腔室底部的侧壁。
11、优选的，所述载片装置顶面设有至少2个载片区，所述导气通道包括至少2条径向导气通道，各所述径向导气通道与所述进气装置连通且自所述载片装置的中部向所述载片装置的边缘延伸，至少一个所述载片区正投影于相邻所述径向导气通道之间所围区域形成的载片区投影位于相邻所述径向导气通道之间。
12、优选的，所述导气通道还包括连通并包围所述至少2条径向导气通道的周向导气通道，所述倾斜排气通道和/或所述轴向排气通道连通所述周向导气通道。
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1.一种气相反应设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气相反应设备，其特征在于，还包括围设于所述加热装置外，并位于所述出气端下方的隔离装置。
3.根据权利要求2所述的气相反应设备，其特征在于，所述导气通道包括倾斜排气通道和/或轴向排气通道，所述倾斜排气通道和/或所述轴向排气通道的末端为所述出气端，所述倾斜排气通道沿倾斜于所述载片装置的轴线并远离所述加热装置的方向延伸，所述轴向排气通道沿所述载片装置的轴向延伸。
4.根据权利要求3所述的气相反应设备，其特征在于，所述倾斜排气通道围设于所述轴向排气通道外。
5.根据权利要求3所述的气相反应设备，其特征在于，所述隔离装置包括围设于所述加热装置外，且高度低于所述载片装置的底面高度的第一隔离装置，所述倾斜排气通道的出气端和/或所述轴向排气通道的出气端位于所述第一隔离装置和所述加热装置之间。
6.根据权利要求5所述的气相反应设备，其特征在于，还包括排气口，所述排气口开设于由所述第一隔离装置、所述载片装置和所述反应腔室底部所围结构的底部，和/或开设于所述第一隔离装置的靠近所
7.根据权利要求5所述的气相反应设备，其特征在于，所述隔离装置还包括围设于所述第一隔离装置外的第二隔离装置，所述出气端朝向所述第一隔离装置和所述第二隔离装置之间。
8.根据权利要求7所述的气相反应设备，其特征在于，还包括排气口，所述排气口开设于由所述第一隔离装置、所述第二隔离装置和所述反应腔室底部所围结构的底面，或者开设于所述第二隔离装置的靠近所述反应腔室底部的侧壁。
9.根据权利要求3所述的气相反应设备，其特征在于，所述载片装置顶面设有至少2个载片区，所述导气通道包括至少2条径向导气通道，各所述径向导气通道与所述进气装置连通且自所述载片装置的中部向所述载片装置的边缘延伸，至少一个所述载片区正投影于相邻所述径向导气通道之间所围区域形成的载片区投影位于相邻所述径向导气通道之间。
10.根据权利要求9所述的气相反应设备，其特征在于，所述导气通道还包括连通并包围所述至少2条径向导气通道的周向导气通道，所述倾斜排气通道和/或所述轴向排气通道连通所述周向导气通道。
...【技术特征摘要】
1.一种气相反应设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气相反应设备，其特征在于，还包括围设于所述加热装置外，并位于所述出气端下方的隔离装置。
3.根据权利要求2所述的气相反应设备，其特征在于，所述导气通道包括倾斜排气通道和/或轴向排气通道，所述倾斜排气通道和/或所述轴向排气通道的末端为所述出气端，所述倾斜排气通道沿倾斜于所述载片装置的轴线并远离所述加热装置的方向延伸，所述轴向排气通道沿所述载片装置的轴向延伸。
4.根据权利要求3所述的气相反应设备，其特征在于，所述倾斜排气通道围设于所述轴向排气通道外。
5.根据权利要求3所述的气相反应设备，其特征在于，所述隔离装置包括围设于所述加热装置外，且高度低于所述载片装置的底面高度的第一隔离装置，所述倾斜排气通道的出气端和/或所述轴向排气通道的出气端位于所述第一隔离装置和所述加热装置之间。
6.根据权利要求5所述的气相反应设备，其特征在于，还包括排气口，所述排气口开设于由所述第一隔离装置、所述载片装置和所述反应腔室底部所围结构的底部，和/或开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志明，刘雷，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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