【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制作工艺参数的预测方法及系统，特别是涉及一种蚀刻参数条件的预测方法及系统。
技术介绍
1、蚀刻制作工艺在半导体制作工艺中扮演相当重要的角色，蚀刻制作工艺的成败间接地影响半导体制作工艺的良率及制造成本。因此必需要严密的控制蚀刻制作工艺中的所有制作工艺参数，用于确定每批制作工艺的可重复性。例如，为了避免蚀刻不足或过度蚀刻降低制作工艺良率，有需要精确判定停止提供蚀刻剂的蚀刻终点(endpoint)以及保留蚀刻剂继续作用的维持时间。
2、在正常情况下，使用同一个制作工艺配方(recipe)的每一次蚀刻操作，所产生的蚀刻图案大略相同。因此，通过分析蚀刻制作工艺中反应物(被蚀刻的目标材质层)在反应腔室(chamber)中的反应时间与各种物理测量值的变化情形，可以绘制出一条蚀刻终点曲线(end-point curve)，用来决定该制作工艺配方的蚀刻终点和维持时间。
3、然而，现有的蚀刻终点侦测(end point detection，epd)技术必须通过多次实际蚀刻测试方能绘示出对应的蚀刻终点曲线。当蚀刻制作工艺配方发生变化时，例如更换新型的电路图案或材料或更换不同的蚀刻机台，就必须再进行多次实际蚀刻测试，以重新绘制一条新的蚀刻终点曲线，方能决定新制作工艺配方的蚀刻终点、维持时间以及其他的制作工艺参数。导致蚀刻制作工艺的操作步骤和测试成本大幅增加。
4、因此，有需要提供一种先进的蚀刻参数条件的预测方法及系统，来解决现有技术所面临的问题。
技术实现思路>
1、根据本说明书的一实施例是揭露一种蚀刻参数条件(recipe)的预测方法，此一蚀刻参数条件的预测方法包括下述步骤:首先搜集多个已蚀刻产品的多个现有蚀刻参数条件，以及和多个现有蚀刻参数条件对应的多组位置-光学测量值。接着，根据每一组位置-光学测量值中的多个光学测量值进行监督式学习(supervised learning)训练，用于建构一个预测模型。将待蚀刻产品的位置-光学参数的规格数据输入此一预测模型，获取一个预测结果。后续，根据这个预测结果，从多个现有蚀刻参数条件中选择其中一者，作为待蚀刻产品的建议蚀刻条件。
2、根据本说明书的另一实施例揭露一种蚀刻参数条件的预测系统，此一蚀刻参数条件的预测系统包括一个数据库以及一个处理器。其中数据库用于存储历史数据。此历史数据包括多个已蚀刻产品的多个现有蚀刻参数条件和与多个现有蚀刻参数条件对应的多组位置-光学测量值。处理器具有一个预测模型，此预测模型是采用每一组位置-光学测量值中的多个光学测量值，通过监督式学习(supervised learning)训练所建构而成。用于将一个待蚀刻产品的位置-光学参数的规格数据输入这个预测模型，以获取预测结果，并根据此预测结果，从多个现有蚀刻参数条件中选择其中一者，作为待蚀刻产品的建议蚀刻条件。
3、根据上述实施例，本说明书是在提供一种蚀刻参数条件的预测方法与系统。首先搜集多个已被蚀刻产品中的多个现有蚀刻参数条件和对应于现有蚀刻参数条件已被蚀刻产品的位置-光学测量值，并将其存储成历史数据。再根据每一组位置-光学测量值中的多个光学测量值进行监督式学习训练，用于建构一个预测模型。之后，再将待蚀刻产品的规格数据中所提供的位置-光学参数输入此一预测模型。并根据预测模型所产生的预测结果，这些现有蚀刻参数条件中选择其中一者，来作为待蚀刻产品的建议蚀刻条件。由此，可以省略现有的蚀刻终点侦测技术寻找蚀刻终点时所须的多次实际蚀刻测试，大幅降低蚀刻制作工艺的操作步骤和测试成本。
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1.一种蚀刻参数条件(recipe)的预测方法，包括:
2.如权利要求1所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该预测模型的建构包括:
3.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该监督式学习训练包括采用K-近邻演算法(K Nearest Neighbor，KNN)。
4.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个位置-光学测量值包括该多个已蚀刻产品的多个坐标-透光度值。
5.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个统计参数，包括该多个光学测量值的平均数、最小值、最大值、中位数、标准差、偏态系数、峰态系数、众数、变异系数、25百分位数、75百分位数和k-s统计量。
6.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个直方图均衡化参数，是通过对该多组位置-光学测量值的每一者的该多个光学测量值进行归一化(Normalization)所获取的多个机率密度值。
7.一种蚀刻参数条件的预测系统，包括:
8.如权利要求7所述的蚀刻参数条件的预测系统，其中该预测模型的建构，包括:>
9.如权利要求8所述的蚀刻参数条件的预测系统，其中该监督式学习训练包括采用K-近邻演算法。
10.如权利要求8所述的蚀刻参数条件的预测系统，其中该多个位置-光学测量值包括多个已蚀刻产品的多个坐标-透光度值。
11.如权利要求8所述的蚀刻参数条件的预测系统，其中该多个统计参数，包括该多个光学测量值的平均数、最小值、最大值、中位数、标准差、偏态系数、峰态系数、众数、变异系数、25百分位数、75百分位数和k-s统计量。
12.如权利要求8所述的蚀刻参数条件的预测系统，其中该多个直方图均衡化参数，是通过对该多组位置-光学测量值的每一者的该多个光学测量值进行归一化所获取的多个机率密度值。
...【技术特征摘要】
1.一种蚀刻参数条件(recipe)的预测方法，包括:
2.如权利要求1所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该预测模型的建构包括:
3.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该监督式学习训练包括采用k-近邻演算法(k nearest neighbor，knn)。
4.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个位置-光学测量值包括该多个已蚀刻产品的多个坐标-透光度值。
5.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个统计参数，包括该多个光学测量值的平均数、最小值、最大值、中位数、标准差、偏态系数、峰态系数、众数、变异系数、25百分位数、75百分位数和k-s统计量。
6.如权利要求2所述的蚀刻参数条件的预测方法，其中该多个直方图均衡化参数，是通过对该多组位置-光学测量值的每一者的该多个光学测量值进行归一化(normaliz...
【专利技术属性】
技术研发人员：何明益，曾姿锦，陈欣瑜，陈明伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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